显示基板、显示设备和制造显示基板的方法与流程

文档序号:18888598发布日期:2019-10-15 21:21阅读:153来源:国知局
显示基板、显示设备和制造显示基板的方法与流程

本发明涉及显示技术,更具体地,涉及显示基板、显示设备和制造显示基板的方法。



背景技术:

有机发光二极管(oled)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(lcd)设备相比,oled显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外,oled显示设备可以制作得比典型的lcd设备更易弯曲、更薄且更轻。oled显示设备通常包括阳极、包括发光层的有机层、以及阴极。oled可以为底发射型oled或顶发射型oled。



技术实现要素:

一方面,本发明提供了一种具有显示区域和周边区域的显示基板,该显示基板包括:基底基板;多个发光元件,其位于基底基板上且位于显示区域中;封装层,其位于所述多个发光元件的远离基底基板的一侧,用于封装所述多个发光元件;绝缘层,其位于封装层和基底基板之间;第一阻挡壁,其位于周边区域中并且位于绝缘层的远离基底基板的一侧,第一阻挡壁形成实质上围绕第一区域的第一围壁(enclosure);以及裂缝防止层,其位于第一阻挡壁的侧面和绝缘层的表面之间的成角空间(angledspace)中。

可选地,第一阻挡壁包括与绝缘层接触的第一下部和位于第一下部的远离绝缘层的一侧的第一上部;第一上部在基底基板上的正投影覆盖第一下部在基底基板上的正投影;第一下部的第一侧面与绝缘层的表面形成第一成角空间;第一下部的第二侧面与绝缘层的所述表面形成第二成角空间;并且,裂缝防止层包括位于第一成角空间中的第一裂缝防止子层和位于第二成角空间中的第二裂缝防止子层。

可选地,第一裂缝防止子层覆盖第一下部的第一侧面;并且,第二裂缝防止子层覆盖第一下部的第二侧面。

可选地,第一上部的远离基底基板的一侧宽于第一上部的靠近基底基板的一侧;并且,第一下部的远离基底基板的一侧宽于第一下部的靠近基底基板的一侧。

可选地,第一阻挡壁的沿在从第一侧面到第二侧面的方向上的垂直于绝缘层的平面的截面具有实质倒梯形形状。

可选地,第一下部、第一裂缝防止子层和第二裂缝防止子层一起形成具有远离基底基板的一侧窄于靠近基底基板的一侧的结构。

可选地,第一裂缝防止子层相对于绝缘层的表面的高度不大于第一阻挡壁相对于绝缘层的所述表面的高度的一半;并且,第二裂缝防止子层相对于绝缘层的所述表面的高度不大于第一阻挡壁相对于绝缘层的所述表面的高度的一半。

可选地,第一阻挡壁包括负性光刻胶材料;并且裂缝防止层包括正性光刻胶材料。

可选地,显示基板还包括:无机阻挡层,其覆盖第一阻挡壁和裂缝防止层;无机阻挡层限于周边区域中;并且无机阻挡层与第一阻挡壁、裂缝防止层和绝缘层直接接触。

可选地,无机阻挡层没有裂缝地完全覆盖由第一阻挡壁和裂缝防止层一起形成的结构的侧面。

可选地,显示基板还包括:有机材料层和阴极层之一或组合,其位于无机阻挡层的远离基底基板的一侧、被第一阻挡壁的侧面分离成不连续的部分。

可选地,封装层的至少一个无机子层从显示区域延伸至周边区域中;并且封装层的所述至少一个无机子层位于无机阻挡层的远离基底基板的一侧。

可选地,封装层的所述至少一个无机子层没有裂缝地完全覆盖无机阻挡层的覆盖由第一阻挡壁和裂缝防止层一起形成的结构的侧面的部分。

可选地,显示基板还包括:第二阻挡壁,其位于周边区域中并且位于绝缘层的远离基底基板的一侧,第二阻挡壁形成实质上围绕第二区域的第二围壁。

可选地,第一围壁实质上围绕显示基板的窗口区域;并且显示基板具有贯穿窗口区域的孔,以在其中安装附件。

另一方面,本发明提供了一种显示设备,其包括本文所述的或通过本文所述方法制造的显示基板以及与显示基板连接的一个或多个集成电路。

另一方面,本发明提供了一种制造具有显示区域和周边区域的显示基板的方法,该方法包括:在基底基板上且在显示区域中形成多个发光元件;在所述多个发光元件的远离基底基板的一侧形成封装层,用于封装所述多个发光元件;在基底基板上形成绝缘层,其中,所述绝缘层形成在封装层和基底基板之间;在周边区域中并且在绝缘层的远离基底基板的一侧形成第一阻挡壁,第一阻挡壁形成实质上围绕第一区域的第一围壁;以及在第一阻挡壁的侧面和绝缘层的表面之间的成角空间中形成裂缝防止层。

