用于监测纳米结构的方法与流程

本发明的实施例关于用于使用带电粒子束来监测纳米结构的系统、方法，及计算机存储介质。

背景技术：

多图案化(或多重图案化)在维基百科中被定义为用于制造集成电路的一种类型的技术，该技术被开发以用于光刻而增进特征密度。预期到对于即将到来的10nm和7nm的节点的半导体工艺和更高阶的工艺为必需的。前提是：单次的光刻曝光可能不足以提供足够的分辨率。因此，将会需要额外的曝光，否则使用蚀刻的特征侧壁(使用间隔物)来定位图案会是必需的。

在间隔物图案化中，间隔物是形成在预先图案化的特征的侧壁上的薄膜层。间隔物是通过以下来形成：在先前的图案上沉积薄膜(或反应出薄膜)，然后进行蚀刻以去除在水平表面上的所有的薄膜材料，仅在侧壁上留下材料。通过去除原始的图案化特征，仅将间隔物留下。然而，因为每条线具有二个间隔物，所以线密度(linedensity)现在已经增加了一倍。这通常被称为自对准双重图案化(self-aligneddoublepatterning,sadp))。例如，间隔物技术适用于：在原始的光刻间距的一半处限定窄闸门(narrowgate)。

因为间距分割(pitchsplitting)由于不同的暴露的部分之间的特征位置的可能的差异已变得更加困难，侧壁图像转移(sit)已经变得更加地被认为是必要的方法。sit方法通常需要在蚀刻的特征的侧壁上形成间隔物层。若此间隔物对应于导电特征，则最终必须在不少于两个位置处进行切割以将该特征分成二条或更多条导电线(如同通常预期的那样)。在另一方面，若间隔物对应于介电特征，则不需要进行切割。

间隔物可能遭受有问题的临界尺寸均匀性和间距摆动(pitchwalking)。

当重复sadp时，达成间距的额外的减半。这常被称为自对准四重图案化(self-alignedquadruplepatterning,saqp))。

越来越需要提供用于监测通过多图案化处理来制造的纳米结构的有效的方法。

技术实现要素：

发明内容并非旨在限制权利要求的范围。

可以提供一种用于监测通过多图案化处理来形成的第一纳米结构的方法，该方法可包含：(a)执行第一多个测量以提供第一多个测量结果；其中执行该第一多个测量包含：由具有不同的倾斜角的倾斜的带电粒子束来照射该第一纳米结构的第一侧壁的第一多个位置；以及(b)通过硬件处理器来处理该第一多个测量结果以确定该第一纳米结构的第一属性。

可以提供一种存储程序指令的计算机存储介质，该程序指令被配置以在处理器上执行时进行以下步骤：接收从第一多个测量中获得的第一多个测量结果，该第一多个测量包含：由具有不同的倾斜角的倾斜的带电粒子束来照射第一纳米结构的第一侧壁的第一多个位置；以及处理该第一多个测量结果以确定该第一纳米结构的第一属性。

可以提供一种包含至少处理器和具有存储于其上的程序指令的存储器的系统，该处理器被配置以当执行该程序指令时进行以下步骤：接收从第一多个测量获得的第一多个测量结果，该第一多个测量包含：由具有不同的倾斜角的倾斜的带电粒子束来照射第一纳米结构的第一侧壁的第一多个位置；以及处理该第一多个测量结果以确定该第一纳米结构的第一属性。

附图说明

在说明书的结论部分中特别地指出并清楚地要求保护被认为是本发明的申请标的。然而，当连同随附附图来阅读时，通过参照后续的具体实施方式可以最佳地理解本发明(其中针对于组织和操作的方法二者，以及目标、特征及其优点)，其中在该等附图中：

