驱动电路板及其制作方法与流程

[0001]
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种驱动电路板及其制作方法。


背景技术：

[0002]
随着人们对于显示装置的要求的提升，对于显示装置的背光模组中背板的优化，是一大重要的发展方向。
[0003]
现有的显示装置的背光模组中的驱动电路板，制程复杂，需要7道光罩才能形成，且其中的高温制程易导致驱动电路板中的金属层氧化，影响产品质量。
[0004]
因此，亟需一种新的驱动电路板及其制作方法以解决上述技术问题。


技术实现要素：

[0005]
本申请提供了一种驱动电路板及其制作方法，用于解决现有的显示装置的背光模组中的驱动电路板由于制程复杂，影响产品质量的问题。
[0006]
为了解决上述技术问题，本申请提供的技术方案如下：
[0007]
本申请提出了一种驱动电路板，所述驱动电路板包括衬底、位于所述衬底上的薄膜晶体管、及位于所述薄膜晶体管两侧的第一端子及第二端子；
[0008]
其中，所述第一端子和/或所述第二端子中的至少一金属层与所述薄膜晶体管中的栅极层和/或源漏极层同层设置。
[0009]
本申请提供的驱动电路板中，所述第一端子及所述第二端子包括一与所述栅极层同层设置的金属层。
[0010]
本申请提供的驱动电路板中，所述驱动电路板还包括位于所述栅极层、所述第一端子、以及所述第二端子上的第一保护层；
[0011]
其中，所述第一保护层的材料为金属氧化物。
[0012]
本申请提供的驱动电路板中，所述驱动电路板还包括位于所述第二端子上的连接端子，所述连接端子通过所述连接端子与所述第二端子之间的至少一第一开口与所述第二端子电连接，所述第一开口位于所述第二端子对应的所述第一保护层上；或者，
[0013]
所述驱动电路板还包括与所述第二端子对应的光源，所述光源通过所述第一开口与所述第二端子电连接。
[0014]
本申请提供的驱动电路板中，所述驱动电路板还包括位于所述源漏极层或/和连接端子上的第二保护层；
[0015]
其中，所述第二保护层的材料为钼、钛、镍的金属或合金中的至少一种。
[0016]
本申请提供的驱动电路板中，所述连接端子通过所述连接端子与光源之间的至少一第二开口与所述光源电连接，所述第二开口位于所述连接端子对应的所述第二保护层上。
[0017]
本申请提供的驱动电路板中，所述第一保护层的第一侧面与所述衬底形成的第一夹角小于或等于90度，和/或所述第二保护层的第二侧面与所述衬底形成的第二夹角小于
或等于90度。
[0018]
本申请提供的驱动电路板中，所述第一端子、所述栅极层、所述源漏极层、或所述第二端子中的至少一者的第三侧面与所述衬底形成的第三夹角大于30度且小于75度。
[0019]
本申请还提供了一种驱动电路板的制作方法，包括：
[0020]
在衬底上形成第一金属层以及第一保护层；
[0021]
在所述第一保护层上形成第二金属层以及第三金属层；
[0022]
所述第三金属层经第一预定工艺形成第二保护层；
[0023]
其中，所述第一金属层包括所述驱动电路板的薄膜晶体管的栅极层、位于所述薄膜晶体管两侧的第一端子及第二端子；
[0024]
所述第二金属层包括所述薄膜晶体管的源漏极层、及位于所述第二端子上的连接端子。
[0025]
本申请提供的驱动电路板的制作方法中，所述第三金属层经第一预定工艺形成第二保护层的步骤包括：
[0026]
去除所述连接端子对应的所述第三金属层以形成所述第二保护层。
[0027]
有益效果：本申请通过将驱动电路板中的第一端子或第二端子中的至少一金属层与栅极层和/或源漏极层同层设置，减少了驱动电路板的工艺制程中使用的光罩的数量，简化了制程工艺，节约了产品的制造成本，提升了产品良率。
附图说明
[0028]
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0029]
图1为本申请的驱动电路板的第一种结构示意图。
[0030]
图2为本申请的驱动电路板的第二种结构示意图。
[0031]
图3为本申请的驱动电路板的第三种结构示意图。
[0032]
图4为本申请的驱动电路板的制作方法流程图。
[0033]
