嵌入式气隙传输线的制作方法

相关申请

本申请要求于2018年4月12日提交的标题为“embeddedairgaptransmissionlines”的美国专利申请no.15/951,717的优先权和权益，所述美国专利申请的完整内容特此以引用的方式并入以用于所有目的。

背景技术：

印刷电路板、电缆和其他输送结构中的信号线对于具有足够高频分量的信号表现出传输线行为，所述信号即转变时间小于导线或迹线的电气长度的信号。传输线包括一个或多个信号线，并且在大多数情况下，包括诸如接地平面、接地线或接地屏蔽等一个或多个接地导体。信号线和接地导体被一个或多个电介质材料分开。在传输线中行进的信号将在电介质材料中产生电场。除理想真空以外的任何电介质材料都会具有与其相关联的电介质损耗，这可能会限制高频信号可以通过传输线行进的有用距离。

技术实现要素：

至少一个方面涉及一种设备，所述设备包括：第一导电平面；核心电介质层，所述核心电介质层具有与第一导电平面接触的底表面；导体，所述导体具有与核心电介质层的顶表面接触的底表面；以及第二导电平面，所述第二导电平面定位在导体的顶表面上方并且与所述顶表面间隔开，以使得间隙将导体的顶表面与第二导电平面的底表面分开。导体的顶表面与第二导电平面的底表面分开了第一距离，所述第一距离沿垂直于第一导电平面的轴线测量，并且所述导体的底表面与第一导电平面分开了第二距离，所述第二距离大于所述沿轴线测量的第一距离。

在一些实施方式中，所述设备可以包括载体框架，所述载体框架定位在核心电介质层的顶表面上并且在核心电介质层上方支撑第二导电平面。载体框架的沿轴线测量的厚度大于导体的沿轴线测量的厚度，并且使载体框架在平行于第一导电平面的方向上与导体分开了第二间隙。在一些实施方式中，所述第二距离是所述第一距离的至少两倍大。在一些实施方式中，所述间隙基本上被排空。在一些实施方式中，所述间隙包含气体。

在一些实施方式中，核心电介质层是第一核心电介质层，并且所述设备包括第二核心电介质层，所述第二核心电介质层具有与第一核心电介质层的顶表面接触的底表面和与第二导电平面的底表面接触的顶表面。第二核心电介质层在核心电介质层上方支撑第二导电平面，并且第二核心电介质层在导体上方和周围限定腔体。在一些实施方式中，第二核心电介质层的在第二导电平面与导体之间的区域的厚度小于第一距离的四分之一。在一些实施方式中，第二距离是第一距离的至少两倍大。在一些实施方式中，所述间隙基本上被排空。在一些实施方式中，所述间隙包含气体。

至少一个方面涉及一种制造设备的方法。所述方法包括：提供第一导电平面；提供核心电介质层，所述核心电介质层具有与第一导电平面接触的底表面；提供导体，所述导体具有与核心电介质层的顶表面接触的底表面；提供第二导电平面，所述第二导电平面定位在导体的顶表面上方并且与所述顶表面间隔开，以使得间隙将导体的顶表面与第二导电平面的底表面分开。导体的顶表面与第二导电平面的底表面分开了第一距离，所述第一距离沿垂直于第一导电平面的轴线测量，并且所述导体的底表面与第一导电平面分开了第二距离，所述第二距离大于沿轴线测量的所述第一距离。

在一些实施方式中，所述方法可以包括提供载体框架，所述载体框架定位在核心电介质层的顶表面上并且在所述核心电介质层上方支撑第二导电平面。载体框架的沿轴线测量的厚度大于导体的沿轴线测量的厚度，并且载体框架在平行于第一导电平面的方向上与导体分开了第二间隙。在一些实施方式中，所述第二距离是所述第一距离的至少两倍大。在一些实施方式中，所述方法可以包括将所述间隙基本上排空。在一些实施方式中，所述方法可以包括用气体填充所述间隙。

