一种无线充电模组用屏蔽片及无线充电模组的制作方法

本发明涉及电磁屏蔽结构
技术领域：
，尤其涉及一种无线充电模组用屏蔽片及无线充电模组。
背景技术：
：无线充电技术，又称作感应充电、非接触式充电，是利用近场感应，也就是电感耦合，由供电设备(即发射端)将能量传送至用电装置(即接收端)。无线充电技术的主要特征是非接触耦合变压器的近距离电感耦合，近似于常规的谐振式开关电源。现有的无线充电产品具有隔磁片，隔磁片是一种磁性材料，一般为厚度较薄的铁氧体、非晶带材或纳米晶带材。这类带材一般具有高磁导率，单层磁性带材厚度范围为10um-30um，一般采用贴合叠加的方式使其成为多层结构，从而提高材料整体的电感量。这种隔磁片的存在能够为磁力线提供一条低阻抗通路，隔绝向外散发的磁能，这样能够阻止磁场穿过磁性材料到达电子设备内部，造成电子设备内部金属(电池)等零部件吸收磁场从而产生能量损失，利于降低电磁干扰，提高磁电转换效率。磁屏蔽材料的聚磁作用能够有效降低充电线圈匝数，从而降低线圈涡流损耗。因此，就需要磁屏蔽材料具有较高的饱和磁感应强度、磁导率、低的损耗。随着电子信息产业的快速发展，对无线充电技术提出了越来越高的要求，无线充电技术大功率化，高效率化成为了未来发展的趋势。传统的无线充电隔磁片工艺为降低磁片涡流损耗将磁片(即磁性带材)进行碎片化，如申请号为201280062847.1的中国发明专利，其将磁片通过机械压碎制成碎片化导磁片。该技术存在制作成本高，碎片易露出造成污染等风险，同时，磁片碎片化会大大降低磁片磁导率，需要多层叠加才能满足高效率充电所需的高导磁通道以降低漏磁风险。但随着移动终端产品如智能手机、手表、耳机等小型化、轻薄化的发展趋势，对无线充电用隔磁片又提出了轻薄化的新需求。传统隔磁片碎片化多层堆叠的结构虽然能够提供较强的聚磁作用，但由于其厚度较高，成本较高，已不能更好的满足轻薄化、低成本的发展需求。因此传统无线充电存在的诸多问题如充电效率较低、成本高、工艺制程复杂以及良品率低等是阻碍其发展的重要因素。如何在保证充电效率情况下，尽可能降低无线充电模组的厚度，降低无线充电模组的生产成本是无线充电模组发展亟待解决的问题。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是：提供一种充电效率高的低成本无线充电模组用屏蔽片以及无线充电模组。为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种无线充电模组用屏蔽片，包括外圈磁片和中心磁片，外圈磁片上设有通孔，中心磁片设于所述通孔内，所述中心磁片的周壁与所述通孔的壁面之间具有缝隙；所述外圈磁片包括至少一层第一导磁层，所述第一导磁层为纳米晶带材、非晶带材或金属软磁带材；所述中心磁片包括至少一层第二导磁层，所述第二导磁层为纳米晶带材、非晶带材或金属软磁带材。为了解决上述技术问题，本发明还采用以下技术方案：无线充电模组，包括充电线圈，还包括上述无线充电模组用屏蔽片，所述中心磁片对应于所述充电线圈的中空区域设置。进一步的，所述充电线圈的内缘面与中心磁片的周壁共面。本发明的有益效果在于：由于外圈磁片与感应涡流的方向垂直，当外圈磁片有多层第一导磁层层叠时，层叠的第一导磁层之间存在绝缘胶，因此无论外圈磁片磁损耗μ〞有多高，其本身并不会产生长自由程涡流(当外圈磁片只有一层第一导磁层时，单层第一导磁层厚度较薄(厚度≤30μm)，也不会产生长自由程涡流)，所以，外圈磁片既保持了超高的导磁性能同时又能有较低的涡流损耗；此外，虽然磁场在中心磁片产生涡流是在磁片面内，但中心磁片与外圈磁片之间通过缝隙隔离，所以中心磁片上也不会出现长自由程涡流。