图1是在理想的间隔物上和在非理想的间隔物上施行的saqp处理的各个步骤的示例；

图2是非理想的间隔物的示例；

图3是非理想的间隔物的模型的示例；

图4是非理想的间隔物的模型的示例；

图5示例说明方法的示例；

图6是系统的示例；并且

图7是系统的示例。

具体实施方式

在后续的具体实施方式中，许多的特定的细节被阐述以为了提供本发明的透彻的理解。然而，本领域技术人员将理解到可以在没有这些特定的细节的情况下实现本发明。在其他实例中，熟知的方法、程序及组件未被详细地描述，以为了不混淆本发明。

将理解到：为了说明的简单和清楚起见，在附图中所显示的组件并不必然地按照比例来绘制。举例而言，为了清楚起见，组件中的一些的尺寸可相对于其他的组件被放大。此外，在认为适当的情况下，附图标记可以在附图中重复以指示相对应或相类似的组件。

因为本发明的示例说明的实施例可以在大部分的情况下使用对于本领域技术人员而言熟知的电子组件和电路来实现，将不会以与如同在前文中说明般地认为必要的程度相比任何更大的程度上对细节进行解释，以便于理解和了解本发明的基本观念，以及为了不混淆或分散本发明的教示。

在说明书中对于方法的任何的引用应加以必要的修正适用于能够执行该方法的系统且应加以必要的修正适用于存储指令的非暂时性的计算机可读取介质，该指令一旦由计算机执行就会导致执行该方法。

在说明书中对于系统的任何的引用应加以必要的修正适用于可由系统执行的方法且应加以必要的修正适用于存储可由系统执行的指令的非暂时性的计算机可读取介质。

在说明书中对于非暂时性的计算机可读取介质的任何的引用应加以必要的修正适用于能够执行存储在非暂时性的计算机可读取介质中的指令的系统且应加以必要的修正适用于可由读取存储在非暂时性的计算机可读取介质中的指令的计算机执行的方法。

术语“包含(comprising)”与“包括(including)”、“含有(containing)”或“具有(having)”同义(意思相同)并且具有包含性或为开放式的，并且不排除额外的、未被引述的组件或方法步骤。

术语“由......组成(consisting)”是封闭的(仅包含确切地阐述的内容)并且排除任何的额外的、未被引述的组件或方法步骤。

术语“基本上由......组成(consistingessentiallyof)”将范围限制于指定的材料或步骤，以及不会实质地影响基本和新颖的特性的那些。

在权利要求和说明书中，对于词汇“包含(comprising)”(或“包括(including)”或“含有(containing)”)的任何的引用应加以必要的修正适用于术语“由......组成(consisting)”且应加以必要的修正适用于词组“基本上由......组成(consistingessentiallyof)”。

提供了一种用于评估通过多图案化处理来制造的纳米结构的方法和计算机程序产品。

该评估可包含：

a.执行多个测量以提供多个测量结果。在沿着纳米结构的一个或多个侧壁的不同的位置处，以及在不同的照射角度下获得多个测量。不同的照射角度是倾斜角度，并且照射可以不包含垂直照射。步骤(a)可包含：获取纳米结构的倾斜图像。

b.处理多个测量结果以确定纳米结构的属性。

纳米结构可从其环境突出，或可以是腔。

纳米结构的属性可以与纳米结构的任何的边缘、纳米结构的任何的侧壁、在多个纳米结构之间的空间关系或在单个纳米结构的不同的部分之间的任何的空间关系相关。属性的非限制性的示例包含：边缘粗糙度、任何的边缘相关的统计、侧壁倾斜、任何的侧壁倾斜相关的统计、侧壁高度、任何的侧壁高度统计、任何的腔的深度、与预期值之间的偏差等等。纳米结构的属性可以是：尺寸属性、形状属性或形状属性和尺寸属性的组合。

图1示例说明第一理想的间隔物411、第二理想的间隔物421、第三理想的间隔物431以及第四理想的间隔物441的示例。第一理想的间隔物至第四理想的间隔物被沉积在顶部心轴302上，而顶部心轴302又被定位在底部心轴301上。间隔物在它们没有错误的情况下是理想的，每一间隔物具有均匀且水平的顶表面，并且每一间隔物具有垂直和均匀的侧壁。