可选地,形成第一阻挡壁包括:在周边区域中并且在绝缘层的远离基底基板的一侧形成负性光刻胶材料层;以及对负性光刻胶材料层进行构图以形成第一阻挡壁;其中,第一阻挡壁形成为使得第一阻挡壁的远离基底基板的一侧宽于第一阻挡壁的靠近基底基板的一侧。

可选地,形成裂缝防止层包括:在第一阻挡壁的远离基底基板的一侧形成正性光刻胶材料层;以及对正性光刻胶材料层进行构图以形成裂缝防止层;其中,在对正性光刻胶材料层进行构图期间,移除除位于第一阻挡壁的侧面和绝缘层的表面之间的成角空间中的部分外的正性光刻胶材料层,从而形成裂缝防止层。

可选地,所述方法还包括:冲压贯穿显示基板的孔以形成窗口区域;其中,第一围壁实质上围绕窗口区域。

附图说明

以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例,而不旨在限制本发明的范围。

图1是根据本公开的一些实施例中的显示基板的一部分的截面图。

图2a是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。

图2b是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。

图2c是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。

图3a是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡壁的结构的示意图。

图3b是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡壁和裂缝防止层的结构的示意图。

图3c是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡壁、裂缝防止层和无机阻挡层的结构的示意图。

图3d是示出根据本公开的一些实施例中的位于第一阻挡壁上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。

图4a是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡壁的结构的示意图。

图4b是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡壁和裂缝防止层的结构的示意图。

图4c是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡壁、裂缝防止层和无机阻挡层的结构的示意图。

图4d是示出根据本公开的一些实施例中的位于第二阻挡壁上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。

图5a至图5f示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。

具体实施方式

现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意,以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。

在本公开中发现,显示面板或显示基板特别易于水分和氧气渗入窗口区域中,所述窗口区域形成为安装诸如相机之类的附件。窗口区域通常通过冲压贯穿显示基板的孔来形成。因此,一旦形成窗口区域,封装层可能无法封装显示基板。特别地,有机发光二极管显示基板的制造过程通常采用开放掩膜工艺来在例如没有任何构图步骤的情况下沉积一个或多个有机材料层和电极层。窗口区域中的封装层无法令人满意地封装这些有机材料层和电极层,导致显示基板暴露于外部氧气和水分。此外,形成窗口区域的过程潜在地可在邻近窗口区域的边界中产生裂缝。裂缝可传播到显示基板的显示区域中,进一步不利地影响显示区域中的显示组件。

因此,本公开特别提供了显示基板、显示设备和制造显示基板的方法,其实质上消除了由于相关技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。一方面,本公开提供了一种具有显示区域和周边区域的显示基板。在一些实施例中,显示基板包括:基底基板;多个发光元件,其位于基底基板上且位于显示区域中;封装层,其位于所述多个发光元件的远离基底基板的一侧,用于封装所述多个发光元件;绝缘层,其位于基底基板上;第一阻挡壁,其位于周边区域中并且位于绝缘层的远离基底基板的一侧,第一阻挡壁形成实质上围绕第一区域的第一围壁;以及裂缝防止层,其位于第一阻挡壁的侧面和绝缘层的表面之间的成角空间中。

本文使用的术语“显示区域”指的是显示面板中显示基板(例如,对置基板或阵列基板)的实际显示图像的区域。可选地,显示区域可以包括子像素区域和子像素间区域两者。子像素区域指的是子像素的发光区域,比如液晶显示器中与像素电极对应的区域或者有机发光二极管显示面板中与发光层对应的区域。子像素间区域指的是相邻子像素区域之间的区域,比如液晶显示器中与黑矩阵对应的区域或者有机发光二极管显示面板中与像素限定层对应的区域。可选地,子像素间区域是同一像素中相邻子像素区域之间的区域。可选地,子像素间区域是来自两个相邻像素的两个相邻子像素区域之间的区域。

本文使用的术语“周边区域”指的是显示面板中显示基板(例如,对置基板或阵列基板)的设置有用于向显示基板发送信号的各种电路和走线的区域。为了增加显示设备的透明度,显示设备的非透明或不透明组件(例如,电池、印刷电路板、金属框)可以布置在周边区域中而非布置在显示区域中。

本文使用的术语“实质上围绕”指的是围绕某个区域的周长的至少50%(例如,至少60%、至少70%、至少80%、至少90%、至少95%、至少99%、以及100%)。

各种适当发光元件可用于当前显示基板中。适当发光元件的示例包括:有机发光二极管、量子点发光二极管和微发光二极管。

图1是根据本公开的一些实施例中的显示基板的一部分的截面图。参照图1,在一些实施例中,显示基板具有显示区域da和周边区域pa。在一些实施例中,显示基板包括:基底基板100;多个发光元件140,其位于基底基板100上并且位于显示区域da中;封装层150,其位于所述多个发光元件140的远离基底基板100的一侧,用于封装所述多个发光元件140;绝缘层115,其位于基底基板100上;第一阻挡壁161,其位于周边区域pa中并且位于绝缘层115的远离基底基板100的一侧,第一阻挡壁161形成实质上围绕第一区域的第一围壁;以及裂缝防止层162,其位于第一阻挡壁161的侧面和绝缘层115的表面之间的成角空间中。