在一些实施方式中，核心电介质层是第一核心电介质层，并且所述方法可以包括提供第二核心电介质层，所述第二核心电介质层具有与第一核心电介质层的顶表面接触的底表面和与第二导电平面的底表面接触的顶表面。第二核心电介质层在核心电介质层上方支撑第二导电平面，并且第二核心电介质层在导体上方和周围限定腔体。在一些实施方式中，第二核心电介质层的在第二导电平面与导体之间的区域的厚度小于第一距离的四分之一。在一些实施方式中，第二距离是第一距离的至少两倍大。在一些实施方式中，所述方法可以包括将所述间隙基本上排空。在一些实施方式中，所述方法可以包括用气体填充所述间隙。

下面详细讨论了这些方面和其他方面以及实施方式。前述信息和以下具体实施方式包括各种方面和实施方式的说明性示例，并且提供用于理解要求保护的方面和实施方式的性质和特性的概述或框架。附图提供了对各种方面和实施方式的说明和进一步的理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。

附图说明

附图不意在按比例绘制。在各种附图中，相同的附图标记和名称指示相同的元件。为清楚起见，并非在每个附图中都标记了每个部件。在附图中：

图1示出了嵌入式气隙传输线的第一示例；

图2示出了嵌入式气隙传输线的第二示例；

图3a到图3d示出了用于制造图1的嵌入式气隙传输线的第一示例性过程的步骤；

图4a到图4b示出了用于制造图1的嵌入式气隙传输线的第二示例性过程的步骤；

图5a到图5d示出了用于制造图2的嵌入式气隙传输线的示例性过程的步骤；

图6a到图6b示出了松散耦合的差分对嵌入式气隙传输线的两个示例；并且

图7是根据示例性实施方式的制造嵌入式气隙传输线的示例性方法的流程图。

具体实施方式

本公开总体上涉及改善在印刷电路板(pcb)中传送高频信号的导电信号迹线的性能。对于具有足够高频含量的信号，pcb上的导体(诸如导电迹线)可以近似传输线。传输线的特征在于基于导电迹线的分布式串联电感的特有阻抗，以及导电迹线与附近的参考导体或电流返回路径(诸如pcb中的一个或多个导电接地平面层)之间的分布式并联电容。导电迹线可能会基于导电信号迹线本身的串联电阻以及由于电场与导体导电迹线与接地平面之间的电介质之间的相互作用而致使的电介质损耗而经历损耗。电介质损耗是由在导电迹线中行进的信号的一些电能转换成电介质中的热能引起的。

电介质损耗可能会限制高频信号在遭受信号保真度的太多损耗之前可以通过导电迹线行进的“到达范围”或距离。另外，电介质材料的电介质常数或相对电容率会降低导电迹线的速度因子，从而减慢信号沿迹线的传播速度，并且还限制信号的到达范围。在一些情况下，电介质损耗和速度因素可以用重新定时器解决，这可以使数据信号与系统时钟重新同步并提高信号强度；然而，这种方法成本高昂且增加了系统的复杂性。

因此，本公开提出在pcb中创建气隙传输线。空气(或其他气体或真空)具有任何已知的固体电介质(包括昂贵的稀有材料)的较低电介质损耗和相对电容率。可以以几种不同的方式创建气隙。在一个实施方式中，诸如导电迹线等导体可以位于载体框架的侧面，所述载体框架在水平方向上通过气隙与导体分开。载体框架和导体可以形成在核心电介质层的顶侧上，所述核心电介质层可以是传统的pcb电介质材料(诸如fr-4)。核心层的底侧可以与第一导电平面接触。导体可以具有与核心电介质层的顶表面部分地、基本上或完全接触的底表面。第二导电平面可以定位在载体框架和导体上方。载体框架可以在导体上方支撑第二导电平面，并且维持导体与第二导电平面之间的气隙。第二导电平面可以在第二导电平面的与载体框架和导体相对的一侧上粘附至第二核心层。第二核心层可以支撑第二组导体和第二载体框架，以在pcb中提供附加气隙传输线。导体将通过核心层与第一导电平面分开了第一距离，并且通过气隙与第二导电平面分开了第二距离。第二距离应小于第一距离，以使得导体与导电平面之间的大部分电磁能集中在气隙而不是核心层中，以便减少核心层中的电介质损耗。

