1.一种经涂布的制品，包括：
制品，所述制品适于在处理腔室中使用，其中所述制品包括：
外表面；
内部通道，所述内部通道包括视线沉积工艺无法接近的表面；
涂层，所述涂层形成在所述制品的所述外表面和所述内表面上，所述涂层包括含稀土金属的陶瓷，所述含稀土金属的陶瓷选自由y2o3、yxzryoz、yzrof、y3al5o12、y4al2o9、yf3、yof、yxoyfz、er2o3、er3al5o12、erf3、erxoyfz、la2o3、lu2o3、sc2o3、scf3、scxoyfz、gd2o3、gdf3、gdxoyfz、sm2o3和dy2o3及其组合所组成的群组，其中所述涂层为基本上均匀的、保形的并且无孔的。
2.如权利要求1所述的经涂布制品，其中所述内部通道的深宽比为30:1至250:1，并且其中所述制品为选自加热器、静电吸盘或基座的高温制品。
3.如权利要求1所述的经涂布的制品，其中所述涂层具有从约100nm至约5μm的厚度，并且其中所述制品包括选自由以下各者组成的群组的成分：aln、al2o3和石墨。
4.如权利要求1所述的经涂布的制品，进一步包括：
黏着层，所述黏着层设置在所述涂层与所述制品的所述内表面和所述外表面之间。
5.如权利要求1所述的经涂布的制品，其中所述涂层的热膨胀系数在所述制品的热膨胀系数的10％以内。
6.一种经涂布的制品，包括：
制品，所述制品适于在处理腔室中使用；
非晶碳黏着层，所述非晶碳黏着层形成在所述制品上；以及
涂层，所述涂层形成在所述非晶碳黏着层上，所述涂层包括含稀土金属的陶瓷，所述含稀土金属的陶瓷选自由y2o3、yxzryoz、yzrof、y3al5o12、y4al2o9、yf3、yof、yxoyfz、er2o3、er3al5o12、erf3、erxoyfz、la2o3、lu2o3、sc2o3、scf3、scxoyfz、gd2o3、gdf3、gdxoyfz、sm2o3和dy2o3及其组合所组成的群组，其中所述涂层为基本上均匀的、保形的并且无孔的。
7.如权利要求6所述的经涂布的制品，其中所述制品包括石墨，并且其中所述制品为选自加热器、静电吸盘或基座的高温制品。
8.如权利要求6所述的经涂布的制品，其中所述涂层具有从约100nm至约5μm的厚度。
9.如权利要求6所述的经涂布的制品，其中所述制品包括内部通道，所述内部通道包括视线沉积工艺无法接近的表面，并且其中所述涂层进一步形成在所述制品的所述内表面上。
10.一种形成经涂布的制品的方法，所述方法包括：
提供适于在处理腔室中使用的制品，所述制品具有第一热膨胀系数；
选择第一稀土陶瓷化合物与第二稀土陶瓷化合物的摩尔比率，当通过原子层沉积将包括成所选择的摩尔比率的所述第一稀土陶瓷化合物和第二稀土陶瓷化合物的陶瓷涂层沉积至所述制品的表面上时，所述摩尔比率导致所述陶瓷涂层具有在所述第一热膨胀系数的10％以内的第二热膨胀系数；以及
执行原子层沉积以在所述制品的所述表面上沉积所述陶瓷涂层。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述第一稀土化合物和第二稀土化合物中的每一者独立地选自由以下各者所组成的群组：y2o3、yxzryoz、yzrof、y3al5o12、y4al2o9、yf3、yof、yxoyfz、er2o3、er3al5o12、erf3、erxoyfz、la2o3、lu2o3、sc2o3、scf3、scxoyfz、gd2o3、gdf3、gdxoyfz、sm2o3和dy2o3，附带条件是所述第一稀土化合物和第二稀土化合物不同。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述第一稀土陶瓷化合物包括稀土氧化物，并且其中所述第二稀土化合物包括稀土氧氟化物或稀土氟化物。
13.如权利要求10所述的方法，其中所述第一稀土陶瓷包括y2o3，并且其中所述第二稀土陶瓷包括yxoyfz。
14.如权利要求10所述的方法，其中所述陶瓷涂层为基本上均匀的、保形的并且无孔的，并且其中所述制品包括选自由以下各者组成的群组的成分：aln、al2o3和石墨。
15.如权利要求10所述的方法，其中所述制品选自由以下各者组成的群组：加热器、静电吸盘、喷嘴、气体分配板、喷头、静电吸盘部件、腔室壁、衬垫、衬垫套件、气体管线、盖、腔室盖、喷嘴、单环、处理套件环、基底、护罩、等离子体屏蔽、均流器、冷却基底、腔室观察孔、波纹管、面板，或选择性调节装置。