通过仿真模拟，本屏蔽片与传统的屏蔽片相比，在相同的屏蔽性能的条件下，外圈磁片和中心磁片层叠的数量更少，所以有利于屏蔽片的小型化、轻薄化，同时模组充电效率和饱和电流还有所提升；而且不需要在材料中额外加入“气隙”或“绝缘裂纹”的工艺，可以缩短工艺制程，从而提高产品的良率，降低无线充电模组的生产成本。附图说明图1为本发明实施例一的无线充电模组的剖视图；图2为本发明实施例一的无线充电模组的工作原理图；图3为本发明实施例一的无线充电模组的俯视图(隐藏第一胶层后)；图4为本发明实施例二的无线充电模组的俯视图(隐藏第一胶层后)；图5为本发明实施例二的另一种结构的无线充电模组的俯视图(隐藏第一胶层后)；图6为本发明实施例二的另一种结构的无线充电模组的俯视图(隐藏第一胶层后)；图7为本发明实施例二的另一种结构的无线充电模组的俯视图(隐藏第一胶层后)；图8为本发明实施例二的另一种结构的无线充电模组的俯视图(隐藏第一胶层后)；图9为本发明实施例三的无线充电模组的俯视图(隐藏第一胶层后)；图10为本发明实施例三的另一种结构的无线充电模组的俯视图(隐藏第一胶层后)；图11为本发明实施例四的无线充电模组的俯视图(隐藏第一胶层后)；图12为本发明实施例五的无线充电模组的俯视图(隐藏第一胶层后)。标号说明：1、充电线圈；2、外圈磁片；3、中心磁片；4、通孔；5、缝隙；6、第一导磁层；7、第二导磁层；8、第一切割图形；9、绝缘胶层；10、内缘面；11、第一胶层；12、第二胶层；13、第三胶层；14、第二切割图形。具体实施方式为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。纳米晶带材即为纳米晶软磁合金带材；非晶带材即为非晶软磁合金带材；金属软磁带材包括但不限于工业纯铁带材、fe-si带材和坡莫合金带材等。请参照图1至图12，一种无线充电模组用屏蔽片，包括外圈磁片2和中心磁片3，外圈磁片2上设有通孔4，中心磁片3设于所述通孔4内，所述中心磁片3的周壁与所述通孔4的壁面之间具有缝隙5；所述外圈磁片2包括至少一层第一导磁层6，所述第一导磁层6为纳米晶带材、非晶带材或金属软磁带材；所述中心磁片3包括至少一层第二导磁层7，所述第二导磁层7为纳米晶带材、非晶带材或金属软磁带材。本发明的结构/工作原理简述如下：平行于外圈磁片2的磁力线会诱发外圈磁片2产生垂直于外圈磁片2的涡流，由于外圈磁片2中纳米晶带材、非晶带材或金属软磁带材本身厚度很薄(只有10～30μm)，且层与层之间又存在绝缘的高分子胶，外圈磁片2本身就无法生较大涡流；而未碎片化的中心磁片3尽管会导致损耗的略微增加，但较高的磁导率又会提高中心磁片3的聚磁能力，使充电效率大大提高，同时其工艺简单，无需增加其他工艺步骤。从上述描述可知，本发明的有益效果在于：由于外圈磁片2与感应涡流的方向垂直，当外圈磁片2有多层第一导磁层6层叠时，层叠的第一导磁层6之间存在绝缘胶，因此无论外圈磁片2磁损耗μ〞有多高，其本身并不会产生长自由程涡流(当外圈磁片2只有一层第一导磁层6时，单层第一导磁层6厚度较薄(厚度≤30μm)，也不会产生长自由程涡流)，所以，外圈磁片2既保持了超高的导磁性能同时又能有较低的涡流损耗；此外，虽然磁场在中心磁片3产生涡流是在磁片面内，但中心磁片3与外圈磁片2之间通过缝隙5隔离，所以中心磁片3上也不会出现长自由程涡流。通过仿真模拟，本屏蔽片与传统的屏蔽片相比，在相同的屏蔽性能的条件下，外圈磁片2和中心磁片3层叠的数量更少，所以有利于屏蔽片的小型化、轻薄化，同时模组充电效率和饱和电流还有所提升；而且不需要在材料中额外加入“气隙”或“绝缘裂纹”的工艺，可以缩短工艺制程，从而提高产品的良率，降低无线充电模组的生产成本。进一步的，外圈磁片2与中心磁片3厚度相同。进一步的，第一导磁层6的材质与第二导磁层7的材质相同，所述外圈磁片2与所述中心磁片3由同一块导磁片切割成型。进一步的，第一导磁层6的材质与第二导磁层7的材质不同。