在另一实施方式中，导体可以定位在第一导电平面上方的第一核心层上。导体可以具有与核心电介质层的顶表面部分地、基本上或完全接触的底表面。第二核心层可以定位在导体上方。第二核心层可以限定在其内模制、切割或机加工的凹槽，以在导体周围创建气隙。第二导电平面可以在第二核心层的与导体相对的一侧上粘附至第二核心层。与先前描述的实施方式类似，第一核心层和第二核心层应当被调整尺寸以最小化核心层中的电介质损耗。特别地，应当在制造过程的极限内将第二核心层的在导体与第二导电平面之间的区域切割或模制成尽可能薄。相反，第一核心层应当比跨气隙的距离厚。较厚的第一核心层和第二核心层的较薄区域可以相对于核心层中的电场强度而增加气隙中的电场强度，并且因此减少核心层中的电介质损耗。

图1示出了嵌入式气隙传输线的第一示例。嵌入式气隙传输线形成在印刷电路板(pcb)100中。pcb100包括第一导电平面105、第一核心层110、导电迹线115a和115b(统称为“导电迹线115”)、包括载体框架部分120a、120b和120c的载体框架(统称为“载体框架120”)、第二导电平面125、第二核心层130、以及附加导电迹线135a和135b(统称为“导电迹线135”)。

虽然示出为pcb，但是嵌入式气隙传输线也可以以其他结构制造，所述其他结构诸如柔性印刷电路，诸如通过加法制造和3d打印过程创建的那些机电装置、微机电系统(mems)和/或集成电路的芯片插座。

第一导电平面105可以是诸如铜、锡、铝、金、银等的导电金属的连续或基本连续的层。可以使金属沉积在第一核心层110上，以使得第一核心层110的底表面与第一导电平面105接触。导电平面105可以代表设置为诸如电路或大地接地的基准电压或其他dc电压的低阻抗电流路径。第一核心层110可以是诸如fr-4或聚酰亚胺等电介质材料，或者是在pcb或柔性印刷电路中使用的其他电介质材料。导电迹线115可以是沉积在第一核心层110的顶表面上或以其他方式粘附至第一核心层110的顶表面的诸如铜、锡、铝、金、银等导电金属。在一些实施方式中，导电迹线115可以包括3盎司重量的铜箔。在一些实施方式中，导电迹线115可以包括1盎司或2盎司重量的铜。在一些实施方式中，导电迹线115可以包括4盎司重量的铜。在一些实施方式中，导电迹线115可以包括5盎司重量的铜。考虑到高频信号的集肤效应，可以设置导电迹线115的宽度以提供用于期望电流的充足横截面。另外，可以考虑第一导电平面105和第二导电平面125的接近度和大小来设置导电迹线115的宽度，以着眼于实现传输线的期望的特有阻抗。在一些实施方式中，导电迹线115的宽度可以是大约12密耳(0.012英寸)。在一些实施方式中，导电迹线115的宽度可以是大约8密耳到16密耳。在一些实施方式中，导电迹线115的宽度可以是大约4密耳到20密耳。

pcb100包括第二导电平面125。第二导电平面125可以包括诸如铜、锡、铝、金、银等导电金属。第二导电平面125定位在导电迹线115的顶表面上方并且与所述顶表面间隔开，以使得间隙140a或140b(统称为“间隙140”)将导电迹线115的顶表面与第二导电平面125的底表面分开。导电迹线115的顶表面与第二导电平面125的底表面分开了第一距离d1，所述第一距离d1沿垂直于第一导电平面105的轴线测量；并且导电迹线115的底表面与第一导电平面105分开了第二距离d2，所述第二距离d2大于沿轴线测量的所述第一距离。在一些实施方式中，d1可以是大约8密耳(0.008英寸)。在一些实施方式中，d1可以是大约4密耳到12密耳。在一些实施方式中，d1可以12密耳到20密耳。