图2a是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。参照图2a,由位于周边区域pa中的第一阻挡壁161形成的第一围壁实质上围绕第一区域ea1。第一围壁实质上围绕显示区域da,并且第一区域ea1的面积等于或大于显示区域da的面积。

图2b是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。参照图2b,显示基板具有实质矩形形状。在一些实施例中,由位于周边区域pa中的第一阻挡壁161形成的第一围壁实质上围绕第一区域ea1。第一围壁不围绕显示区域da,而是实质上围绕内周边区域ipa,内周边区域ipa实质上被显示区域da围绕。内周边区域ipa的面积等于或大于第一区域ea1的面积。可选地,第一围壁实质上围绕显示基板的窗口区域wr,显示基板具有贯穿窗口区域wr的孔以在其中安装附件(例如,相机、指纹传感器)。可选地,第一区域ea1的面积等于或大于窗口区域wr的面积。

图2c是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。参照图2c,显示基板具有实质圆形形状。在一些实施例中,由位于周边区域pa中的第一阻挡壁形成的第一围壁实质上围绕第一区域ea1。第一围壁不围绕显示区域da,而是实质上围绕内周边区域ipa,内周边区域ipa实质上被显示区域da围绕。内周边区域ipa的面积等于或大于第一区域ea1的面积。可选地,第一围壁实质上围绕显示基板的窗口区域wr,显示基板具有贯穿窗口区域wr的孔以在其中安装附件(例如,相机、指纹传感器)。可选地,第一区域ea1的面积等于或大于窗口区域wr的面积。

图3a是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡壁的结构的示意图。参照图3a,在一些实施例中,第一阻挡壁161包括与绝缘层115接触的第一下部161l和位于第一下部161l的远离绝缘层115的一侧的第一上部161u。第一上部161u在基底基板100上的正投影覆盖第一下部161l在基底基板100上的正投影。可选地,第一上部161u的沿从第一侧面ls1至第二侧面ls2的方向的宽度大于第一下部161l的沿从第一侧面ls1到第二侧面ls2的方向的宽度。可选地,第一上部161u的沿从第一侧面ls1至第二侧面ls2的方向的最小宽度等于或大于第一下部161l的沿从第一侧面ls1到第二侧面ls2的方向的最大宽度。可选地,第一上部161u的远离基底基板100的一侧(例如,顶侧)宽于第一上部161u的靠近基底基板100的一侧(例如,底侧)。可选地,第一下部161l的远离基底基板100的一侧(例如,顶侧)宽于第一下部161l的靠近基底基板100的一侧(例如,底侧)。可选地,第一阻挡壁161的沿在从第一侧面ls1到第二侧面ls2的方向上的垂直于绝缘层115的平面的截面具有实质倒梯形形状。可选地,第一上部161u的沿在从第一侧面ls1到第二侧面ls2的方向上的垂直于绝缘层115的平面的截面具有实质倒梯形形状。可选地,第一下部161l的沿在从第一侧面ls1到第二侧面ls2的方向上的垂直于绝缘层115的平面的截面具有实质倒梯形形状。

在一些实施例中,第一下部161l的第一侧面ls1与绝缘层115的表面s形成第一成角空间as1;并且,第一下部161l的第二侧面ls2与绝缘层115的表面s形成第二成角空间as2。本文所用的术语“侧面”以其原始意义使用并且不限制地指的是连接顶侧和底侧的一侧,例如,连接第一下部161l的远离基底基板100的顶侧和第一下部161l的靠近基底基板100的底侧的一侧。在一个示例中,侧面是在来自底表面的侧边上升起的一侧。

图3b是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡壁和裂缝防止层的结构的示意图。参照图3a和图3b,在一些实施例中,裂缝防止层162包括位于第一成角空间as1中的第一裂缝防止子层162a和位于第二成角空间as2中的第二裂缝防止子层162b。第一裂缝防止子层162a覆盖第一下部161l的第一侧面ls1;并且,第二裂缝防止子层162b覆盖第一下部161l的第二侧面ls2。如图3b所示,第一下部161l、第一裂缝防止子层162a和第二裂缝防止子层162b一起形成具有远离基底基板的一侧窄于靠近基底基板的一侧的结构(例如,类梯形形状)。可选地,所述第一裂缝防止子层162a相对于所述绝缘层115的所述表面s的高度不大于所述第一阻挡壁161相对于所述绝缘层115的所述表面s的高度的一半;并且所述第二裂缝防止子层162b相对于所述绝缘层115的所述表面s的高度不大于所述第一阻挡壁161相对于所述绝缘层115的所述表面s的高度的一半。可选地,第一裂缝防止子层162a具有带有凹陷表面的侧面。可选地,第二裂缝防止子层162b具有带有凹陷表面的侧面。可选地,由第一阻挡壁161、第一裂缝防止子层162a和第二裂缝防止子层162b形成的结构形成了具有两个凹壁侧面的组合壁。

