1.一种形成集成式组合件的方法，其包括：
提供具有沿着第一方向延伸的间隔开的导电线且具有轨道的结构，所述轨道位于所述导电线上方且沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；所述轨道中的每一者包括通过绝缘材料的介入区彼此间隔开的半导体材料的柱；所述轨道通过介入空间彼此横向上间隔开；所述轨道具有沿着所述空间的侧壁表面；所述柱具有上部分段、中间分段及下部分段；
沿着所述轨道的所述侧壁表面形成衬里，所述衬里包括第一材料；
在所述衬里上方形成第二材料；
移除所述衬里的第一区段以在所述第二材料与所述轨道的所述侧壁表面之间形成间隙；所述衬里的第二区段保留于所述间隙下方；及
在所述间隙内形成导电材料；所述导电材料配置为沿着所述第二方向延伸的导电线；所述导电线沿着所述柱的所述中间分段。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述轨道的所述侧壁表面的第一部分位于所述间隙上面，且其中所述导电材料经形成为完全填充所述间隙且沿着所述轨道的所述侧壁表面的所述第一部分延伸。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电线并入到存储器阵列的字线中，且其中沿着所述侧壁表面的所述第一部分的所述导电材料中的至少一些保留为所述字线的上部部分。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述间隙内的所述导电材料包括所述字线的下部部分；且其中所述字线的所述上部部分比所述字线的所述下部部分横向上厚。
5.根据权利要求2所述的方法，其中移除沿着所述侧壁表面的所述第一部分的所述导电材料以留下仅在所述间隙内的所述导电线。
6.根据权利要求1所述的方法，其中：
底部表面沿着所述轨道之间的所述介入空间；
所述衬里沿着所述底部表面以及沿着所述侧壁表面延伸；且
所述衬里的所述第二区段沿着所述底部表面且部分地沿所述侧壁表面向上延伸。
7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在于所述间隙内形成所述导电材料之后，从所述衬里的所述第二区段上方移除所述第二材料。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一材料包括氮化硅，且其中所述第二材料包括二氧化硅。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一材料包括氮化硅，且其中所述第二材料基本上由硅组成。
10.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一材料包括氮化硅，且其中所述第二材料包括多晶硅。
11.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括移除所述衬里的所述第二区段。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一材料包括多晶硅，且其中所述第二材料包括二氧化硅。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料是第一导电材料且经形成为在所述间隙的下部区内而留下所述间隙的上部区保留于所述下部区上方；其中在剩余上部区内形成第二导电材料；且其中所述第二导电材料包括不同于所述第一导电材料的组合物。
14.一种形成集成式组合件的方法，其包括：
提供具有半导体材料的第一面板及绝缘材料的第二面板的结构；所述第一与第二面板沿着第一方向延伸且沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此交替；
形成延伸到所述结构中的沟槽；所述沟槽沿着所述第二方向延伸；所述沟槽将所述结构的上部部分形成为轨道；所述轨道包括所述半导体材料的柱；所述沟槽的内部表面包含所述轨道的侧壁表面；所述柱具有上部分段、中间分段及下部分段；
形成在所述轨道上方且沿着所述沟槽的所述内部表面延伸的第一材料；所述第一材料形成沿着所述轨道的所述侧壁表面延伸的衬里；
在所述第一材料上方且在所述沟槽内形成第二材料；
相对于所述第一材料选择性地移除所述第二材料的一部分以使所述第二材料的上部表面凹陷；
移除所述衬里的第一区段以在所述第二材料与所述轨道的所述侧壁表面之间形成间隙；所述衬里的第二区段保留于所述间隙下方；及
在所述间隙内形成导电材料；所述导电材料配置为沿着所述第二方向延伸的导电线；所述导电线包括沿着所述柱的所述中间分段的晶体管栅极。
15.根据权利要求14所述的方法，其中：
所述第一面板的所述半导体材料的下部部分保留于所述轨道及所述沟槽下方，且配置为在所述沟槽及所述柱下方通过的半导体材料线；
所述沟槽的内部区包含沿着所述轨道之间的空间的底部表面，其中所述底部表面对应于所述半导体材料线的上部表面；
所述衬里沿着所述底部表面以及沿着所述侧壁表面延伸；且
所述衬里的所述第二区段沿着所述底部表面且部分地沿所述侧壁表面向上延伸。
16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括在于所述间隙内形成所述导电材料之后，从所述衬里的所述第二区段上方移除所述第二材料。