导电迹线115各自与第一导电平面105、第二导电平面125和第一核心层110形成传输线结构。当高频信号行进通过导电迹线115中的一个时，它将在导电迹线115与第一导电平面105和第二导电平面125之间创建电场。电场将渗透到间隙140和第一核心层110两者中。除了理想真空以外的任何电介质材料都将在渗透到其中的任何电场中致使一些电介质损耗。对于给定的电场强度，可能部分或基本上被排空或填充有空气或其他气体的间隙140与第一核心层110相比可以致使较少的电介质损耗。因此，在导电迹线115周围引入间隙140将减少对于行进通过导电迹线115的高频信号的电介质损耗。可分别调整导电迹线115穿过第一核心层110与第一导电平面105之间的相对距离(d2)以及穿过间隙140与第二导电平面125之间的相对距离(d1)，以进一步减少电介质损耗。特别地，跨电介质的电场与在电介质的任一侧上的导体之间的距离的平方成反比；即，距离越短，电场越高。因此，通过相对于d2缩短d1，间隙140中的电场可能会集中，而第一核心层110中的电场可能会减小。这种配置可以大大地减少电介质损耗。在一些实施方式中，d2可以被设置成d1的至少两倍远。

pcb100可以包括附加导电迹线135。附加导电迹线135可以被配置成输送直流(dc)或相对低频信号，以使得附加导电迹线135不表现出传输线特性。然而，在一些实施方式中，附加导电迹线135可以输送高频信号并且表现出传输线特性。在一些实施方式中，pcb100可以包括附加层，所述附加层被配置成在附加导电迹线135周围创建附加气隙，由此以与导电迹线115的方式类似的方式减少行进通过附加导电迹线135的信号的电介质损耗。

在一些实施方式中，pcb100可以包括用于维持导电迹线115与第二导电平面125之间的期望间隔的载体框架120。载体框架120可以是被配置成向pcb100的其他部件提供机械支撑的聚合物、陶瓷或复合材料。在一些实施方式中，载体框架120可以定位在第一核心层110的顶表面上。载体框架120可以以可以维持导电迹线115与第二导电平面125之间的间隙140的方式在第一核心层110上方支撑第二导电平面125。因此，载体框架120的沿垂直于第一导电平面105的轴线测量的厚度大于导电迹线115的沿同一轴线测量的厚度。在一些实施方式中，载体框架120的厚度可以是大约10密耳(0.010英寸)。在一些实施方式中，载体框架120的厚度可以是大约8密耳到12密耳。在一些实施方式中，载体框架120的厚度可以是大约5密耳到15密耳。载体框架120可以在平行于第一导电平面105的方向上与导电迹线115分开了附加间隙140。然而，在一些实施方式中，可以使用不同的结构来创建/维持导电迹线周围的间隙。下文描述的图2示出了用于维持间隙的另一种可能的结构。

图3a到图3d和图4a到图4b以及下面的相关联描述描述了用于制造与pcb100类似的结构的两个示例性过程的步骤。

图2示出了嵌入式气隙传输线的第二示例。嵌入式气隙传输线形成在印刷电路板(pcb)200中。pcb200包括第一导电平面205、第一核心层210、导电迹线215a和215b(统称为“导电迹线215”)、第二核心层220、第二导电平面225、第三核心层230、以及导电迹线235a和235b(统称为“导电迹线235”)。与上面描述的pcb100类似，pcb200是出于说明性目的而提供的；然而，本领域技术人员可以了解，可以制造相同或类似的结构并将其用于柔性印刷电路、诸如通过加法制造和3d打印过程创建的那些机电装置、微机电系统(mems)和/或集成电路的芯片插座。

第一导电平面205、第一核心层210、导电迹线215和第二导电平面225可以分别与pcb100的第一导电平面105、第一核心层110、导电迹线115和第二导电平面125类似。另外，第三核心层230和附加导电迹线235可以分别与pcb100的第二核心层130和附加导电迹线135类似。然而，代替采用载体框架来维持导电迹线215周围的间隙，pcb200包括第二核心层220。在一些实施方式中，第二核心层220可以是与第一核心层210或第三核心层230中使用的电介质材料类似的电介质材料。在一些实施方式中，第二核心层220可以是为获得较低的电介质损耗和更好的机械属性而选择的不同类型的电介质材料，所述较好的机械属性使其更容易制造成期望的结构配置。