图1也示例说明离子蚀刻处理的结果，该离子蚀刻处理施行在第一腔450、第二腔460以及第三腔470的在底部心轴301的形成中的第一理想的间隔物至第四理想的间隔物上。第一腔至第三腔是均匀的且彼此间均匀地间隔开。

图1也示例说明：第一非理想的间隔物320、第二非理想的间隔物330、第三非理想的间隔物340以及第四非理想的间隔物350的示例。第一非理想的间隔物至第四非理想的间隔物被沉积在顶部心轴302上，顶部心轴302被沉积在底部心轴301上。间隔物在每一非理想的间隔物具有弯曲的顶表面的情况下是非理想的。间隔物也可能遭受高度的不均匀性、边缘粗糙度等等。

在第三非理想的间隔物340与第四非理想的间隔物350之间的第一间隙321是由第三非理想的间隔物340和第四非理想的间隔物350的侧壁形成。

第二非理想的间隔物330的弯曲的顶表面331和第三非理想的间隔物340的弯曲的顶表面341面向第二间隙322。

在第一非理想的间隔物320与第三非理想的间隔物340之间的第三间隙323是由第一非理想的间隔物320和第三非理想的间隔物340的边线来形成。

第二间隙322允许通过从第三非理想的间隔物340和第二非理想的间隔物330的弯曲的顶表面散射的离子来铣削(milling)顶部心轴302和底部心轴301。

因此，来自第二角度范围的离子束312可穿过第二间隙322，而来自第一角度范围(其小于第二角度范围)的离子束311可穿过第一间隙321。

在第一角度范围和第二角度范围之间的差异引入了形成在底部心轴301的腔360和370的形状和尺寸之间的差异。

尽管图1将非理想的间隔物示例说明为包含垂直的侧壁–但通常不是这种情况，并且非理想的间隔物的侧壁可能倾斜且可能遭受顶部边缘粗糙、底部边缘粗糙，以及侧壁高度变化。

图2示例说明非理想的间隔物(例如，第一间隔物20和第二间隔物30)的示例。图2也示例说明：在第一间隔物20与第二间隔物30之间的间隙。

第一间隔物20包含：(a)第一左侧壁21，(b)第一顶表面22，(c)第一右侧壁23，(d)由第一左侧壁21和第一顶表面22限定的第一左顶部边缘25，(e)限定在第一左侧壁21与顶部心轴302之间的第一左底部边缘24，(f)限定在第一顶表面22与第一右侧壁23之间的第一右顶部边缘26，以及(g)限定在第一右侧壁23与顶部心轴302之间的第一右底部边缘27。

第一左侧壁21是倾斜的并且具有不均匀的高度。第一左侧壁21的不均匀的高度是由于第一左顶部边缘25的粗糙度和第一左底部边缘24的粗糙度。

第一右侧壁23是倾斜的并且具有不均匀的高度。第一右侧壁23的不均匀的高度是由于右顶部边缘26的粗糙度和第一右底部边缘27的粗糙度。

第二间隔物30包含：(a)第二左侧壁31，(b)第二顶表面32，(c)第二右侧壁33，(d)由第二左侧壁31和第二顶表面32限定的第二左顶部边缘35，(e)限定在第二左侧壁31与顶部心轴302之间的第二左底部边缘35，(f)限定在第二顶表面32与第二右侧壁33之间的第二右顶部边缘36，以及(g)限定在第二右侧壁33与顶部心轴302之间的第二右底部边缘37。