图5a～5g为本申请的驱动电路板的制作方法的示意图。
具体实施方式
[0034]
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0035]
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在
本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0036]
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0037]
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0038]
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0039]
现有的显示装置的背光模组中的驱动电路板，由于制程工艺复杂，影响产品质量的问题。基于此，本申请提出了一种驱动电路板及其制作方法。
[0040]
请参阅图1～3，所述驱动电路板100包括衬底101、位于所述衬底101上的薄膜晶体管102、及位于所述薄膜晶体管102两侧的第一端子103及第二端子104。
[0041]
其中，所述第一端子103和/或所述第二端子104中的至少一金属层与所述薄膜晶体管102中的栅极层和/或源漏极层106同层设置。
[0042]
本实施例中，所述薄膜晶体管102可以为底栅极型薄膜晶体管，也可以为顶栅极型薄膜晶体管或其他类型的薄膜晶体管，在此不作具体限定。
[0043]
本实施例中，所述驱动电路板100可以用于显示装置的背光模组中。
[0044]
本实施例中，当所述第一端子103或所述第二端子104中的至少一金属层与所述栅极层同层设置时，该金属层的材料可以是钼或钼铜合金中的至少一种。
[0045]
本实施例中，当所述第一端子103或所述第二端子104中的至少一金属层与所述源漏极层106同层设置时，该金属层的材料可以包括钼、钛、铜金属或合金中的至少一种，例如：钼/铜合金、钼钛/铜合金等。
[0046]
本实施例中，所述第一端子103可以用于所述驱动电路板100与显示装置中的其他部件的电连接，如与覆晶薄膜的电连接。
[0047]
本实施例中，所述第二端子104可以用于与光源形成电连接。
[0048]
本实施例中，所述驱动电路板100还包括位于所述栅极层105和所述源漏极层106之间的栅极绝缘层、以及有源层。
[0049]
本实施例中，所述栅极绝缘层的材料可以包括硅的氧化物、硅的氮化物、及硅的氮氧化合物、氧化铝、氮化铝中的至少一种。所述栅极绝缘层可以由单一材料形成，例如由氧
化硅、氮化铝形成；所述栅极绝缘层也可以由多种材料叠加形成，例如由氧化硅与氮化硅叠层形成，或由氧化硅、氮化硅与硅的氮氧化合物叠层形成，或氧化硅、氮化硅与氧化铝叠层形成。当所述栅极层105由多种材料叠加形成时，不同材料之间的叠层方式在此不作具体限定。
[0050]
本实施例中，所述驱动电路板100还包括位于所述源漏极层106上的钝化层。
[0051]
本实施例中，所述钝化层的材料可以包括硅的氧化物、硅的氮化物、氧化铝、氮化铝中的至少一种。所述钝化层可以由单一材料形成，如，由氧化硅或氮化铝形成；所述钝化层也可以由多种材料叠加形成，如，由氧化硅与氮化硅叠层形成或氧化硅、氮化硅与氧化铝叠层形成，不同材料之间的叠层方式在此不作具体限定。
[0052]
本申请通过第一端子103或第二端子104中的至少一金属层与栅极层105和/或源漏极层106的同层设置，减少了驱动电路板100的工艺制程中使用的光罩的数量，简化了制程工艺，节约了产品的制造成本，提升了产品良率。
[0053]
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
[0054]
实施例一
[0055]
请参阅图1，所述第一端子103及所述第二端子104包括一与所述栅极层105同层设置的金属层。
[0056]
本实施例中，所述驱动电路板100还包括位于所述栅极层105、所述第一端子103、以及所述第二端子104上的第一保护层107。
[0057]