第二核心层220可以具有与第一核心层210的顶表面接触的底表面。第二核心层220的顶表面可以与第二导电平面225的底表面接触。第二核心层220可以在第一核心层210上方支撑第二导电平面225。第二核心层220可以限定腔体，所述腔体在导电迹线215上方和周围创建间隙240a和240b(统称为“间隙240”)。在一些实施方式中，可以通过使用磨机、刀片或激光来切割或机加工核心层220而制造腔体。在一些实施方式中，可以通过模制或通过诸如蚀刻等化学过程来制造腔体。在一些实施方式中，间隙240可以部分或基本上被排空。在一些实施方式中，间隙240可以填充有空气或其他气体。在一些实施方式中，第二核心层220的厚部分的厚度可以是大约10密耳(0.010英寸)。在一些实施方式中，第二核心层220的厚部分的厚度可以是大约8密耳到12密耳。在一些实施方式中，第二核心层220的厚部分的厚度可以是大约5密耳到15密耳。

与pcb100类似，在pcb200中，导电迹线215的顶表面与第二导电平面225的底表面分开了第一距离d1，所述第一距离d1沿垂直于第一导电平面205的轴线测量，并且导电迹线215的底表面与第一导电平面205分开了第二距离d2，所述第二距离d2大于沿轴线测量的所述第一距离。在一些实施方式中，d1可以是大约8密耳(0.008英寸)。在一些实施方式中，d1可以是大约4密耳到12密耳。在一些实施方式中，d1可以12密耳到20密耳。在一些实施方式中，d2可以被设置成d1的至少两倍远，以减小在第一电介质层210中发生的电介质损耗。然而，与pcb100不同，pcb200的导电迹线215与第二导电平面225之间的区域可以包括第二核心层220的电介质材料的薄部分。电介质材料的薄部分可以用于维持第二核心层220的形状，或者可以是制造过程的必要残留物。电介质材料的薄部分仍将表现出电介质损耗，所述电介质损耗可能会基于间隙240中的电场相对于第一核心层210中的电场的浓度而有所放大。然而，通过减小核心层220的薄部分的厚度，可以最小化该电介质损耗。例如，在一些实施方式中，核心层220的在导电迹线215与第二导电平面225之间的薄部分可以具有厚度d3，所述厚度d3小于d1的四分之一。在一些实施方式中，d3可以是大约2密耳(0.002英寸)。在一些实施方式中，d3可以是大约0.5密耳到4密耳。在一些实施方式中，核心层220的在导电迹线215与第二导电平面225之间的薄部分可以具有厚度d3，所述厚度d3等于或基本上等于用于创建第二核心层220的制造过程所允许的最小厚度。

图5a到图5d以及下面的相关联描述描述了用于制造与pcb200类似的结构的示例性过程的步骤。

图3a到图3d示出了用于制造图1的嵌入式气隙传输线的第一示例性过程的步骤。所述过程可以从第一核心层110开始。然后，可以使第一导电平面105和导电迹线115沉积或以其他方式粘附至第一核心层110上。在一些实施方式中，可以将导电迹线115作为铜平面电镀到第一核心层110上，并且然后经受蚀刻过程以移除不需要的铜，从而产生图3a中示出的配置。

在图3b中，已经将载体框架120定位在第一核心层110上方并粘附至所述第一核心层110。虽然横截面示出了载体框架120的三个单独的部分，但是在一些实施方式中，载体框架120可以由连续模制或机加工的材料块形成。在一些实施方式中，载体框架120可以由个别地粘附至第一核心层110的多个模制或机加工材料块形成。

在图3c中，已经将第二导电平面125、第二核心层130和附加导电层135定位在载体框架120上方并粘附至所述载体框架120。

在将新层粘结到载体框架120之后，可以蚀刻或以其他方式模压附加导电层135以创建附加导电迹线135a和135b。

图4a到图4b示出了用于制造图1的嵌入式气隙传输线的第二示例性过程的步骤。在该示例中，pcb100的各部分被制造为两个单独的组合件101和102，并且然后进行组合。第一组合件101包括已经形成的第一导电平面105、第一导体层110和导电迹线115。第二组合件102包括载体框架120、第二导电平面125、第二核心层130和附加导电层135。两个组合件101和102可以放在一起并粘结以形成pcb100，如图4b中所示。