可选地,第一裂缝防止子层162a形成实质上围绕小于由第一阻挡壁161实质上围绕的第一区域的区域的围壁。可选地,第二裂缝防止子层162b形成实质上围绕大于由第一阻挡壁161实质上围绕的第一区域的区域的围壁。可选地,由第二裂缝防止子层162b形成的围壁围绕由第一阻挡壁161形成的第一围壁,并且第一围壁围绕由第一裂缝防止子层162a形成的围壁。可选地,使用不同材料制作裂缝防止层162和第一阻挡壁161。

图3c是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡壁、裂缝防止层和无机阻挡层的结构的示意图。参照图1和图3c,在一些实施例中,显示基板还包括无机阻挡层163,其覆盖第一阻挡壁161和裂缝防止层162。可选地,无机阻挡层163限于周边区域pa中。可选地,无机阻挡层163与第一阻挡壁161和裂缝防止层162两者直接接触。可选地,无机阻挡层163还延伸至第一阻挡壁161和裂缝防止层162以外的区域中,并且与绝缘层115直接接触。

具体地,参照图3a至图3c,无机阻挡层163覆盖第一上部161u的顶表面(例如,远离基底基板100的表面)并且可选地与第一上部161u的顶表面(例如,远离基底基板100的表面)直接接触。无机阻挡层163还覆盖第一上部161u的侧面并且可选地与第一上部161u的侧面直接接触。无机阻挡层还覆盖第一裂缝防止子层162a的侧面并且可选地与第一裂缝防止子层162a的侧面直接接触,并且覆盖第二裂缝防止子层162b的侧面并且可选地与第二裂缝防止子层162b的侧面直接接触。

通过具有裂缝防止层162(包括第一裂缝防止子层162a和第二裂缝防止子层162b),第一阻挡壁161的侧面和绝缘层115的表面之间的成角空间可以被至少部分地填充。裂缝防止层162还使第一阻挡壁161在绝缘层115上稳定。通过至少部分地消除第一阻挡壁161的侧面和绝缘层115的表面之间的死角空间,后续的无机阻挡层163可以没有裂缝地形成在该区域中,从而完全封装显示区域。例如,在一些实施例中,无机阻挡层163没有裂缝地完全覆盖由第一阻挡壁161和裂缝防止层162一起形成的结构的侧面。

图3d是示出根据本公开的一些实施例中的位于第一阻挡壁上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。参照图1和图3d,在一些实施例中,显示基板还包括有机材料层142(例如,有机发光层)和阴极层143之一或组合,其位于无机阻挡层163的远离基底基板100的一侧、被第一阻挡壁161的侧面分离成不连续的部分。例如,图3d示出了第一部分p1、第二部分p2和第三部分p3被第一阻挡壁161的侧面分离成不连续的部分。第一部分p1位于第一阻挡壁161的远离基底基板100的一侧,第一部分p1在基底基板100上的正投影与第一阻挡壁161在基底基板100上的正投影至少部分地重叠。第二部分p2和第三部分p3位于无机阻挡层163的远离基底基板100的一侧,第二部分p2和第三部分p3在基底基板100上的正投影与第一阻挡壁161在基底基板100上的正投影实质上不重叠(例如,完全不重叠)。本文使用的术语“实质上不重叠”意即两个正投影至少50%(例如,至少60%、至少70%、至少80%、至少90%、至少95%、至少99%、以及100%)不重叠。

有机材料层142和阴极层143可以在用于形成显示区域da中的所述多个发光元件140的有机材料层142和阴极层143的相同处理中形成。例如,在一些实施例中,所述多个发光元件140的有机材料层142和阴极层143可以在开放掩膜沉积工艺中分别形成,在所述开放掩膜沉积工艺中,不使用掩膜板并且将目标材料沉积在基板的整个表面上。通过具有顶部宽底部窄的第一阻挡壁161,有机材料层142和阴极层143可以分离成不连续的部分。

可选地,有机材料层142包括以下各项中的至少一项:有机发光层、空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层、或所述多个发光元件140中的任意其它有机功能层。可选地,有机材料层142包括电子传输层和电子注入层中的至少一个,但是不包括有机发光层(其不在开放掩膜工艺中形成)。

参照图1,在一些实施例中,封装层150包括第一无机封装子层151、有机封装子层152和第二无机封装子层153。在一些实施例中,封装层150的至少一个无机子层从显示区域da延伸至周边区域pa中。在一个示例中,第一无机封装子层151和第二无机封装子层153从显示区域da延伸至周边区域pa中。可选地,第一无机封装子层151、有机封装子层152和第二无机封装子层153中的每一个从显示区域da延伸至周边区域pa中。可选地,封装层150的所述至少一个无机子层位于无机阻挡层163的远离基底基板100的一侧。可选地,封装层150的所述至少一个无机子层位于第一阻挡壁161的远离基底基板100的一侧。

