1.一种离子注入系统，包括：
离子源，其构造成形成离子束；
质量分析器，其构造成对所述离子束进行质量分析；
电源，其构造成提供扫描波形；
磁性扫描仪，其构造成基于所述扫描波形沿扫描路径选择性地扫描所述离子束，从而限定由多个子束组成的扫描离子束；以及
磁性校正器装置，其构造成在整个工件上以大体上恒定的入射角朝向所述工件引导所述扫描离子束，其中，所述磁性扫描仪和所述磁性校正器装置中的一个或更多个构造成在理想点离子束以基本上恒定的扫描速度完全扫描所述工件的理想情况下，提供非均匀通量分布，所述非均匀通量分布具有从所述工件的中心向所述工件的边缘基本上单调增加的通量。
2.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述磁性校正器装置包括多个磁极，所述多个磁极构造成在所述工件处限定所述扫描离子束的所述非均匀通量分布。
3.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述非均匀通量分布大体上由与所述工件的边缘相关联的第一射束通量和与所述工件的中心区域相关联的第二射束通量限定，其中，所述第一射束通量大于所述第二射束通量。
4.根据权利要求3所述的离子注入系统，其中，所述第一射束通量比所述第二射束通量大10％至100％。
5.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述非均匀通量分布包括在所述工件的中心区域上大体上均匀并且在所述工件的边缘处增加的通量，其中所述中心区域表示所述工件的长度的20％至80％。
6.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述非均匀通量分布大体上是抛物线形的。
7.根据权利要求1所述的离子注入系统，还包括控制器，所述控制器构造成经由对所述磁性扫描仪和所述磁性校正器装置中的一个或更多个的控制来控制所述非均匀通量分布。
8.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述磁性校正器装置包括s形弯曲构型的一对相反极性的双极磁体。
9.一种离子注入系统，包括
离子源，其构造成形成离子束；
质量分析器，其构造成对所述离子束进行质量分析；
扫描仪电源，其构造成提供扫描波形；
扫描仪，其构造成基于所述扫描波形沿扫描路径选择性地扫描所述离子束，从而限定由多个子束组成的扫描离子束；以及
磁性校正器装置，其构造成在整个工件上以大体上恒定的入射角朝向所述工件引导所述扫描离子束，其中，所述扫描仪和所述磁性校正器装置中的一个或更多个构造成在理想点离子束以基本上恒定的扫描速度完全扫描所述工件的理想情况下，提供非均匀通量分布，所述非均匀通量分布具有从所述工件的中心向所述工件的边缘基本上单调增加的通量。
10.根据权利要求9所述的离子注入系统，还包括控制器，所述控制器构造成经由所述扫描仪和所述磁性校正器装置中的一个或更多个的控制来控制所述非均匀通量分布。
11.根据权利要求10所述的离子注入系统，其中，所述控制器进一步构造成控制所述扫描仪电源，使得所述扫描仪进一步构造成在所述工件处提供所述扫描离子束的所述非均匀通量分布。
12.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述扫描仪包括磁性扫描仪。
13.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述磁性校正器装置包括s形弯曲构型的一对相反极性的双极磁体。
14.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述工件的边缘处的通量比所述工件的中心处的通量大10％至100％。
15.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述非均匀通量分布大体上是抛物线形的。
16.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述非均匀通量分布在所述工件的中心区域处基本上是均匀的，而仅在所述工件的边缘处增加，其中，所述均匀区域表示所述工件长度的20％至80％。
17.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述磁性校正器装置包括多个磁极，所述多个磁极构造成在所述工件处限定所扫描离子束的所述非均匀通量分布。
18.一种用于提供扫描带状离子束的非均匀通量的方法，所述方法包括：
向扫描仪提供点离子束；
向所述扫描仪提供具有时变电势的扫描波形，在扫描仪中，横贯扫描路径对所述离子束进行扫描并且大体上限定由多个子束组成的扫描离子束；以及
使所述扫描离子束穿过校正器装置，其中，所述校正器装置构造成在整个工件上以大体上恒定的入射角朝向所述工件引导所述离子束，并且其中，所述校正器装置包括多个磁极，所述多个磁极构造成在不修改所述扫描波形的情况下在所述工件处提供所述扫描离子束的非均匀通量分布。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述时变电势涉及时变电压或时变磁场中的至少一者。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述工件的边缘处的通量比所述工件的中心处的通量大10％至100％。