由上述描述可知，第一导磁层6的材质与第二导磁层7的材质既可以是相同的，也可以是不同的，为方便采购、制造，优选两者相同。第一导磁层6的材质与第二导磁层7的材质相同时，加工的过程中，通过机械切割、激光切割等切割方式直接在导磁片上切割缝隙5即可同时得到中心磁片3与外圈磁片2，大大提高了屏蔽片的生产效率，有效地降低了屏蔽片的制造成本；第一导磁层6的材质与第二导磁层7的材质不同时，通过机械切割、激光切割等切割方式直接在导磁片切割出中心磁片3，并在材质不同的另一导磁片上切割出外圈磁片2，然后将两者组合。容易理解的，当第一导磁层与第二导磁层材料相同时(如均为纳米晶材料时)，中心磁片3与外圈磁片2也可以是由不同的导磁片切割而成的，详细来讲，先通过机械切割、激光切割等切割方式直接在一导磁片切割出中心磁片3，并在材质相同的另一导磁片上切割出外圈磁片2，然后，将两者组装在一起。进一步的，所述中心磁片3上具有第一切割图形8，所述第一切割图形8将每个所述第二导磁层7分别切割成多个第一小块。由上述描述可知，在切割缝隙5时，可以选择对中心磁片3进行一定程度的切割，使得中心磁片3形成类碎片化的效果，从而降低中心磁片3的磁损耗，利于进一步提高充电效率。进一步的，所述外圈磁片2上具有第二切割图形14，所述第二切割图形14将每个所述第一导磁层6分别切割成多个第二小块。由上述描述可知，在切割缝隙5时，可以选择对外圈磁片2进行一定程度的切割，使得外圈磁片2形成类碎片化的效果，从而降低外圈磁片2的磁损耗，利于进一步提高充电效率。进一步的，所述外圈磁片2包括通过绝缘胶层9叠相连的多层第一导磁层6；和/或，所述中心磁片3包括通过绝缘胶层9叠相连的多层第二导磁层7。由上述描述可知，可根据实际需要选择外圈磁片2、中心磁片3的厚度。进一步的，所述中心磁片3的顶面与所述外圈磁片2的顶面共面并通过第一胶层11相连；和/或，所述中心磁片3的底面与所述外圈磁片2的底面共面并通过第二胶层12相连。进一步的，所述缝隙5内填充有空气或非磁性材料。由上述描述可知，非磁性材料包括但不限于非磁性胶质、非磁性膜、非磁性纸等等。无线充电模组，包括充电线圈1，还包括上述无线充电模组用屏蔽片，所述中心磁片3对应于所述充电线圈1的中空区域设置。由上述描述可知，无线充电模组具有充电效率高、制造成本低的优势。充电线圈1可以选择粘接在外圈磁片2的底面。进一步的，所述充电线圈1的内缘面10与中心磁片3的周壁共面。由上述描述可知，所述充电线圈1的内缘面10与中心磁片3的周壁共面可以防止漏磁，即穿过充电线圈1中空区域的磁力线直接穿到外圈磁片2上，利于保证中心磁片3的聚磁性能，确保无线充电模组的充电效率。容易理解的，充电线圈1的内缘面10即为充电线圈1的内径面，其为垂直于外圈磁片2的连续的环形面。实施例一请参照图1至图5，本发明的实施例一为：请结合图1至图3，无线充电模组，包括充电线圈1和无线充电模组用屏蔽片，本实施例中，所述充电线圈1粘接于所述无线充电模组用屏蔽片的底部。所述无线充电模组用屏蔽片包括未经碎片化处理的外圈磁片2和未经碎片化处理的中心磁片3，外圈磁片2上设有通孔4，中心磁片3设于所述通孔4内且对应于所述充电线圈1的中空区域设置，所述中心磁片3的周壁与所述通孔4的壁面之间具有缝隙5；所述外圈磁片2包括至少一层第一导磁层6，所述第一导磁层6为纳米晶带材、非晶带材或金属软磁带材；所述中心磁片3包括至少一层第二导磁层7，所述第二导磁层7为纳米晶带材、非晶带材或金属软磁带材。所述缝隙5呈连续的完整的环状。进一步的，所述缝隙5内填充有空气或非磁性材料，所述非磁性材料可以是非磁性胶质(如高分子绝缘胶)、非磁性膜、非磁性纸等一些非磁性物质。为便于加工、降低屏蔽片及无线充电模组的制造成本，本实施例中，第一导磁层6的材质与第二导磁层7的材质相同，外圈磁片2与中心磁片3厚度相同，所述外圈磁片2与所述中心磁片3由同一块导磁片切割成型。