在一个示例中,封装层150的所述至少一个无机子层(例如,第一无机封装子层151和第二无机封装子层153之一或两者)没有裂缝地完全覆盖无机封装层163的覆盖由第一阻挡壁和裂缝防止层一起形成的结构的侧面的部分。通过具有裂缝防止层162(包括第一裂缝防止子层162a和第二裂缝防止子层162b),第一阻挡壁161的侧面和绝缘层115的表面之间的成角空间可以被至少部分地填充。裂缝防止层162还使第一阻挡壁161在绝缘层115上稳定。通过至少部分地消除第一阻挡壁161的侧面和绝缘层115的表面之间的死角空间,后续的封装层150的无机子层可以没有裂缝地形成在该区域中,从而完全封装显示区域。例如,在一些实施例中,封装层150的所述至少一个无机子层没有裂缝地完全覆盖由第一阻挡壁161和裂缝防止层162一起形成的结构的侧面。

在一些实施例中,显示基板可以包括任意适当数量的阻挡壁,其各自形成实质上围绕一区域(例如,在图2a和图2b中讨论的窗口区域或显示区域)的围壁。可选地,显示基板可以包括总数量1至20的阻挡壁。在一些实施例中,如图1、图2a和图2b所示,显示基板还包括位于周边区域pa中并且位于绝缘层115的远离基底基板100的一侧的第二阻挡壁161'。第二阻挡壁161'形成实质上围绕第二区域ea2的第一围壁。可选地,第二区域ea2围绕第一区域ea1。

在一些实施例中,第二阻挡壁161'具有与第一阻挡壁161的结构类似的结构。图4a是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡壁的结构的示意图。图4b是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡壁和裂缝防止层的结构的示意图。图4c是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡壁、裂缝防止层和无机阻挡层的结构的示意图。图4d是示出根据本公开的一些实施例中的位于第二阻挡壁上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。参照图1、图4b至图4d,裂缝防止层162位于第二阻挡壁161'的侧面和绝缘层115的表面s之间的成角空间中。在一些实施例中,第二阻挡壁161'包括与绝缘层115接触的第二下部161'l和位于第二下部161'l的远离绝缘层115的一侧的第二上部161'u。可选地,第二上部161'u在基底基板100上的正投影覆盖第二下部161'l在基底基板100上的正投影。可选地,第二下部161'l的第三侧面ls3与绝缘层115的表面s形成第三成角空间as3,并且第二下部161'l的第四侧面ls4与绝缘层115的表面s形成第四成角空间as4。可选地,裂缝防止层162包括位于第三成角空间as3中的第三裂缝防止子层162c和位于第四成角空间as4中的第四裂缝防止子层162d。可选地,第三裂缝防止子层162c覆盖第二下部161'l的第三侧面ls3;并且,第四裂缝防止子层162d覆盖第二下部161'l的第四侧面ls4。

在一些实施例中,第二上部161'u的远离基底基板100的一侧宽于第二上部161'u的靠近基底基板100的一侧;并且,第二下部161'l的远离基底基板100的一侧宽于第二下部161'l的靠近基底基板100的一侧。可选地,第二阻挡壁161'的沿在从第三侧面ls3到第四侧面ls4的方向上的垂直于绝缘层115的平面的截面具有实质倒梯形形状。可选地,第二下部161'l、第三裂缝防止子层162c和第四裂缝防止子层162d一起形成具有远离基底基板100的一侧窄于靠近基底基板100的一侧的结构。可选地,第三裂缝防止子层162c相对于绝缘层115的表面s的高度不大于第二阻挡壁161'相对于绝缘层115的所述表面s的高度的一半;并且,第四裂缝防止子层162d相对于绝缘层115的表面s的高度不大于第二阻挡壁161'相对于绝缘层115的所述表面s的高度的一半。可选地,第一阻挡壁161和第二阻挡壁161'包括负性光刻胶材料;并且裂缝防止层162包括正性光刻胶材料。可选地,由第二阻挡壁161'、第三裂缝防止子层162c和第四裂缝防止子层162d形成的结构形成了具有两个凹壁侧面的组合壁。

在一些实施例中,无机阻挡层163实质上覆盖第一阻挡壁161、裂缝防止层162、第二阻挡壁161'、以及第一阻挡壁161与第二阻挡壁161'之间的任何区域。无机阻挡层163限于周边区域pa中。可选地,无机阻挡层163与第一阻挡壁161、裂缝防止层162、第二阻挡壁161'和绝缘层115直接接触。可选地,无机阻挡层163没有裂缝地完全覆盖由第二阻挡壁161'、第三裂缝防止子层162c和第四裂缝防止子层162d一起形成的结构的侧面。

在一些实施例中,有机材料层142和阴极层143之一或组合位于无机阻挡层的远离基底基板的一侧、被第二阻挡壁161'的侧面分离成不连续的部分。例如,图4d示出了第四部分p1'、第五部分p2'和第六部分p3'被第二阻挡壁161'的侧面分离成不连续的部分。第四部分p1'位于第二阻挡壁161'的远离基底基板100的一侧,第四部分p1'在基底基板100上的正投影与第二阻挡壁161'在基底基板100上的正投影至少部分地重叠。第五部分p2'和第六部分p3'位于无机阻挡层163的远离基底基板100的一侧,第五部分p2'和第六部分p3'在基底基板100上的正投影与第二阻挡壁161'在基底基板100上的正投影实质上不重叠(例如,完全不重叠)。