第二左侧壁31是倾斜的并且具有不均匀的高度。第二左侧壁31的不均匀的高度是由于第二左顶部边缘35的粗糙度和第二左底部边缘34的粗糙度。

第二右侧壁33是倾斜的并且具有不均匀的高度。第二右侧壁33的不均匀的高度是由于第二右顶部边缘36的粗糙度和第二右底部边缘37的粗糙度。

在第一间隔物20与第二间隔物30之间的间隙的宽度是不均匀的–由于第一右侧壁23和第二左侧壁31中的每一个的倾斜和不均匀性。

图2示例说明第一左侧壁21的两个高度测量51、第一右侧壁23的一个高度测量52、第二左侧壁31的一个高度测量61以及第二右侧壁33的四个高度测量62。

应注意到：(a)可以对于第一间隔物和第二间隔物的侧壁中的每一个执行多次的高度测量，(b)对于每个侧壁进行的高度测量的次数可以是任何的整数，(c)对于所有的侧壁进行的高度测量的次数可以是相同的，(d)对于一个侧壁进行测量的次数可多于另一个侧壁，(e)不同的高度测量之间的间距可以相同或者可以彼此不相同。

应注意到：任何的高度测量可能受到侧壁的倾斜的影响。当侧壁的倾斜为未知时，则可以从不同的角度测量侧壁–通过利用具有不同的照射角度的带电粒子束来照射侧壁。

图2进一步地示例说明：在第一右底部边缘27与第二左底部边缘34之间的两个距离测量56，以及在第一右顶部边缘26与第二左顶部边缘35之间的两个距离测量55。

图3示例说明第一间隔物20的梯形模型20’。梯形模型20’包含：左侧壁21’、顶表面22’以及右侧壁23’。左侧壁21’和右侧壁23’二者都具有正角度–它们远离模型的中心倾斜。

在第一测量期间，通过具有第一倾斜角(角度171)的第一电子束91来照射右侧壁23’的某个位置。第一测量的结果是第一右侧壁高度值81。

在第二测量期间，通过具有第二倾斜角(角度272)的第二电子束92来照射右侧壁23’的某个位置。第二测量的结果是第二右侧壁高度值82。

第一倾斜角(角度171)小于第二倾斜角(角度272)。

右侧壁23’在某个位置处的高度可被计算为以下二者之间的比例：(a)第二右侧壁高度值与第一右侧壁高度值之间的差以及(b)第二倾斜角与第一倾斜角之间的差。

可基于第一右侧壁高度值、第二右侧壁高度值、第一倾斜角以及第二倾斜角计算出右侧壁23’的倾斜73。

假设：第一右侧壁高度值以v1表示，第二右侧壁高度值以v2表示，则

倾斜＝acrtang([v1*tangent(角度2)-v2*tangent(角度1)]/[v2-v1])。

图4也示例说明第一间隔物20的梯形模型20’。而图3示例说明右侧壁23’的照射–图4示例说明左侧壁21’的照射。

在第三测量期间，通过具有第三倾斜角(角度371’)的第三电子束91’来照射左侧壁21’的某个位置。第三测量的结果是第一左侧壁高度值81’。

在第四测量期间，通过具有第四倾斜角(角度472’)的第四电子束92’来照射左侧壁21’的某个位置。第四测量的结果是第二左侧壁高度值82’。

第三倾斜角(角度371’)小于第四倾斜角(角度472’)。

左侧壁21’在某个位置处的高度可被计算为以下二者之间的比例：(a)第二左侧壁高度值与第一左侧壁高度值之间的差以及(b)第四倾斜角与第一倾斜角之间的差。

可以基于第一左侧壁值、第二左侧壁高度值、第三倾斜角以及第四倾斜角来计算出左侧壁21’的倾斜73’。

假设：第一左侧壁高度值以v1’表示，第二左侧壁高度值以v2’表示，则倾斜＝acrtang([v1’*tangent(角度4)-v2’*tangent(角度3)]/[v2’-v1’])。

图5示例说明方法400的示例。

方法400是用于监测通过多图案化处理形成的第一纳米结构。多图案化处理可以是sapd、sadq或任何其他多图案化处理。

方法400可由执行第一多个测量以提供第一多个测量结果的步骤410作为开始。

步骤410可包含：通过具有不同的倾斜角的倾斜的带电粒子束来照射第一纳米结构的第一侧壁的第一多个位置。参见(例如)图3。

应注意到：可以照射整个第一侧壁–或可以照射第一侧壁的至少多个位置。每个位置应从不同的方向照射。

倾斜的带电粒子束可以不超过相对于纳米结构的上表面5度、10度、15度、20度、25度、30度、35度、40度、45度、50度、55度、60度、65度，及70度中的任一数目的角度来定向。