图5a到图5d示出了用于制造图2的嵌入式气隙传输线的示例性过程的步骤。所述过程可以从第一核心层210开始。然后，可以使第一导电平面205和导电迹线215沉积、电镀或以其他方式粘附至第一核心层210上，以形成第一组合件210。在一些实施方式中，可以将导电迹线215作为铜平面电镀到第一核心层210上，并且然后经受蚀刻过程以移除不需要的铜，从而产生图5a中示出的配置。

可以使用类似的过程来接合第二组合件202的各层，即第三核心层230、第二导电平面225、附加导电层235和第二核心层220。如图5b中所示，在第二组合件202被粘结到第一组合件201之前，可以对所述第二核心层220进行机加工或模制以限定腔体。

在图5c中，将第一组合件201和第二组合件202粘结在一起，并且在导电迹线215周围创建了间隙240。然后，可以蚀刻或以其他方式模压附加导电层230以创建图5d中示出的附加导电迹线235a和235b。

图6a到图6b示出了松散耦合的差分对嵌入式气隙传输线的两个示例。在一些实施方式中，松散耦合的差分对嵌入式气隙传输线可以形成在如图6a中所示的印刷电路板(pcb)600中。pcb600包括第一导电平面605、第一核心层610、形成松散耦合的差分对的导电迹线615a和615b(统称为“导电迹线615”)、以及包括载体框架部分620a、620b和620c的载体框架(统称为“载体框架620”)。虽然示出为pcb，但是嵌入式气隙传输线也可以以其他结构制造，所述其他结构诸如柔性印刷电路，诸如通过加法制造和3d打印过程创建的那些机电装置、微机电系统(mems)和/或集成电路的芯片插座。

pcb600的载体框架620包括周期性地沿pcb600放置的载体框架部分620b。载体框架部分620b可以提供机械完整性以维持导电迹线615与第二导电平面之间的距离(未示出)。在一些实施方式中，可以将载体框架部分周期性地放置在沿导电迹线615行进的差分对信号的信号边缘的电长度的一部分处。这种结构可以帮助最小化载体框架部分620b引入传输线结构的阻抗不连续性的影响。

在一些实施方式中，松散耦合的差分对嵌入式气隙传输线可以形成在如图6b中所示的印刷电路板(pcb)601中。pcb601包括第一导电平面605、第一核心层610、形成松散耦合的差分对导电迹线615a和615b(统称为“导电迹线615”)、包括载体框架部分620a和620c的载体框架(统称为“载体框架620”)。pcb601不包括在pcb601中存在的导电迹线615之间的载体框架部分620b。因此，pcb601的松散耦合的差分对嵌入式气隙传输线可以沿导电迹线615a和615b表现出改善的阻抗连续性。

图7是根据示例性实施方式的制造嵌入式气隙传输线的示例性方法700的流程图。方法700包括提供第一导电平面(阶段710)。方法700包括提供具有与第一导电平面接触的底表面的核心电介质层(阶段720)。方法700包括提供具有与核心电介质层的顶表面接触的底表面的导电迹线(阶段730)。在一些实施方式中，方法700直接继续到阶段760。在一些实施方式中，方法700包括在进行到阶段760之前提供定位在核心电介质层的顶表面上的载体框架(阶段740)。在一些实施方式中，方法700包括在进行到阶段760之前提供具有与第一核心电介质层的顶表面接触的底表面的第二核心电介质层(阶段750)。方法700包括提供第二导电平面，所述第二导电平面定位在导电迹线的顶表面上方并且与所述顶表面间隔开，以使得间隙将导电迹线的顶表面与第二导电平面的底表面分开(阶段760)。

方法700包括提供第一导电平面(阶段710)。第一导电平面可以是例如先前描述的第一导电平面105或205。

方法700包括提供具有与第一导电平面接触的底表面的核心电介质层(阶段720)。核心电介质层可以是例如先前描述的第一核心层110或210。可以将第一导电平面沉积、电镀或以其他方式粘附至核心电介质层。