在一些实施例中,封装层150的至少一个无机封装子层(例如,第一无机封装子层151和第二无机封装子层153之一或两者)位于无机阻挡层163的远离基底基板100的一侧。可选地,封装层150的所述至少一个无机子层位于第二阻挡壁161'的远离基底基板100的一侧。可选地,封装层150的所述至少一个无机子层(例如,第一无机封装子层151和第二无机封装子层153之一或两者)没有裂缝地完全覆盖无机封装层163的覆盖由第二阻挡壁161'、第三裂缝防止子层162c和第四裂缝防止子层162d一起形成的结构的侧面的部分。通过具有裂缝防止层162(包括第三裂缝防止子层162c和第四裂缝防止子层162d),第二阻挡壁161'的侧面和绝缘层115的表面之间的成角空间可以被至少部分地填充。裂缝防止层162还使第二阻挡壁161'在绝缘层115上稳定。通过至少部分地消除第二阻挡壁161'的侧面和绝缘层115的表面之间的死角空间,后续的封装层150的无机子层可以没有裂缝地形成在该区域中,从而完全封装显示区域。例如,在一些实施例中,封装层150的所述至少一个无机子层没有裂缝地完全覆盖由第二阻挡壁161'、第三裂缝防止子层162c和第四裂缝防止子层162d一起形成的结构的侧面。

可选地,第一围壁和第二围壁中的每一个实质上围绕显示基板的窗口区域,并且显示基板具有贯穿窗口区域的孔以在其中安装附件。可以安装在窗口区域中的附件的示例包括:听筒、相机、光电传感器、距离传感器、红外传感器、指纹传感器、声学传感器、指示器、按钮、旋钮、或它们的任意组合。

在一些实施例中,第一阻挡壁161和第二阻挡壁161'中的每一个具有0.5μm至5μm范围内的厚度。可选地,第一阻挡壁161和第二阻挡壁161'中的每一个具有2μm至100μm范围内的宽度。

各种适当材料和各种适当制造方法可以用于制作第一阻挡壁161和第二阻挡壁161'。例如,可以通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺或溅射工艺(例如,磁控溅射工艺)沉积绝缘材料。随后,例如通过光刻工艺对沉积的绝缘材料进行构图。可选地,第一阻挡壁161和第二阻挡壁161'中的每一个由负性光刻胶材料制成。可以通过以下步骤来形成第一阻挡壁161和第二阻挡壁161':在周边区域中并且在绝缘层的远离基底基板的一侧形成负性光刻胶材料层;以及对负性光刻胶材料层进行构图,以形成第一阻挡壁和第二阻挡壁。由于负性光刻胶材料的属性,负性光刻胶材料的曝光和显影导致第一阻挡壁161或第二阻挡壁161'的底切轮廓,例如,第一阻挡壁161或第二阻挡壁161'的远离基底基板100的一侧宽于第一阻挡壁161或第二阻挡壁161'的靠近基底基板100的一侧。

各种适当材料和各种适当制造方法可以用于制作裂缝防止层162。例如,可以通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺或溅射工艺(例如,磁控溅射工艺)沉积绝缘材料。随后,例如通过光刻工艺对沉积的绝缘材料进行构图。可选地,裂缝防止层162由正性光刻胶材料制成。可以通过以下步骤形成裂缝防止层162:在第一阻挡壁的远离基底基板的一侧形成正性光刻胶材料层;以及对正性光刻胶材料层进行构图以形成裂缝防止层。正性光刻胶材料层形成为填充在成角空间中。由于第一阻挡壁161的底切轮廓,填充在成角空间中的正性光刻胶材料未被暴露或被不充分地暴露。在正性光刻胶材料层的显影期间,保留成角空间中的正性光刻胶材料,而在对正性光刻胶材料层进行构图期间,移除除位于第一阻挡壁161的侧面和绝缘层115的表面s之间的成角空间中的部分外的正性光刻胶材料层,从而形成裂缝防止层162。

在一些实施例中,无机阻挡层163具有10nm至3μm的范围内的厚度。各种适当材料和各种适当制造方法可以用于制作无机阻挡层163。例如,可以通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺或溅射工艺(例如,磁控溅射工艺)沉积绝缘材料。随后,例如通过光刻工艺对沉积的绝缘材料进行构图。用于制作无机阻挡层163的适当绝缘材料的示例包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、以及它们的任意组合。