第一侧壁的第一多个位置的照射之后是带电粒子和/或光子从第一侧壁发射。带电粒子和/或光子由一个或多个检测器来检测。处理一个或多个检测器的检测信号以产生倾斜图像。

一个或多个检测器可被定位在带电粒子柱内部和/或被设置在带电粒子柱外部。这些一个或多个检测器可以是次级电子检测器、背向散射电子检测器、x射线检测器等等。

步骤410之后可以是：通过硬件处理器来处理第一多个测量结果以确定第一纳米结构的第一属性的步骤420。

尽管相关于单个纳米结构的单个侧壁来示例说明步骤410和420–应注意到：可以在一个或多个纳米结构的多个侧壁施行步骤410和420。

例如–步骤410可包含：执行第二多个测量以提供第二多个测量结果，其中执行第二多个测量包含：由具有不同的倾斜角的倾斜的带电粒子束来照射第二纳米结构的第二侧壁的第二多个位置。步骤420可包含：通过硬件处理器来处理第二多个测量结果以确定第二纳米结构的第一属性。

针对又另一示例而言–步骤410可包含：执行第三多个测量以提供第三多个测量结果，其中执行第三多个测量包含：由具有不同的倾斜角的倾斜的带电粒子束来照射第一纳米结构的第二侧壁的第三多个位置。步骤420可包含：通过硬件处理器来处理第三多个测量结果以确定第一纳米结构的第二属性。

第一属性和第二属性可意指为：任何的纳米结构和/或纳米结构之间的空间关系。

纳米结构的第一属性和/或第二属性可与纳米结构的任何边缘、纳米结构的任何侧壁、多个纳米结构之间的空间关系、纳米结构的不同的部分之间的任何空间关系相关。属性的非限制性的示例包含：边缘粗糙度、任何边缘相关的统计、侧壁倾斜、任何侧壁倾斜相关的统计、侧壁高度、任何侧壁高度统计。纳米结构的属性可以是尺寸属性和/或形状属性。

处理可涉及到执行空间频率转换–用于将位置信息(例如-沿着某个边缘的像素的位置)转换到空间频率域并且基于通过空间频率转换产生的光谱(或光谱的部分)来提供第一属性和/或第二属性(例如，边缘粗糙度)。

步骤410可包含：接收从第一多个测量获得的第一多个测量结果，该第一多个测量包含：由具有不同的倾斜角的倾斜的带电粒子束来照射第一纳米结构的第一侧壁的第一多个位置。

图6是系统120和晶片130的示例。晶片130包含多个纳米结构。

系统120是带电粒子装置(例如，扫描电子显微镜)。系统120包含：柱121、外部电子检测器125、处理器127、机械台129、存储器单元500以及控制器510。

系统120可包含为了简化说明而未示出的其他组件。其他组件可包含：真空腔室、光学显微镜，以及各种柱内检测器(in-columndetector)等等。任何的检测器可以是：次级电子检测器、背向散射电子检测器、edx检测器等等。

控制器510被配置以控制系统120的操作。

机械台129支撑晶片130并且可相对于柱121移动晶片130。

柱121被配置以产生初级电子束、电偏转初级电子束以及(使用一个或多个检测器)检测从晶片130发射的电子。

柱121被示例说明为包含电子源122、电子光学器件123以及柱内电子检测器124。电子光学器件可偏转初级电子束，使得初级电子束成形等等。电子光学器件的组件可包含：偏振器、偏转器、准直器等等。