其中，所述第一保护层107的材料为金属氧化物。
[0058]
本实施例中，所述第一端子103及所述第二端子104的金属层可以与所述栅极层105同材料、同工序形成。
[0059]
本实施例中，所述第一端子103以及所述第二端子104可以只由一金属层构成。
[0060]
本实施例中，所述第一保护层107与所述栅极层105、所述第一端子103、以及所述第二端子104可以在同一工序中形成。
[0061]
本实施例中，所述第一保护层107的材料可以为氧化铟锡、氧化铟锌或其他金属氧化物中的至少一种。
[0062]
所述第一保护层107的设置，用于避免形成所述栅极层105、所述第一端子103、以及所述第二端子104的金属材料，如，铜金属，在所述驱动电路板100的后序工艺制程中，由于高温制程而受到氧化，或是发生离子热扩散，导致金属离子进入至其他膜层，如，栅极绝缘层，导致所述驱动电路板100的性能受影响，并且影响使用所述驱动电路板100的产品质量。
[0063]
本实施例通过所述第一端子103及所述第二端子104的金属层与所述栅极层105同层设置，使所述第一端子103及所述第二端子104的金属层与所述栅极层105能通过同工序、同材料形成，减少了驱动电路板100的工艺制程中使用的光罩的数量，简化了制程工艺，节约了产品的制造成本，提升了产品良率。
[0064]
实施例二
[0065]
请参阅图2，本实施例与实施例一相同或相似，不同之处在于：
[0066]
本实施例中，所述驱动电路板100还包括位于所述第二端子104上的连接端子109，所述连接端子109通过所述连接端子109与所述第二端子104之间的至少一第一开口110与
所述第二端子104电连接，所述第一开口110位于所述第二端子104对应的所述第一保护层107上。
[0067]
本实施例中，所述连接端子109可以与所述源漏极层106同层设置。
[0068]
本实施例中，所述连接端子109可以与所述源漏极层106同材料，同工序形成。
[0069]
当所述连接端子109通过所述第一开口110与所述第二端子104电连接时，通过所述第一开口110的设置，增大了所述连接端子109与所述第一保护层107的接触面积，有利于增大所述连接端子109与所述第一保护层107之间的粘附力，有利于防止所述连接端子109从所述第一保护层107上脱离，导致所述驱动电路板100的质量受影响；此外，通过所述第一开口110的设置，所述连接端子109可以与所述第二端子104直接接触，减少了所述连接端子109与所述第二端子104之间的电阻，有利于减少所述驱动电路板100在使用时的耗电量。
[0070]
本实施例中，所述连接端子109可以用于所述光源与所述第二端子104的电连接。
[0071]
本实施例中，所述第一保护层107与所述连接端子109接触的第一表面可以设置有多个第一凸起和/或多个第一凹面。
[0072]
所述第一保护层107通过所述第一凸起和/或所述第一凹面与所述连接端子109嵌套设置。
[0073]
通过所述第一保护层107与所述连接端子109的嵌套设置，有利于增大所述连接端子109与所述第一保护层107的接触面积，增强所述连接端子109与所述第一保护层107之间的粘附力，有利于防止所述连接端子109从所述第一保护层107上脱离，导致所述驱动电路板100的质量受影响。
[0074]
本实施例中，所述驱动电路板100还包括与所述第二端子104对应的光源，所述光源通过所述第一开口110与所述第二端子104电连接。
[0075]
本实施例中，所述光源可以为发光二极管。
[0076]
本实施例中，所述光源通过表面贴装工艺实现与所述第二端子104的电连接。
[0077]
由于所述光源通过表面贴装工艺后，通过锡膏实现与所述第二端子104的电连接，而第一保护层107的材料为金属氧化物，与锡膏的结合力较弱，因此，通过所述第一开口110的设置，使锡膏与所述第二端子104直接接触，增强了锡膏与所述第二端子104的粘附力，有利于避免所述第一保护层107的设置导致锡膏的附着力不足，引起所述光源的脱落。
[0078]
由于所述连接端子109的材料为金属材料，有利于锡膏的附着，所以所述连接端子109的设置同样避免了所述第一保护层107的设置导致锡膏的附着力不足，引起所述光源的脱落。