参照图1,在一些实施例中,显示基板还包括:位于基底基板100上的阻挡层101、以及位于显示区域da中且位于阻挡层的远离基底基板100的一侧的多个薄膜晶体管。所述多个薄膜晶体管中的对应一个包括:有源层110,其位于阻挡层101上;第一栅绝缘层111,其位于有源层110的远离基底基板100的一侧;栅电极112,其位于第一栅绝缘层111的远离基底基板100的一侧;绝缘层115,其位于栅电极112的远离基底基板100的一侧;源电极121和漏电极122,其位于绝缘层115的远离基底基板100的一侧。可选的,显示基板还包括位于第一栅绝缘层111和绝缘层115之间的第二栅绝缘层113。可选的,显示基板还包括第一电极112’和第二电极114。第二栅绝缘层113将第一电极112’和第二电极114彼此分开。第一电极112’,第二栅绝缘层113,及第二电极114形成一个电容。

所述多个发光元件140中的对应一个包括:阳极132;发光层141,其位于阳极132上;有机材料层142,其位于发光层141的远离基底基板100的一侧;阴极层143,其位于有机材料层142的远离基底基板100的一侧。可选地,有机材料层142和阴极层143可以以开放掩膜工艺形成。

在一些实施例中,显示基板还包括:平坦化层131,其位于所述多个薄膜晶体管的远离基底基板100的一侧。阳极132通过贯穿平坦化层131的过孔与所述多个薄膜晶体管中的对应一个的漏电极122电连接。

在一些实施例中,显示基板还包括:像素限定层133,其位于平坦化层131的远离基底基板100的一侧。像素限定层133限定用于容纳发光层141的多个子像素孔。

在一些实施例中,显示基板还包括:位于像素限定层133上的间隔件134。

可选地,利用相同掩膜板在相同构图工艺中形成裂缝防止层162和平坦化层131,利用相同绝缘材料在相同层中形成裂缝防止层162和平坦化层131。本文使用的术语“相同层”指的是在相同步骤中同时形成的各层之间的关系。在一个示例中,当裂缝防止层162和平坦化层131作为在相同材料层中执行的相同构图工艺的一个或多个步骤的结果而形成时,它们位于相同层。在另一个示例中,可以通过同时执行形成裂缝防止层162的步骤和形成平坦化层131的步骤而将裂缝防止层162和平坦化层131形成在相同层。术语“相同层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。

可选地,利用相同掩膜板在相同构图工艺中形成裂缝防止层162和像素限定层133,利用相同绝缘材料在相同层中形成裂缝防止层162和像素限定层133。

可选地,利用相同掩膜板在相同构图工艺中形成裂缝防止层162和间隔件134,利用相同绝缘材料在相同层中形成裂缝防止层162和间隔件134。

另一方面,本公开提供了一种制造具有显示区域和周边区域的显示基板的方法。在一些实施例中,所述方法包括:在基底基板上且在显示区域中形成多个发光元件;在所述多个发光元件的远离基底基板的一侧形成封装层,用于封装所述多个发光元件;在基底基板上形成绝缘层;在周边区域中并且在绝缘层的远离基底基板的一侧形成第一阻挡壁,第一阻挡壁形成实质上围绕第一区域的第一围壁;以及在第一阻挡壁的侧面和绝缘层的表面之间的成角空间中形成裂缝防止层。

在一些实施例中,形成第一阻挡壁包括:在周边区域中并且在绝缘层的远离基底基板的一侧形成负性光刻胶材料层;以及对负性光刻胶材料层进行构图,以形成第一阻挡壁。可选地,第一阻挡壁形成为使得第一阻挡壁的远离基底基板的一侧宽于第一阻挡壁的靠近基底基板的一侧。

在一些实施例中,形成裂缝防止层包括:在第一阻挡壁的远离基底基板的一侧形成正性光刻胶材料层;以及对正性光刻胶材料层进行构图以形成裂缝防止层。可选地,在对正性光刻胶材料层进行构图期间,移除除位于第一阻挡壁的侧面和绝缘层的表面之间的成角空间中的部分外的正性光刻胶材料层,从而形成裂缝防止层。

在一些实施例中,所述方法还包括:冲压贯穿显示基板的孔,以形成窗口区域。可选地,第一围壁实质上围绕窗口区域。可选地,通过机械处理、激光和蚀刻处理中的任一个或任意组合来执行冲压孔。在形成封装层之后,执行冲压孔的步骤。

在一些实施例中,第一阻挡壁形成为包括与绝缘层接触的第一下部和位于第一下部的远离绝缘层的一侧的第一上部。第一下部的侧面形成为被裂缝防止层覆盖,并且第一上部的侧面形成为不存在裂缝防止层。第一上部在基底基板上的正投影覆盖第一下部在基底基板上的正投影。第一下部的第一侧面与绝缘层的表面形成第一成角空间。第一下部的第二侧面与绝缘层的所述表面形成第二成角空间。

在一些实施例中,第一阻挡壁形成为使得第一上部的远离基底基板的一侧宽于第一上部的靠近基底基板的一侧;并且,第一下部的远离基底基板的一侧宽于第一下部的靠近基底基板的一侧。可选地,第一阻挡壁的沿在从第一侧面到第二侧面的方向上的垂直于绝缘层的平面的截面具有实质倒梯形形状。