容易理解的，在其他实施例中，第一导磁层6的材质与第二导磁层7的材质可以是不同的，换句话说，中心磁片3与外圈磁片2是由不同材质的导磁片切割而成的，例如，第一导磁层6的材质为非晶带材，而第二导磁层7的材质为纳米晶带材等；同样的，外圈磁片2与中心磁片3厚度也可以是不同的，例如中心磁片3的厚度大于外圈磁片2的厚度，如此使得中心磁片3的一部分能够伸入到充电线圈1的中空区域内，从而提高中心磁片3的屏蔽性能，进一步改善无线充电模组的充电效率。优选的，所述外圈磁片2包括通过绝缘胶层9叠相连的多层第一导磁层6；和/或，所述中心磁片3包括通过绝缘胶层9叠相连的多层第二导磁层7。进一步优选，所述第一导磁层6的数量为两层或三层，所述第二导磁层7的数量为两层或三层。本实施例中，所述第一、二导磁层分别为纳米晶带材，所述纳米晶带材厚度为10-30μm。为保证中心磁片3的聚磁效果、防止漏磁，进一步提高无线充电模组的充电效率，优选的，所述充电线圈1的内缘面10与中心磁片3的周壁共面。容易理解的，所述充电线圈1的内缘面10呈环状，无线充电线圈1最靠近其自身中心轴线的各个点位均位于所述内缘面10上。所述中心磁片3的顶面与所述外圈磁片2的顶面共面并通过第一胶层11相连；和/或，所述中心磁片3的底面与所述外圈磁片2的底面共面并通过第二胶层12相连。第一胶层11和第二胶层12分别为绝缘胶，本实施例中，所述第一胶层11和第二胶层12分别为丙烯酸胶层。由于外圈磁片2与感应涡流的方向垂直，磁片厚度较薄，同时层叠纳米晶带材之间存在绝缘胶层9，所以无论外圈磁片2磁损耗μ〞有多高，其本身并不会产生长自由程涡流，所以外圈磁片2可以保持超高的导磁性能而不会产生高涡流损耗；此外，虽然磁场在中心磁片3产生涡流是在磁片面内，但较高的磁导率会使充电效率大大提升，模组损耗降低。而且中心磁片3和外圈磁片2由同一片导磁片切割而成，因而工艺较为简单，无需增加其他工艺步骤，实现成本节约。本屏蔽片相比于与传统的磁性屏蔽片，不需要用到在材料中加入“气隙”或“绝缘裂纹”的工艺，可以缩短工艺制程，同时在相同的屏蔽性能的条件下，导磁层层叠的数量更少，所以有利于屏蔽片的小型化、轻薄化；同时充电效率、饱和电流还有所提升。上述无线充电模组的制备方法(以纳米晶带材材质举例)，步骤1：提供纳米晶带材，并对纳米晶带材进行热处理；步骤2：对经过步骤1的纳米晶带材进行覆胶；步骤3：将n个覆胶后的纳米晶带材进行层叠，并使相邻两个纳米晶带材粘接，得到纳米晶磁片(即前述导磁片)，n为大于或等于1的整数；优选的，所述n为2或3。步骤4：对纳米晶磁片进行轮廓切割以及缝隙5切割，得到外圈磁片2以及中心磁片3；步骤7：将中心导磁片的顶面与外圈磁片2的顶面贴于同一胶层(即前述第一胶层11)。组装人员将充电线圈1安装好后，即充电线圈1的顶面贴合在外圈磁片2的底部，充电线圈1的内缘面10与中心磁片3的周壁重合后，还需要将充电线圈1的底面、中心磁片3的底面贴合在一绝缘层上(即第三胶层13上)，从而完成无线充电模组的制作。发明人制造了一批样品，并对样品进行了测试。纳米晶合金带材牌号：1k107b，厚度为20μm。使用热处理炉(例如氮气炉)对纳米晶带材进行热处理。热处理具体过程如下：首先让纳米晶带材随炉升温至550℃，之后进行2小时的保温，再以600℃/h的速度冷却至室温出炉。对热处理后的带材进行单面覆胶；对单面覆胶的纳米晶带材进行贴合，得到3层纳米晶片(即前述导磁片)。对获得的纳米晶片进行模切，按照无线充电模组设计的外形尺寸和充电线圈1内径尺寸对3层纳米晶片进行模切缝隙5，并保留位于中心的高磁导率纳米晶磁材(即中心磁片3)，得到屏蔽片；测试：将制备好的样品1与充电线圈1等部件组装后得到无线充电模组，并对无线充电模组进行电性能测试。