17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括移除所述衬里的所述第二区段。
18.根据权利要求14所述的方法，其中所述轨道的所述侧壁表面的第一部分位于所述间隙上面，且其中所述导电材料经形成为完全填充所述间隙且沿着所述轨道的所述侧壁表面的所述第一部分延伸。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述导电线并入到存储器阵列的字线中，且其中沿着所述第一部分的所述导电材料中的至少一些保留为所述字线的上部部分。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述间隙内的所述导电材料包括所述字线的在所述上部部分下方的下部部分；且其中所述字线的所述上部部分比所述字线的所述下部部分横向上厚。
21.根据权利要求18所述的方法，其中移除沿着所述第一部分的所述导电材料以留下仅在所述间隙内的所述导电线。
22.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括在形成所述导电材料之前：
在所述上部分段内形成上部源极/漏极区，
在所述下部分段内形成下部源极/漏极区，及
在所述中间分段内形成沟道区。
23.根据权利要求22所述的方法，其中在形成所述第一材料之前沿着所述轨道的所述侧壁表面形成栅极电介质材料，其中所述移除所述衬里的所述第一区段会暴露所述栅极电介质材料，且其中在所述栅极电介质材料上方形成所述导电材料。
24.根据权利要求22所述的方法，其中在所述移除所述衬里的所述第一区段之后沿着所述轨道的所述侧壁表面形成栅极电介质材料，且其中在所述栅极电介质材料上方形成所述导电材料。
25.根据权利要求14所述的方法，其中所述导电材料是第一导电材料且经形成为在所述间隙的下部区内而留下所述间隙的上部区保留于所述下部区上方；其中在剩余上部区内形成第二导电材料；且其中所述第二导电材料包括不同于所述第一导电材料的组合物。
26.根据权利要求25所述的方法，其中最初将所述第一导电材料形成为完全填充所述间隙，且接着使所述第一导电材料凹陷以仅在所述下部区内。
27.一种形成集成式组合件的方法，其包括：
提供具有半导体材料的第一面板及绝缘材料的第二面板的结构；所述第一与第二面板沿着第一方向延伸且沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此交替；所述半导体材料的面板位于沿着所述第一方向延伸的导电线上方；
形成延伸到所述结构中的沟槽；所述沟槽沿着所述第二方向延伸；所述沟槽将所述结构的上部部分形成为轨道；所述轨道包括所述半导体材料的柱；所述柱通过所述轨道内的介入绝缘区彼此间隔开；所述沟槽的内部表面包含所述轨道的侧壁表面及沿着所述轨道之间的空间的底部表面；所述第一面板的所述半导体材料的下部部分保留于所述轨道及所述沟槽下方，且配置为在所述沟槽及所述柱下方通过的半导体材料线；所述半导体材料线及所述导电线一起形成沿着所述第一方向延伸的数字线；所述柱具有上部分段、下部分段及中间分段；所述上部及下部分段分别包括第一及第二源极/漏极区，且所述中间分段包括沟道区；下部源极/漏极区与所述数字线耦合；
形成第一材料的衬里，其中所述衬里在所述轨道上方且沿着所述轨道的所述侧壁表面延伸；
在所述轨道上方且在所述沟槽内形成第二材料，所述第二材料形成于所述衬里上方；
形成延伸跨越所述第一及第二材料的经平面化表面；
使所述沟槽内的所述第二材料的上部表面凹陷；
移除所述衬里的第一区段以在所述第二材料与所述轨道的所述侧壁表面之间形成间隙；所述衬里的第二区段保留于所述间隙下方；及
在所述间隙内形成导电材料；所述导电材料包含于沿着所述第二方向延伸的字线内；所述字线沿着所述柱的所述沟道区。
28.根据权利要求27所述的方法，其中所述第二材料包括二氧化硅。
29.根据权利要求28所述的方法，其中所述第一材料包括多晶硅。
30.根据权利要求28所述的方法，其中所述第一材料包括氮化硅。
31.根据权利要求27所述的方法，其中所述轨道的侧壁表面的第一部分位于所述间隙上面，且其中所述导电材料经形成为完全填充所述间隙且沿着所述侧壁表面的所述第一部分延伸。
32.根据权利要求31所述的方法，其中沿着所述第一部分的所述导电材料中的至少一些保留为所述字线的上部部分。
33.根据权利要求32所述的方法，其中所述间隙内的所述导电材料包括所述字线的在所述上部部分下方的下部部分；且其中所述字线的所述上部部分比所述字线的所述下部部分横向上厚。
34.根据权利要求27所述的方法，其中所述衬里的所述第二区段沿着所述底部表面且部分地沿所述侧壁表面向上延伸。
35.根据权利要求34所述的方法，其包括在于所述间隙内形成所述导电材料之后，从所述衬里的所述第二区段上方移除所述第二材料。
36.根据权利要求35所述的方法，其包括移除所述衬里的所述第二区段。
37.根据权利要求27所述的方法，其中所述导电材料是第一导电材料且经形成为在所述间隙的下部区内而留下所述间隙的上部区保留于所述下部区上方；其中在剩余上部区内形成第二导电材料；其中所述第二导电材料包括不同于所述第一导电材料的组合物；且其中所述第一及第二导电材料一起包含于所述字线内。