在一些实施例中,裂缝防止层形成为包括位于第一成角空间中的第一裂缝防止子层和位于第二成角空间中的第二裂缝防止子层。可选地,第一裂缝防止子层形成为覆盖第一下部的第一侧面。可选地,第二裂缝防止子层形成为覆盖第一下部的第二侧面。可选地,第一下部、第一裂缝防止子层和第二裂缝防止子层形成为一起构成具有远离基底基板的一侧窄于靠近基底基板的一侧的结构。可选地,裂缝防止层形成为使得第一裂缝防止子层相对于绝缘层的表面的高度不大于第一阻挡壁相对于绝缘层的表面的高度的一半,并且第二裂缝防止子层相对于绝缘层的表面的高度不大于第一阻挡壁相对于绝缘层的表面的高度的一半。

在一些实施例中,所述方法还包括:形成覆盖第一阻挡壁和裂缝防止层的无机阻挡层。无机阻挡层限于周边区域中。可选地,无机阻挡层形成为与第一阻挡壁、裂缝防止层和绝缘层直接接触。可选地,无机阻挡层形成为没有裂缝地完全覆盖由第一阻挡壁和裂缝防止层一起形成的结构的侧面。

在一些实施例中,所述方法还包括:在无机阻挡层的远离基底基板的一侧形成有机材料层和阴极层之一或组合,其被第一阻挡壁的侧面分离成不连续的部分。

在一些实施例中,所述方法还包括:形成封装层以封装所述多个发光元件。可选地,封装层的至少一个无机子层形成为从显示区域延伸至周边区域中。可选地,封装层的所述至少一个无机子层形成在无机阻挡层的远离基底基板的一侧。可选地,封装层的所述至少一个无机子层形成为没有裂缝地完全覆盖无机阻挡层的覆盖由第一阻挡壁和裂缝防止层一起形成的结构的侧面的部分。

在一些实施例中,所述方法还包括:在周边区域中并且在绝缘层的远离基底基板的一侧形成第二阻挡壁,第二阻挡壁形成实质上围绕第二区域的第二围壁。

图5a至图5f示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。参照图5a,在绝缘层115上形成负性光刻胶材料层16,利用第一掩膜板mp1曝光负性光刻胶材料层16,第一掩膜板mp1的与第一阻挡壁161对应的区域是透光的,并且第一掩膜板mp1的与第一阻挡壁161以外部分对应的区域是遮光的。随后,对曝光的负性光刻胶材料层16进行显影。

参照图5b,由于负性光刻胶材料的属性,负性光刻胶材料的曝光和显影导致第一阻挡壁161的底切轮廓,例如,第一阻挡壁161的远离基底基板100的一侧宽于第一阻挡壁161的靠近基底基板100的一侧。

参照图5c,随后,在显示基板上形成正性光刻胶材料层17。利用第二掩膜板mp2曝光正性光刻胶材料层17,第二掩膜板mp2的与第一阻挡壁161对应的区域是遮光的,并且第二掩膜板mp2的与第一阻挡壁161以外部分对应的区域是透光的。随后,对曝光的正性光刻胶材料层17进行显影。

参照图5d,移除除了第一成角空间as1和第二成角空间as2中的正性光刻胶材料以外的正性光刻胶材料,因为这些空间中的正性光刻胶材料未暴露于光。形成了包括位于第一成角空间as1中的第一裂缝防止子层162a和位于第二成角空间as2中的第二裂缝防止子层162b的裂缝防止层162。

参照图5e,形成无机阻挡层163以覆盖第一阻挡壁161和裂缝防止层162。无机阻挡层163形成为与第一阻挡壁161、裂缝防止层162和绝缘层115直接接触。无机阻挡层163没有裂缝地完全覆盖由第一阻挡壁161和裂缝防止层162一起形成的结构的侧面。

参照图5f,在开放掩膜工艺期间,在基底基板100上沉积有机材料层142和阴极层143之一或组合。在周边区域中,有机材料层142和阴极层143形成于无机阻挡层163的远离基底基板100的一侧、被第一阻挡壁161的侧面分离成不连续的部分(p1、p2和p3)。

参照图1,在显示基板上形成封装层150。第一无机封装子层151和第二无机封装子层153形成为从显示区域da延伸至周边区域pa中。在周边区域pa中,第一无机封装子层151和第二无机封装子层153形成于无机阻挡层163的远离基底基板100的一侧。

另一方面,本公开提供了一种显示设备,其包括本文所述的或通过本文所述方法制造的显示基板以及与显示基板连接的一个或多个集成电路。可选地,显示设备包括显示面板。可选地,显示面板包括本文所述的或者通过本文所述的方法制造的显示基板、以及对置基板。适当显示设备的示例包括但不限于:电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相框、gps等。可选地,所述显示设备还包括与显示面板连接的一个或多个集成电路。

出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此,上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然,许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用,从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定,其中除非另有说明,否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此,术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例,并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制,并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外,这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制,除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是,本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外,本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的,无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。

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