一种DIP转SMD的一体成型电感结构的制作方法

本发明属于电感元器件技术领域，具体为一种dip转smd的一体成型电感结构。

背景技术：

一体成型电感(moldingchoke)是高端电感的一种，是直接用磁芯材料在线圈上成型制造，具备结构坚实牢固、特性精准等特点；采用磁屏蔽结构，路闭合抗电干扰强(emi)；超低蜂鸣叫，可高密；产品小体积、大电流，在复杂环境下仍保持优良的温升特性和电感特性。非常合适应用于轻薄化智能移动终端产品的dc-dc(直流到直流)电源管理模块(pmu)，适用于手机、汽车、航空、通信、电动汽车及充电桩等多领域

moldingchock需求猛增，寡头垄断竞争：moldingchoke不仅可以用于手机，还可以用于汽车、航空、通信等多领域。仅以手机市场需求来看，目前moldingchoke主要是苹果、三星应用主导，hov等品牌使用率较低，产品供不应求。预计到2020年，单只手机使用26颗渗透率70％，全球年需求364亿只，市场规模72.8亿元，年复合增长约33％。

moldingchoke目前供不应求，未来五年将是行业高速成长期；moldingchoke已经成为领导品牌厂商的不二选择，随着产能的释放，预计将有更多的手机、汽车、通信、电动汽车及充电桩等领域使用

moldingchoke比传统电感的优势有：体积小、rdc低、额定电流大、效率高、不易产生noise、高负载好、不易受到电磁干扰、质量佳、使用的线材耐温等级高(h级以上)、不产生集肤现象、随频率变化比较稳定。

目前市面上moldingchoke的smd其感值范围比较窄且产品高度也比较低，还有好多传统电感无法代替；且其加工工序由于需要进行设备及参数定制，加工成本高，对主流生产线适应性差，推广生产难度大。

技术实现要素：

本发明的目的是针对以上问题，提供一种dip转smd的一体成型电感结构，它为一种采用插件转贴片式的一体成型电感，很大程度上填补了目前贴片式无法达到的空白，即感量高低和产品高低都适用；且同时满足一体成型电感的一切要求：磁屏蔽结构，路闭合抗电干扰强；超低蜂鸣，高密度；大电流，在复杂环境下仍保持优良的温升特性和电感特性等。

为实现以上目的，本发明采用的技术方案是：一种dip转smd的一体成型电感结构，它包括绕组本体和座体，所述绕组本体由绕组线圈和绕组引出脚组成，所述绕组线圈与绕组引出脚的连接处为线圈引出端；所述座体为一种完全包覆绕组线圈的金属粉末压制成型块体；所述座体底面上设置有出脚口，所述绕组引出脚一端通过出脚口在底面一侧设置有引脚弯整段；所述引脚弯整段水平贴合设置在底面上。

进一步的，所述绕组线圈上下的线圈引出端设置在绕组线圈同一侧，所述出脚口并排位于呈矩形的底面的长边一侧。

进一步的，所述绕组线圈上下的线圈引出端分别设置在绕组线圈两侧，所述出脚口并排位于呈矩形的底面的短边一侧。

进一步的，所述座体在底面上方和引脚弯整段下方设置有座体垫层。

进一步的，它的高度为3mm-13mm。

进一步的，它的电感量l值为0.22uh-68uh。

进一步的，所述座体为一种合金粉或羟基铁粉压制成型块体。

进一步的，所述绕组线圈为扁平线圈。

本发明的有益效果：

1、本发明中绕组本体通过绕组线圈和一侧的绕组引出脚，配合一体成型工艺，实现由插件式成型转贴片式成型加工，从而达到采用的成型机台无特殊要求且价位不高及操作简单等效果。

2、相对于市面上的moldingchoke的smd其正常高度为5mmmax，l值为10uhmax；而本发明产品其高度范围在3mm-13mm之间，l值为0.22uh-68uh；调节范围比较广；提供了一套目前贴片电感无法达到的空白，即产品高度及感量。

3、本发明的结构与目前moldingchoke的smd也不一样，采用的是扁平线圈非圆线打扁及普通成型机非专用成型机和出脚位置从产品底部出脚非产品侧面出脚。

4、本发明采用插件式成型再转贴片方式进行，非专用的贴片式成型；完美地利用当前一体式成型领域成熟的插件式成型加工工艺，转贴片加工成型来达到更符合加工需求的贴片式一体成型电感。

5、本发明还具有磁屏蔽结构，抗电磁干扰能力强；损耗低、效率高、适用频率广、适用范围广；轻量化设计，节省空间，适合高密度smt等功能。

附图说明

图1为本发明的立体结构示意图。

图2为本发明的纵剖内部立体结构示意图。

图3为本发明的加工转smd前的立体结构示意图。

图4为本发明的加工转smd前的绕组本体1立体结构示意图。

图5为本发明中优选实施例的绕组本体1立体结构示意图。

图6为本发明中优选实施例的纵剖内部立体结构示意图.

图中：1、绕组本体；2、座体；3、绕组线圈；4、绕组引出脚；5、座体垫层；6、底面；7、出脚口；8、侧面；9、线圈引出端；10、引脚弯整段。

具体实施方式

为了使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本发明的保护范围有任何的限制作用。

如图1-图6所示，本发明的具体结构为：一种dip转smd的一体成型电感结构，它包括绕组本体1和座体2，其特征在于，所述绕组本体1由绕组线圈3和绕组引出脚4组成，所述绕组线圈3与绕组引出脚4的连接处为线圈引出端9；所述座体2为一种完全包覆绕组线圈3的金属粉末压制成型块体；所述座体2底面上设置有出脚口7，所述绕组引出脚7一端通过出脚口7在底面一侧设置有引脚弯整段10；所述引脚弯整段10水平贴合设置在底面6上。

优选的，所述绕组线圈3上下的线圈引出端9设置在绕组线圈3同一侧，所述出脚口7并排位于呈矩形的底面6的长边一侧。

优选的，所述绕组线圈3上下的线圈引出端9分别设置在绕组线圈3两侧，所述出脚口7并排位于呈矩形的底面6的短边一侧。

为了进一步实现结构转smd的贴片弯整加工定位，所述座体2在底面6上方和引脚弯整段10下方设置有座体垫层5。

优选的，本发明结构的高度为3mm。

优选的，本发明结构的高度为13mm。

优选的，本发明的电感量l值为0.22uh。

优选的，本发明的电感量l值为68uh。

优选的，所述座体2为一种合金粉压制成型块体。

优选的，所述座体2为一种羟基铁粉压制成型块体。

优选的，所述绕组线圈3为扁平线圈。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，由于文字表达的有限性，而客观上存在无限的具体结构，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进、润饰或变化，也可以将上述技术特征以适当的方式进行组合；这些改进润饰、变化或组合，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均应视为本发明的保护范围。