初级电子束141相对于晶片130为倾斜的(倾斜角度)。在图6中，通过使得柱121倾斜来获得倾斜。

外部电子检测器125被定位在柱121与晶片130之间。

来自外部电子检测器125和柱内电子检测器124的检测信号被馈送至处理器127。

处理器127可接收来自其他的检测器的检测信号。

处理器127可执行方法400的步骤420。

处理器127可被包含在系统120中，或可位于另一个计算机化系统中。处理器127可代表系统120的处理组件和其他的计算机化系统的处理组件的组合。

存储器单元510可存储以下中的至少一个：(a)信息(例如，检测信号、属性等等)，以及(b)程序指令。

程序指令可包含：程序指令，该程序指令被配置以当在处理器(例如，处理器127)上执行时进行以下步骤：接收从第一多个测量获得的第一多个测量结果，该第一多个测量包含：由具有不同的倾斜角的倾斜的带电粒子束来照射第一纳米结构的第一侧壁的第一多个位置；以及处理该第一多个测量结果以确定该第一纳米结构的第一属性。程序指令可由未被包含在系统120中的处理器来执行。

控制器510和处理器127可以是或可包含一个或多个硬件处理器(例如，图像处理器、通用处理器等等)。

图7是系统120’和晶片130的示例。晶片130包含多个纳米结构。

尽管在图6中通过机械倾斜来获得倾斜–在图7中使用偏转来获得倾斜。应注意到：可以使用机械倾斜和电子光学器件倾斜二者来获得初级电子束的倾斜

图7的系统120’与图6的系统120不同之处在于：

a.具有与晶片130垂直的柱121。

b.包含一对偏转器，该对偏转器使得初级电子束双重地偏转，以使得初级电子束以倾斜角度撞击在晶片130上。

该对偏转器包含：定位在柱121内的上偏转器126，以及定位在柱121与晶片130之间的下偏转器128。

应注意到图6的系统120和图7的系统120’可包含任何数目的偏转器。

在前文中所述的方法中的任何一个也可被实施在计算机程序中，用于在计算机系统上运行，该计算机程序至少包含代码部分，该代码部分用于当在可程序化设备(例如，计算机系统)上运行时执行根据本发明的方法的步骤，或者致使可程序化设备执行根据本发明的装置或系统的功能。计算机程序可使得存储系统将磁盘驱动器分配给磁盘驱动器组。

计算机程序是指令的列表(例如：特定的应用程序和/或操作系统)。计算机程序可(例如)包含以下中的一个或多个：子例程、函数、程序、目标方法、目标实现、可执行的应用程序、小程序(applet)、小型应用程序、源代码、目标代码、共享的函式库/动态加载函式库，和/或经设计以用于在计算机系统上执行的其他序列的指令。

计算机程序可以内部存储在非暂时性的计算机可读取介质上。在永久地、可移除地或远程地耦接至信息处理系统的计算机可读取介质上提供计算机程序中的所有或一些。计算机可读取介质可包含(例如且不限于)任何数目的以下各项：包含磁盘和磁带存储介质的磁性存储介质；光学存储介质(诸如光盘介质(例如，cd-rom、cd-r等等))和数字视频磁盘存储介质；包含基于半导体的存储器单元的非易失性存储器存储介质(例如：flash存储器、eeprom、eprom、rom)；铁磁性数字存储器；mram；包含缓存器、缓冲或快取、主存储器、ram等等的易失性存储介质。计算机程序通常包含：执行(运行)程序或程序的一部分、当前的程序值和状态信息以及由操作系统使用以管理程序的执行的资源。操作系统(os)是管理计算机的资源的共享并且为程序员提供被使用以存取那些资源的界面的软件。操作系统处理系统数据和用户输入，并且通过分配和管理任务和内部系统资源来响应以作为对于用户和系统的程序的服务。计算机系统可例如包含：至少一个处理单元、相关联的存储器以及一些输入/输出(i/o)装置。当执行计算机程序时，计算机系统根据计算机程序处理信息并且通过i/o装置来产生结果输出信息。

在前面的说明书中，已经参考本发明的实施例的特定的示例来描述本发明。然而，将为显而易见的是：在不偏离如同在随附的权利要求中阐述的本发明的更广泛的精神和范围的情况下，可以在其中进行各种修改和改变。

