一种整流模块的制作方法

文档序号:21036916发布日期:2020-06-09 20:28阅读:184来源:国知局
一种整流模块的制作方法

本实用新型涉及一种半导体器件,特别涉及一种整流模块。



背景技术:

整流模块由于零件多进而装配时间长,且由于零件规格较多,需要多套的加工模件,不仅增加了加工成本,也给整流模块的装配带来了不便。整流模块的芯片直接连接基板上,导致芯片工作时散热困难,常因芯片过热而出现故障。



技术实现要素:

针对上述现有技术存在的缺陷,本实用新型所要解决的技术问题提供一种整流模块,零件规格少,减少冲床模具数量,提高装配效率,且使芯片能够更好的散热。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案是:一种整流模块,包括底板,底板上设有基板,基板上设有连接片a、连接片b和连接片c;连接片a上设有二极管芯片a和二极管芯片b,连接片b上设有二极管芯片c和二极管芯片d,连接片c上设有二极管芯片e和二极管芯片f;二极管芯片a、二极管芯片c和二极管芯片e上方通过连桥a连接,二极管芯片b、二极管芯片d和二极管芯片f上方通过连桥b连接;连桥a和连桥b上分别连接引出电极a和引出电极b。

所述基板为陶瓷覆铜板。

所述连桥a和连桥b呈拱形。

所述连桥a和引出电极a一体成型,所述连桥b引出电极b一体成型。

本实用新型相对于现有技术的有益效果:

1、本实用新型的整流模块,如图1所示,将原有的5套零件整合为3套,不仅减少了冲床模具的数量,节省了加工成本,也为整流模块的装配带来了便利,提高装配效率20%。

2、本实用新型的整流模块,在基板和芯片之间设置连接片,不仅方便了装配,并且芯片在工作时热量可以从上下两个方向同时散失,散热速度更快。

附图说明

图1本实用新型中原有整流模块的示意图;

图2本实用新型实施例的示意图。

具体实施方式

以下结合附图说明对本实用新型的实施例作进一步详细描述,但本实施例并不用于限制本实用新型,凡是采用本实用新型的相似结构及其相似变化,均应列入本实用新型的保护范围。

如图2所示,本实用新型实施例提供的一种整流模块,包括底板1,底板1上设有基板2,基板2上设有连接片a3、连接片b4和连接片c5;连接片a3上设有二极管芯片a6和二极管芯片b7,连接片b4上设有二极管芯片c8和二极管芯片d9,连接片c5上设有二极管芯片e10和二极管芯片f11;二极管芯片a6、二极管芯片c8和二极管芯片e10上方通过连桥a12连接,二极管芯片b7、二极管芯片d9和二极管芯片f11上方通过连桥b13连接;连桥a12和连桥b13上分别连接引出电极a14和引出电极b15。

所述基板2为陶瓷覆铜板。

所述连桥a12和连桥b13呈拱形。

所述连桥a12和引出电极a14一体成型,所述连桥b13引出电极b15一体成型。

以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。



技术特征:

1.一种整流模块,其特征在于,包括底板(1),底板(1)上设有基板(2),基板(2)上设有连接片a(3)、连接片b(4)和连接片c(5);连接片a(3)上设有二极管芯片a(6)和二极管芯片b(7),连接片b(4)上设有二极管芯片c(8)和二极管芯片d(9),连接片c(5)上设有二极管芯片e(10)和二极管芯片f(11);二极管芯片a(6)、二极管芯片c(8)和二极管芯片e(10)上方通过连桥a(12)连接,二极管芯片b(7)、二极管芯片d(9)和二极管芯片f(11)上方通过连桥b(13)连接;连桥a(12)和连桥b(13)上分别连接引出电极a(14)和引出电极b(15)。

2.根据权利要求1所述的整流模块,其特征在于,所述基板(2)为陶瓷覆铜板。

3.根据权利要求1所述的整流模块,其特征在于,所述连桥a(12)和连桥b(13)呈拱形。

4.根据权利要求1所述的整流模块,其特征在于,所述连桥a(12)和引出电极a(14)一体成型,所述连桥b(13)引出电极b(15)一体成型。


技术总结
本实用新型是一种整流模块,包括底板,底板上设有基板,基板上设有连接片A、连接片B和连接片C;连接片A上设有二极管芯片A和二极管芯片B,连接片B上设有二极管芯片C和二极管芯片D,连接片C上设有二极管芯片E和二极管芯片F;二极管芯片A、二极管芯片C和二极管芯片E上方通过连桥A连接,二极管芯片B、二极管芯片D和二极管芯片F上方通过连桥B连接;连桥A和连桥B上分别连接引出电极A和引出电极B。本实用新型的整流模块,将原有的5套零件整合为3套,不仅减少了冲床模具的数量,节省了加工成本,也为整流模块的装配带来了便利,提高装配效率20%。

技术研发人员:曹剑龙;宗瑞
受保护的技术使用者:浙江世菱电力电子有限公司
技术研发日:2019.11.18
技术公布日:2020.06.09
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