技术特征：
1.一种磁性隧道结结构，设置于磁性随机存储单元的底电极与顶电极之间，所述磁性隧道结由上至下结构包括覆盖层、自由层、势垒层、参考层、反铁磁层、种子层与缓冲层，其特征在于，所述反铁磁层的结构为[x/pt]
n
/y/z,[x/pd]
n
/y/z,copt/z，fept/z，nipt/z，cofept/z，copd/z，fepd/z，nipd/z，cofept/z，按其左右顺序表示自下而上结构；其中，2≤n≤10；x、y选自co,ni，fe，cofe，coni，nife，nico，conife，feb，cob，cofeb中之一者或者其组成的双层及其以上的多层结构，z为复合反铁磁耦合层。2.如权利要求1所述磁性隧道结结构，其特征在于，所述参考层结构为fe、feb、fecob或者(fe或feb)/(cob，cofe，cofeb，fec，coc或cofec)。3.如权利要求2所述磁性隧道结结构，其特征在于，所述参考层的总厚度为0.5nm～1.5nm。4.如权利要求1所述磁性隧道结结构，其特征在于，所述反铁磁层的总厚度为0.5nm～5.0nm。5.如权利要求1所述磁性隧道结结构，其特征在于，所述复合反铁磁耦合层为(ir，ru，rh，cu或re)/(cr，mo,v，w，ta，nb，hf，zr或它们的组合)，按其左右顺序表示自下而上结构，其总厚度选为反铁磁耦合峰值。6.如权利要求5所述磁性隧道结结构，其特征在于，所述复合反铁磁耦合层的材料为ru/(cr、crmo、crw、mo或w)双层结构，ru的厚度为0.3nm～0.6nm，cr、crmo、crw、mo或w的厚度为0.05nm～0.5nm。7.如权利要求5所述磁性隧道结结构，其特征在于，所述复合反铁磁耦合层的材料为ir/(cr、crmo、crw、mo或w)双层结构，其中，ir的厚度为0.2nm～0.6nm，cr、crmo、crw、mo或w的厚度为0.05nm～0.5nm。8.如权利要求1所述磁性隧道结结构，其特征在于，所述反铁磁层具有垂直磁性各向异性，且其磁矩为所述参考层磁矩的1.1-1.8倍。9.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的磁性隧道结结构，设置于所述磁性隧道结结构上方的顶电极，及设置于所述磁性隧道结结构下方的底电极。
技术总结
本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构的反铁磁层的铁磁超晶格层与参考层结合，形成具有超薄反铁磁层和参考层双层结构，调节所述反铁磁层和所述参考层在垂直方向的饱和磁矩以调节其在所述自由层的漏磁场，其令磁性隧道结具有相对较佳的漏磁场写电流的调控能力，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。微化。微化。
技术研发人员：张云森 郭一民 肖荣福 陈峻
受保护的技术使用者：上海磁宇信息科技有限公司
技术研发日：2020.03.02
技术公布日：2021/9/2