为了更好的与传统工艺制作的屏蔽片进行对比，发明人还加入了用传统工艺制作的4层纳米晶屏蔽片对应的无线充电模组作为对照组，样品测试结果如表1所示。表1样品测试结果对比表样品编号线圈电感l/μh品质因数q交流电阻rs/mω样品18.1123.83214.46对照组8.0219.88251.21从表1可知，样品1电感整体高于对照组，同时q值也有一定增加，此外，其交流损耗也有一定的下降。接下来，利用饱和电流测试平台对样品1和对照组进行饱和电流性能测试对比，测试结果如表2所示。表2饱和电流测试对比表如表2所示，通过饱和电流对比分析，样品1的饱和电流性能远高于对照组。最后，利用15w平台对样品1和对照组进行充电效率测试对比，测试结果如表3所示。表315w平台充电效率测试对比表如表3所示，通过充电效率的对比分析，样品1的充电效率远高于对照组。实施例二请参阅图4至图8，本发明实施例二是在实施例一的基础上提出的改进方案，与实施例一的不同之处仅在于中心磁片3上具有第一切割图形8，具体为：所述中心磁片3上设有第一切割图形8，所述第一切割图形8将每个所述第二导磁层7分别切割成多个第一小块，所述第一切割图形8包括多个切割线槽。可选的，所述第一切割图形8的切割线槽内也可以如缝隙5一样填充空气或者非磁性材料。所述中心磁片3上的第一切割图形8的设置，可以让中心磁片3获得类碎片化效果，从而提高充电效率。加工时，在切割缝隙5的过程中即可进行第一切割图形8的加工，本实施例中，所述第一切割图形8是呈栅格状的，在其他实施例中，所述第一切割图形8还可以是呈十字状(如图5所示)、米字状(如图6所示)、放射线状(如图7所示)、斜线状(如图8所示)等形状的。发明人制造了样品2，并对样品2进行了测试。纳米晶合金带材牌号：1k107b，厚度为20μm。使用热处理炉(例如氮气炉)对纳米晶带材进行热处理。热处理具体过程如下：首先让纳米晶带材随炉升温至550℃，之后进行2小时的保温，再以600℃/h的速度冷却至室温出炉。对热处理后的带材进行单面覆胶；对单面覆胶的纳米晶带材进行贴合，得到3层纳米晶片(即前述导磁片)。对获得的纳米晶片进行模切，按照无线充电模组设计的外形尺寸和充电线圈1内径尺寸对3层纳米晶片进行模切缝隙5，同时模切呈栅格状的第一切割图形8，并保留位于中心的高磁导率纳米晶磁材(即中心磁片3)，得到屏蔽片；需要说明的是，通过设计模切设备上模切刀的具体构造，在模切纳米晶片时可同时模切出缝隙5与第一切割图形8；测试：将制备好的样品2与充电线圈1等部件组装后得到无线充电模组，并对无线充电模组进行电性能测试。为了更好的与传统工艺制作的屏蔽片进行对比，发明人还加入了实施例一中的样品1以形成对比，样品测试结果如表4所示。表4样品测试结果对比表样品编号线圈电感l/μh品质因数q交流电阻rs/mω样品18.1123.83214.46样品28.0523.94208.72从表4可知，样品2的电感略低于样品1，但q值有一定增加，此外，其交流损耗有一定的下降。接下来，利用饱和电流测试平台对样品1和样品2进行饱和电流性能测试对比，测试结果如表5所示。表5饱和电流测试对比表如表5所示，通过饱和电流对比分析，样品2的饱和电流性能整体略高于样品1。最后，利用15w平台对样品1和样品2进行充电效率测试对比，测试结果如表6所示。表615w平台充电效率测试对比表如表6所示，通过充电效率的对比分析，样品2的充电效率略高于样品1。实施例三请参阅图9和图10，本发明实施例三是在实施例一的基础上提出的改进方案，与实施例一的不同之处仅在于外圈磁片2上具有第二切割图形14，具体为：所述外圈磁片2上设有第二切割图形14，所述第二切割图形14将每个所述第一导磁层6分别切割成多个第二小块，所述第二切割图形14包括多个切割线槽。可选的，所述第二切割图形14的切割线槽内也可以如缝隙5一样填充空气或者非磁性材料。