方法700包括提供具有与核心电介质层的顶表面接触的底表面的导电迹线(阶段730)。导电迹线可以是例如先前描述的导电迹线115或215。导电迹线可以通过沉积、电镀或以其他方式将导电层粘附至核心电介质层并且然后移除导电材料的不期望的部分以形成迹线来形成。

在一些实施方式中，方法700直接继续到阶段760。在一些实施方式中，方法700可以包括以下描述的阶段740或阶段750中的一个。

在一些实施方式中，方法700包括在进行到阶段760之前提供定位在核心电介质层的顶表面上的载体框架(阶段740)。载体框架可以是例如先前描述的载体框架120。包括载体框架的组合件可以与以上相关于图1描述的pcb100相似。载体框架的厚度可以比导电迹线厚，由此维持导电迹线与第二导电平面之间的间隔，并且限定导电迹线周围的排空的或填充有气体的间隙。在提供了载体框架之后，方法700可以进行到阶段760。

在一些实施方式中，方法700包括在进行到阶段760之前提供具有与第一核心电介质层的顶表面接触的底表面的第二核心电介质层(阶段750)。第二核心电介质层可以是例如先前描述的第二核心层220。包括第二核心电介质层的组合件可以与以上相关于图2描述的pcb200相似。第二核心电介质层可以限定可以部分地围绕导电迹线并且在导电迹线与第二导电平面之间创建间隙的腔体。因此，第二核心电介质层可以具有薄部分(在其中限定腔)和厚部分(在腔体周围)。第二核心电介质层的厚部分的厚度可以比导电迹线厚，由此维持导电迹线与第二导电平面之间的间隔，并且限定导电迹线周围的排空的或填充有气体的间隙。第二核心电介质层的薄部分的厚度可以保持较薄(在一些实施方式中，只要特定制造过程允许就尽可能薄)，以减少通过第二核心电介质层的该部分的电介质损耗。在提供了载体框架之后，方法700可以进行到阶段760。

方法700包括提供第二导电平面，所述第二导电平面定位在导电迹线的顶表面上方并且与所述顶表面间隔开，以使得间隙将导电迹线的顶表面与第二导电平面的底表面分开(阶段760)。使第二导电平面通过载体框架或第二核心电介质层与第一核心电介质层分开。在第二导电平面位于适当位置的情况下，在导电迹线与第二导电平面之间限定间隙。在一些实施方式中，方法700可以包括用空气或另一种气体填充该间隙。在一些实施方式中，方法700可以包括将所述间隙部分或基本上排空。

本领域技术人员将理解，在不脱离本发明的范围的情况下，可以以不同的顺序执行方法700的各阶段。另外，在不脱离本发明的范围的情况下，方法700可以包括更多或更少的步骤。

虽然本说明书包含许多特定的实施方式细节，但是这些细节不应被解释为对任何发明或可以要求保护的范围的限制，而是对特定发明的特定实施方式所特有的特征的描述。在本说明书中在单独的实施方式的场境中描述的某些特征也可以在单个实施方式中组合实现。相反，在单个实施方式的场境中描述的各种特征也可以单独在多个实施方式中或以任何合适的子组合来实现。此外，虽然以上可以将特征描述为以某些组合起作用并且甚至最初如此要求保护，但是在一些情况下可以从组合中切离要求保护的组合中的一个或多个特征，并且所述要求保护的组合可以涉及子组合或子组合的变化形式。

对“或”的引用可以被解释为包括性的，以使得使用“或”描述的任何术语可以指示以下中的任何一个：单个、一个以上以及所有描述的术语。标签“第一”、“第二”、“第三”等不一定意味着指示顺序，而是通常仅用于区分相同或类似的项目或要素。

对本公开中所描述的实施方式的各种修改对于本领域技术人员而言是显而易见的，并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下，本文中定义的一般原理可以应用于其他实施方式。因此，权利要求书不意在限于本文中示出的实施方式，而是应被赋予与本文中公开的本公开内容、原理和新颖特征一致的最广范围。以下是权利要求书。