此外，在说明书中和在权利要求中的术语“前面(front)”、“后面(back)”、“顶部(top)”、“底部(bottom)”、“上方(over)”、“下方(under)”等等(若有的话)被使用以用于描述性目的并且不必然地用于描述永久的相对位置。理解到如此使用的术语在适当的情况下是可互换的，以使得在本文中描述的本发明的实施例例如能够以与本文所示的或以其他的方式描述的那些方向不同的其他方向来进行操作。

本领域技术人员将认识到在逻辑框之间的界限仅为示例说明性的，并且替代性的实施例可以将逻辑框或电路组件合并或对于各种逻辑框或电路组件施行功能进行替代的分解。因此，应理解到本文描述的架构仅为示例性的，并且实际上可实现达成相同的功能的许多的其他的架构。

用以达成相同的功能的组件的任何的布置是有效地“关联的(associated)”，以使得达成所期望的功能。因此，在此被组合以达成特定的功能的任何两个组件可以被视为彼此“相关联(associatedwith)”，以使得达成所期望的功能，而无关于架构或中间组件。同样地，如此关联的任何两个组件也可被视为彼此“可操作地连接(operablyconnected)”或“可操作地耦合(operablycoupled)”以达成所期望的功能。

此外，本领域技术人员将认识到在前文中描述的操作之间的界限仅为示例说明性的。多个操作可被组合为单个操作，单个操作可分散于额外的操作，并且可在时间上至少部分重叠地执行操作。此外，替代性的实施例可包含特定的操作的多个实例，并且可以在各种其他的实施例中改变操作的顺序。

而且，例如，在实施例中，所示例说明的示例可被实现为位于单个集成电路上或位于相同的装置内的电路。可替代性地，示例可被实现为以适当的方式彼此互连的任何数目的单独的集成电路或单独的装置。

而且，例如，示例或其部分可被实现为物理电路的软表示或代码表示或可转换为物理电路的逻辑表示(例如在任何的适当的类型的硬件描述语言中)的软表示或代码表示。

此外，本发明不限于在非可程序化的硬件中实现的物理装置或单元，并且也可应用在能够通过根据适当的程序代码来操作执行所期望的装置功能的可编程的装置或单元(例如：主机、小型计算机、服务器、工作站、个人计算机、笔记本计算机(notepad)、个人数字助理、电子游戏、汽车和其他的嵌入式系统、移动电话，以及各种其他无线装置)，其中该可编程的装置或单元在此申请中通常称为“计算机系统(computersystems)”。

然而，也可能有其他的修正、变化及替代。因此，说明书和附图被视为示例说明性的，而非限制性的。

在权利要求中，放置于括号之间的任何的附图标记不应被解释为对权利要求作出限制。术语“包含(comprising)”不排除在权利要求中列出的那些组件或步骤之外的其他组件或步骤的存在。此外，如同在本文中使用的术语“一(a)”或“一个(an)”被定义为一个或多于一个。而且，在权利要求中的例如“至少一个(atleastone)”和“一个或多个(oneormore)”的介绍性词组的使用不应被解释为暗示通过不定冠词“一(a)”或”一个(an)”引入另一个权利要求组件将包含这样的引入的权利要求组件的任何的特定的权利要求限制为仅包含一个这样的组件的发明(即使当相同的权利要求包含介绍性词组“一个或多个(oneormore)”或“至少一个(atleastone)”和例如为“一(a)”或“一个(an)”的不定冠词)。定冠词的使用也是如此。除非另外地说明，例如为“第一(first)”和“第二(second)”的术语被使用以任意地区分这些术语所描述的组件。因此，这些术语并不必然地旨在表示这些组件的时间上的或其他的优先次序。在相互不同的权利要求中记载了某些措施的仅有事实并不表示这些措施的组合不能用于获益。

尽管已经在本文中示例说明和描述了本发明的某些特征，本领域技术人员现在将联想到许多的修改、替换、改变，及等效物。因而，应理解到：随附的权利要求旨在涵盖落在本发明的真实的精神内的所有的这些修改和改变。