所述外圈磁片2上的第二切割图形14的设置，可以让外圈磁片2获得类碎片化效果，从而提高充电效率。加工时，在切割缝隙5的过程中即可进行第二切割图形14的加工，本实施例中，所述第二切割图形14是呈米字状的，在其他实施例中，所述第二切割图形14还可以是呈十字状、放射线状(如图10所示)、斜线状等形状的。发明人制造了样品3，并对样品3进行了测试。纳米晶合金带材牌号：1k107b，厚度为20μm。使用热处理炉(例如氮气炉)对纳米晶带材进行热处理。热处理具体过程如下：首先让纳米晶带材随炉升温至550℃，之后进行2小时的保温，再以600℃/h的速度冷却至室温出炉。对热处理后的带材进行单面覆胶；对单面覆胶的纳米晶带材进行贴合，得到3层纳米晶片(即前述导磁片)。对获得的纳米晶片进行模切，按照无线充电模组设计的外形尺寸和充电线圈1内径尺寸对3层纳米晶片进行模切缝隙5，同时模切呈米字状的第二切割图形14，并保留位于中心的高磁导率纳米晶磁材(即中心磁片3)，得到屏蔽片；需要说明的是，通过设计模切设备上模切刀的具体构造，在模切纳米晶片时可同时模切出缝隙5与第二切割图形14；测试：将制备好的样品3与充电线圈1等部件组装后得到无线充电模组，并对无线充电模组进行电性能测试。为了更好的与传统工艺制作的屏蔽片进行对比，发明人还加入了实施例一中的样品1以形成对比，样品测试结果如表7所示。表7样品测试结果对比表样品编号线圈电感l/μh品质因数q交流电阻rs/mω样品18.1123.83214.46样品38.0324.09209.45从表7可知，样品3的电感略低于样品1，但q值有一定增加，此外，其交流损耗有一定的下降。接下来，利用饱和电流测试平台对样品1和样品3进行饱和电流性能测试对比，测试结果如表8所示。表8饱和电流测试对比表如表8所示，通过饱和电流对比分析，样品3的饱和电流性能整体略高于样品1。最后，利用15w平台对样品1和样品3进行充电效率测试对比，测试结果如表9所示。表915w平台充电效率测试对比表如表9所示，通过充电效率的对比分析，样品3的充电效率略高于样品1。实施例四请参阅图11，本发明实施例四是在实施例一的基础上提出的改进方案，与实施例一的不同之处仅在于中心磁片3上具有第一切割图形8以及外圈磁片2上具有第二切割图形14，具体为：所述中心磁片3上设有第一切割图形8，所述第一切割图形8将每个所述第二导磁层7分别切割成多个第一小块，所述第一切割图形8包括多个切割线槽；所述外圈磁片2上设有第二切割图形14，所述第二切割图形14将每个所述第一导磁层6分别切割成多个第二小块，所述第二切割图形14包括多个切割线槽。可选的，所述第一切割图形8的切割线槽以及所述第二切割图形14的切割线槽内也可以如缝隙5一样填充空气或者非磁性材料。加工时，在切割缝隙5的过程中即可进行第一切割图形8以及第二切割图形14的加工。可选的，所述第一切割图形8呈栅格状、十字状、米字状、放射线状、斜线状等形状；所述第二切割图形14呈米字状、放射线状、斜线状等形状。发明人制造了样品4，并对样品4进行了测试。纳米晶合金带材牌号：1k107b，厚度为20μm。使用热处理炉(例如氮气炉)对纳米晶带材进行热处理。热处理具体过程如下：首先让纳米晶带材随炉升温至550℃，之后进行2小时的保温，再以600℃/h的速度冷却至室温出炉。对热处理后的带材进行单面覆胶；对单面覆胶的纳米晶带材进行贴合，得到3层纳米晶片(即前述导磁片)。对获得的纳米晶片进行模切，按照无线充电模组设计的外形尺寸和充电线圈1内径尺寸对3层纳米晶片进行模切缝隙5，同时模切呈栅格状的第一切割图形8以及呈米字状的第二切割图形14，并保留位于中心的高磁导率纳米晶磁材(即中心磁片3)，得到屏蔽片；测试：将制备好的样品4与充电线圈1等部件组装后得到无线充电模组，并对无线充电模组进行电性能测试。