技术总结
本申请公开了一种MOS器件的制作方法和版图，该方法包括：提供一衬底，衬底上形成有栅氧，栅氧上形成有栅极；在衬底上的目标区域覆盖光阻，衬底上暴露的区域是需要离子注入的区域；进行LDD注入，在栅极两侧的衬底中形成LDD区；其中，光阻与栅极的距离满足当MOS器件需要口袋注入时，口袋注入的离子不会注入至MOS器件的沟道区域。本申请通过在MOS器件的制作过程中，将光阻与栅极的距离设置为满足当MOS器件需要口袋注入时，口袋注入的离子不会注入至MOS器件的沟道区域，从而使得该MOS器件的版图可同时应用于需要口袋注入的工序和不需要口袋注入的工序，由于不需要设计和使用不同的版图，降低了制造成本。降低了制造成本。降低了制造成本。
技术研发人员：陈瑜 陈华伦
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2020.10.14
技术公布日：2021/1/23