1.一种设备，包括：
主腔室；
入口隧道，所述入口隧道具有沿第一方向延伸至所述主腔室中的入口轴线；
出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道界定束弯曲，所述束弯曲在所述入口隧道与所述出口隧道之间为至少30度；以及
电极总成，设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定束路径，
其中所述电极总成包括设置于所述束路径的第一侧上的下部电极及设置于所述束路径的第二侧上的多个电极，所述多个电极包括至少五个电极。
2.根据权利要求1所述的设备，还包括连接至所述电极总成的电压总成，所述电压总成被布置成将施加至所述电极总成的一组电位自所述多个电极中的电极均不被设定成地电位的第一配置改变为所述一组电极中的至少一个电极被设定成地电位的第二配置。
3.根据权利要求2所述的设备，其中在所述第二配置中，所述电极总成的至少两个电极被设定成地电位。
4.根据权利要求2所述的设备，其中，在所述第一配置中，所述电极总成界定第一减速长度，其中，在所述电极总成界定第二长度的所述第二配置中，所述第二长度小于所述第一长度。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述束路径的所述第一侧上设置有仅一个电极。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述入口隧道沿所述主腔室的第一侧设置，且其中所述出口隧道沿所述主腔室的与所述主腔室的所述第一侧相邻的第二侧设置。
7.根据权利要求1所述的设备，还包括等离子体泛射式电子枪，其中所述等离子体泛射式电子枪包括所述出口隧道，其中所述多个电极自所述等离子体泛射式电子枪的外部不可见。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述出口隧道被设定成地电位。
9.一种用于控制离子束的方法，包括：
引导离子束自入口隧道穿过静电过滤器的主腔室，并进入耦合至所述主腔室的出口隧道中；
在第一操作中，将第一多个电极电压分别分派至多个电极，其中所述多个电极设置于所述主腔室中，且其中所述多个电极中的第一数目的电极被设定成地电位；以及
在第二操作中，将第二多个电极电压分别分派至所述多个电极，其中所述多个电极中的第二数目的电极被设定成地电位，且其中所述第二数目大于所述第一数目。
10.根据权利要求9所述的方法，其中在所述第二操作中，所述多个电极中的至少两个电极被设定成地电位。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第一操作中，所述电极总成界定第一减速长度，其中，在所述第二操作中，所述电极总成界定第二长度，所述第二长度小于所述第一长度。
12.根据权利要求9所述的方法，其中在所述第一操作中，所述离子束以第一最终能量离开所述主腔室，且其中在所述第二操作中，所述离子束以小于所述第一最终能量的第二最终能量离开所述主腔室。
13.根据权利要求9所述的方法，其中在所述第二操作中，所述多个电极中的至少一个电极对被设定成地电位。
14.一种高束弯曲静电过滤器总成，包括：
主腔室；
入口隧道，所述入口隧道具有沿第一方向延伸至所述主腔室中的传播轴线；
等离子体泛射式电子枪，所述等离子体泛射式电子枪具有连接至所述主腔室且界定出口方向的出口隧道，其中所述入口隧道及所述出口隧道界定束弯曲，所述束弯曲在所述入口隧道与所述出口隧道之间为至少30度；以及
电极总成，设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定束路径，
其中所述电极总成包括设置于所述束路径的第一侧上的下部电极及设置于所述束路径的第二侧上的多个上部电极，所述多个上部电极包括至少五个电极，且
其中所述电极总成设置于所述入口隧道的顶侧上。
15.根据权利要求14所述的高束弯曲静电过滤器总成，其中所述束弯曲在40度至90度之间。