1.提升algan/aln多量子阱界面质量的生长方法，其特征是在多量子阱生长过程中包括如下步骤：
1）选择衬底，转移入金属有机物化学气相沉积系统中，依次进行成核层、缓冲层、n型掺杂层生长；
2）进行量子垒的生长；
3）暂定生长进行吹扫；
4）进行量子阱的生长；
5）暂定生长进行吹扫；
6）多周期重复进行步骤2）-5），生长多量子阱结构有源层；
7）进行p型掺杂层生长，降低温度进行原位氮气退火。
8）生长结束，降温取出薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的提升algan/aln多量子阱界面质量的生长方法，其特征是所述步骤1）中，衬底为（0001）面蓝宝石衬底；成核层为aln薄膜，厚度为20-100nm；缓冲层为algan薄膜，铝组分为1-0.5，厚度为1000-2500nm；n型掺杂层为algan薄膜，铝组分为0.6-0.4,厚度1000-2500nm，掺杂浓度为5e17-2e19cm3。。
3.根据权利要求1所述的提升algan/aln多量子阱界面质量的生长方法，其特征是所述步骤2）中，量子垒为aln层，生长过程中ⅲ族源为三甲基铝，ⅴ族源为高纯氨气，三甲基铝、高纯氨气交替通入反应室，首先通入三甲基铝时间为2-6s，再通入高纯氨气时间为2-6s，交替周期2-20个，ⅲ族源与ⅴ族源的摩尔量之比为500-1000，反应室内生长温度为1050-1150℃，压力为50-150torr，厚度为2-20nm。
4.根据权利要求1所述的提升algan/aln多量子阱界面质量的生长方法，其特征是所述步骤3）中，反应室温度为1050-1150℃，压力为50-150torr，通入高纯氨气，时间为5-10s。
5.根据权利要求1所述的提升algan/aln多量子阱界面质量的生长方法，其特征是所述步骤4）中量子阱为algan层，ⅲ族源为三甲基镓和三甲基铝，ⅴ族源为nh3，三甲基镓、三甲基铝、高纯氨气同时通入反应室，通入时间为10-60s，ⅲ族源与ⅴ族源的摩尔量之比为1500-3000，铝组分为0.5-0,生长温度1050-1150℃，压力50-150torr，厚度为2-10nm。
6.根据权利要求1所述的提升algan/aln多量子阱界面质量的生长方法，其特征是所述步骤5）中，反应室温度为1050-1150℃，压力为50-150torr，通入高纯氨气，时间为5-10s。
7.根据权利要求1所述的一种提升algan/aln多量子阱界面质量的生长方法，其特征是所述步骤6）重复周期数为2-20个，有源层总厚度为20-200nm。
8.根据权利要求1所述的提升algan/aln多量子阱界面质量的生长方法，其特征是所述步骤7）p型掺杂层为algan薄膜，铝组分为0.5-0，厚度100-350nm，掺杂浓度为5e17-2e19cm3，氮气原位退火温度650-850℃，退火时间60-600s。