阵列基板及OLED显示装置的制作方法

文档序号:19180051发布日期:2019-11-20 00:54阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括阵列分布的子像素,相邻两列子像素之间设置有数据线和电源信号线;

其中,所述数据线与所述电源信号线制备于不同的膜层表面,且所述数据线与所述电源信号线至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线设置于所述阵列基板上,所述电源信号线制备于所述阵列基板的背侧,且与所述数据线对位设置,所述电源信号线的信号输入端延伸至绑定区域,通过开设于所述阵列基板的通孔与控制芯片电性连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线与所述电源信号线的延伸方向相同。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的每个子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、扫描线、阴极信号线、所述数据线、所述电源信号线以及一存储电容;

其中,所述第一薄膜晶体管的栅极电连接于所述扫描线,源极电连接于所述数据线;

所述第二薄膜晶体管的栅极电连接于所述第一薄膜晶体管的漏极,源极电连接于所述电源信号线,漏极电连接于所述oled的阳极;

所述oled的阴极电连接于所述阴极信号线;

所述存储电容电连接于所述第二薄膜晶体管的栅极与漏极。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,每一列所述子像素对应一条所述数据线与一条所述电源信号线。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括与所述电源信号线平行设置的补偿信号线,所述补偿信号线与所述数据线至少部分重叠,所述补偿信号线与所述数据线的延伸方向相同。

7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述补偿信号线制备于所述阵列基板的背侧,且与所述电源信号线交替设置。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的一个子像素包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、扫描线、阴极信号线、所述数据线、所述电源信号线、所述补偿信号线以及一存储电容;其相邻子像素包括第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、扫描线、阴极信号线、所述数据线、所述电源信号线、所述补偿信号线以及一存储电容;

其中,所述第一薄膜晶体管的栅极电连接于所述扫描线,源极电连接于所述n级数据线;

所述第二薄膜晶体管的栅极电连接于所述第一薄膜晶体管的漏极,源极电连接于所述n级电源信号线,漏极电连接于所述oled的阳极;

所述oled的阴极电连接于所述阴极信号线;

所述第三薄膜晶体管的栅极电连接于所述扫描线,源极电连接于所述补偿信号线,漏极电连接于所述第二薄膜晶体管的漏极;

所述第四薄膜晶体管的栅极电连接于所述扫描线,源极电连接于所述n+1级数据线;

所述第五薄膜晶体管的栅极电连接于所述第四薄膜晶体管的漏极,源极电连接于所述n+1级电源信号线,漏极电连接于所述oled的阳极;

所述第六薄膜晶体管的栅极电连接于所述扫描线,源极电连接于所述补偿信号线,漏极电连接于所述第五薄膜晶体管的漏极;

所述存储电容电连接于所述第二薄膜晶体管的栅极和漏极或电连接于所述第五薄膜晶体管的栅极和漏极;

所述两个相邻的子像素共用一条所述补偿信号线。

9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,每一列所述子像素对应一条所述数据线,每两列所述子像素对应一条所述电源信号线或所述补偿信号线。

10.一种oled显示装置,其特征在于,所述oled显示装置包括有阵列基板,所述阵列基板为权利要求1-9任一所述的阵列基板。


技术总结
本发明提供一种阵列基板,包括阵列分布的子像素,相邻两列子像素之间设置有数据线和电源信号线;其中,所述数据线与所述电源信号线制备于不同的膜层表面,且所述数据线与所述电源信号线至少部分重叠。相应地,本发明还提供一种包括所述阵列基板的OLED显示装置。本发明所述阵列基板与现有技术的阵列基板相比,具有较高的开口率。

技术研发人员:杜鹏
受保护的技术使用者:深圳市华星光电技术有限公司
技术研发日:2019.08.21
技术公布日:2019.11.19
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