1.一种基于耦合馈电的宽带双极化天线单元，其特征在于，包括逐层连接的辐射层（1）、馈电层（2）、金属基板（4）和连接结构（3）；
辐射层（1）与馈电层（2）耦合；
辐射层（1）包括第一基片集成波导腔结构，以及设置于第一基片集成波导腔结构端面的主辐射贴片（13）和寄生辐射贴片（11），主辐射贴片（13）和寄生辐射贴片（11）相匹配；
馈电层（2）中包括相互正交的第一缝隙馈电和第二缝隙馈电，连接结构（3）贯穿金属基板（4）并分别连接到第一缝隙馈电和第二缝隙馈电。
2.如权利要求1所述的宽带双极化天线单元，其特征在于，所述辐射层（1）包括逐层设置的辐射层地（17）、辐射层下层介质基片（16）、辐射层半固化片（15）、辐射层上层介质基片（14）以及上表面金属层（12），辐射层（1）还包括辐射层金属化通孔（19）、主辐射贴片（13）和寄生辐射贴片（11）；
辐射层金属化通孔（19）贯穿辐射层下层介质基片（16）、辐射层半固化片（15）和辐射层上层介质基片（14），将辐射层地（17）和上表面金属层（12）导通，形成第一基片集成波导腔结构；
主辐射贴片（13）设置于辐射层上层介质基片（14）的下表面，寄生辐射贴片（11）设置于辐射层上层介质基片（14）的上表面；
辐射层地（17）开有辐射层地通孔（171）。
3.如权利要求2所述的宽带双极化天线单元，其特征在于，所述辐射层金属化通孔（19）的孔心距小于λ/10，λ为电磁波波长。
4.如权利要求2所述的宽带双极化天线单元，其特征在于，所述辐射层下层介质基片（16）和辐射层半固化片（15）上，均开设有辐射层非金属化通孔（18）。
5.如权利要求1所述的宽带双极化天线单元，其特征在于，馈电层（2）还包括第二基片集成波导腔结构，第一缝隙馈电包括第一耦合缝隙和第一极化馈线，第二缝隙馈电包括第二耦合缝隙和第二极化馈线，第一耦合缝隙和第二耦合缝隙相互正交地设置于第二基片集成波导腔结构端面，第一极化馈线和第二极化馈线相互正交地设置于第二基片集成波导腔结构中。
6.如权利要求1所述的宽带双极化天线单元，其特征在于，所述馈电层（2）包括逐层设置的馈电层地（27）、馈电层下层介质基片（26）、馈电层下层半固化片（25）、馈电层中层介质基片（24）、馈电层上层半固化片（23）、馈电层上层介质基片（22）和耦合层（21）；
馈电层金属化通孔（28）贯穿馈电层上层介质基片（22）、馈电层上层半固化片（23）、馈电层中层介质基片（24）、馈电层下层半固化片（25）和馈电层下层介质基片（26），将馈电层地（27）和耦合层（21）导通，形成第二基片集成波导腔结构；
馈电层下层介质基片（26）上表面设置有第一极化馈线；
馈电层中层介质基片（24）上表面设置第二极化馈线；
耦合层（21）上设置有正交的第一耦合缝隙和第二耦合缝隙，其中，第一耦合缝隙与第一极化馈线对应，第二耦合缝隙与第二极化馈线对应；
馈电层（2）包括两组非金属化通孔，其中一组为贯穿馈电层下层介质基片（26）的第一非金属化通孔（262），另一组为贯穿馈电层中层介质基片（24）、馈电层下层半固化片（25）和馈电层下层介质基片（26）的第二非金属化通孔（242）；
馈电层地（27）对应于第一极化馈线和第二极化馈线的位置，开有两开窗，以对连接结构（3）的波针（31）进行避让。
7.如权利要求6所述的宽带双极化天线单元，其特征在于，馈电层（2）还包括两组馈电层非金属化通孔（29），其中一组贯穿耦合层（21）、馈电层上层介质基片（22）、馈电层上层半固化片（23）、馈电层中层介质基片（24）、馈电层下层半固化片（25），到达第一极化馈线；另一组贯穿耦合层（21）、馈电层上层介质基片（22）、馈电层上层半固化片（23），到达第二极化馈线。
8.如权利要求6或7所述的宽带双极化天线单元，其特征在于，所述第一耦合缝隙和第二耦合缝隙为两组正交的“工”形耦合缝隙。
9.如权利要求6或7所述的宽带双极化天线单元，其特征在于，所述馈电层金属化通孔（28）的孔心距小于λ/10，λ为电磁波波长。