为了更好的与传统工艺制作的屏蔽片进行对比，发明人还加入了实施例一中的样品1以形成对比，样品测试结果如表10所示。表10样品测试结果对比表样品编号线圈电感l/μh品质因数q交流电阻rs/mω样品18.1123.83214.46样品48.0824.27209.21从表10可知，样品4的电感略低于样品1，但q值有一定增加，此外，其交流损耗有一定的下降。接下来，利用饱和电流测试平台对样品1和样品4进行饱和电流性能测试对比，测试结果如表11所示。表11饱和电流测试对比表如表11所示，通过饱和电流对比分析，样品4的饱和电流性能整体略高于样品1。最后，利用15w平台对样品1和样品4进行充电效率测试对比，测试结果如表12所示。表1215w平台充电效率测试对比表如表12所示，通过充电效率的对比分析，样品4的充电效率略高于样品1。实施例五请参阅图12，本发明实施例五是在实施例一的基础上提出的改进方案，与实施例一的不同之处仅在于中心磁片3上具有第一切割图形8以及外圈磁片2上具有第二切割图形14，具体为：所述中心磁片3上设有第一切割图形8，所述第一切割图形8将每个所述第二导磁层7分别切割成多个第一小块，所述第一切割图形8包括多个切割线槽；所述外圈磁片2上设有第二切割图形14，所述第二切割图形14将每个所述第一导磁层6分别切割成多个第二小块，所述第二切割图形14包括多个切割线槽。可选的，所述第一切割图形8的切割线槽以及所述第二切割图形14的切割线槽内也可以如缝隙5一样填充空气或者非磁性材料。加工时，在切割缝隙5的过程中即可进行第一切割图形8以及第二切割图形14的加工。可选的，所述第一切割图形8呈栅格状、十字状、米字状、放射线状、斜线状等形状；所述第二切割图形14呈米字状、放射线状、斜线状等形状。发明人制造了样品5，并对样品5进行了测试。纳米晶合金带材牌号：1k107b，厚度为20μm。使用热处理炉(例如氮气炉)对纳米晶带材进行热处理。热处理具体过程如下：首先让纳米晶带材随炉升温至550℃，之后进行2小时的保温，再以600℃/h的速度冷却至室温出炉。对热处理后的带材进行单面覆胶；对单面覆胶的纳米晶带材进行贴合，得到3层纳米晶片(即前述导磁片)。对获得的纳米晶片进行模切，按照无线充电模组设计的外形尺寸和充电线圈1内径尺寸对3层纳米晶片进行模切缝隙5，同时模切呈米字状的第一切割图形8以及呈米字状的第二切割图形14，并保留位于中心的高磁导率纳米晶磁材(即中心磁片3)，得到屏蔽片；测试：将制备好的样品5与充电线圈1等部件组装后得到无线充电模组，并对无线充电模组进行电性能测试。为了更好的与传统工艺制作的屏蔽片进行对比，发明人还加入了实施例一中的样品1以形成对比，样品测试结果如表13所示。表13样品测试结果对比表从表13可知，样品5的电感略低于样品1，但q值有一定增加，此外，其交流损耗有一定的下降。接下来，利用饱和电流测试平台对样品1和样品5进行饱和电流性能测试对比，测试结果如表14所示。表14饱和电流测试对比表如表14所示，通过饱和电流对比分析，样品5的饱和电流性能整体略高于样品1。最后，利用15w平台对样品1和样品5进行充电效率测试对比，测试结果如表15所示。表1515w平台充电效率测试对比表如表15所示，通过充电效率的对比分析，样品5的充电效率略高于样品1。综上所述，本发明提供的无线充电模组用屏蔽片及无线充电模组，相比于与传统的磁性屏蔽片及充电模组，在相同的屏蔽性能的条件下，无线充电模组充电效率、饱和电流都有所提升；另外，在屏蔽片生产过程中无需使用传统的“碎磁”工艺有利于减少屏蔽片的制程，降低屏蔽片的制造成本。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的
技术领域：
，均同理包括在本发明的专利保护范围内。当前第1页12