[0079]
本实施例通过所述第一开口110的设置，当所述连接端子109与所述第二端子104通过所述第一开口110电连接时，提高了所述连接端子109与所述第一保护层107之间的粘附力，有利于防止所述连接端子109从所述第一保护层107上脱离；当所述光源与所述第二端子104通过所述第一开口110电连接时，有利于避免所述第一保护层107的设置导致锡膏的附着力不足，引起所述光源的脱落。
[0080]
实施例三
[0081]
请参阅图3，本实施例与实施例一、实施例二相同或相似，不同之处在于：
[0082]
所述驱动电路板100还包括位于所述源漏极层106或/和连接端子109上的第二保护层108。
[0083]
其中，所述第二保护层108的材料为钼、钛、镍的金属或合金中的至少一种，例如：钼钛合金，钛、镍金属等。
[0084]
本实施例中，所述第二保护层108可以与所述源漏极层106或/和所述连接端子109同工序形成。
[0085]
所述第二保护层108的材料为耐高温、抗氧化的金属，用于避免形成所述源漏极层106或/和所述连接端子109的金属材料，如，铜金属，在所述驱动电路板100的后序工艺制程中，由于高温制程而受到氧化，导致所述驱动电路板100的性能受影响，并且影响使用所述驱动电路板100的产品质量。
[0086]
本实施例中，所述第二保护层108可以位于所述源漏极层106上。
[0087]
本实施例中，所述第二保护层108也可以位于所述源漏极层106以及所述连接端子109上。
[0088]
本实施例中，所述连接端子109通过所述连接端子109与光源之间的至少一第二开口与所述光源电连接，所述第二开口位于所述连接端子109对应的所述第二保护层108上。
[0089]
由于所述光源通过表面贴装工艺后，通过锡膏实现与所述连接端子109的电连接，而所述第二保护层108的材料与锡膏的结合力较弱，不利于锡膏的附着，因此，通过所述第二开口的设置，使锡膏与所述连接端子109直接接触，提高了锡膏的附着力，有利于避免所述第一保护层107的设置导致锡膏的附着力不足，引起所述光源的脱落，影响产品质量。
[0090]
本实施例通过所述第二保护层108的设置，有利于避免所述源漏极层106或/和所述连接端子109在所述驱动电路板100的后续制程中的氧化，提高产品质量；此外，所述第二保护层108可以与所述源漏极层106或/和所述连接端子109在同一工序中形成，避免了增加额外制程，在提高产品质量的同时节约了制程成本。
[0091]
上述各实施例中，所述第一保护层107的第一侧面与所述衬底101形成的第一夹角小于或等于90度，和/或所述第二保护层108的第二侧面与所述衬底101形成的第二夹角小于或等于90度。当所述第一夹角大于90度时，所述第一保护层107远离所述衬底101的一侧与所述第一侧面呈锐角，易刺破所述第一保护层107周围的其他膜层，如栅极绝缘层，导致所述驱动电路板100性能受影响。同理，当所述第二夹角大于90度时，所述第二保护层108远离所述衬底101的一侧与所述第二侧面呈锐角，易刺破所述第二保护层108周围的其他膜层，如钝化层，导致所述驱动电路板100性能受影响。
[0092]
上述各实施例中，所述第一端子103、所述栅极层105、所述源漏极层106、或所述第二端子104中的至少一者的第三侧面与所述衬底101形成的第三夹角大于30度且小于75度，优选为45至60度。当所述第三夹角小于30度时，所述第三夹角过小，会造成所述驱动电路板100的信号传输延迟明显；当所述第三夹角大于75度时，所述第三夹角过大，导致形成所述第三夹角的膜层上的其他膜层在形成时发生断裂，影响所述驱动电路板100的产品质量；当所述第三夹角在45至60度之间时，既不会造成所述驱动电路板100的信号传输的明显延迟，也不会造成形成所述第三夹角的膜层上的其他膜层在形成时发生断裂。
[0093]
请参阅图4，以及图5a～5g，本申请还提出了一种驱动电路板100的制作方法，包括：
[0094]
请参阅图5a，s1、在衬底101上形成第一金属层以及第一保护层107。
[0095]
本实施例中，所述第一金属层包括所述驱动电路板100的薄膜晶体管102的栅极层
105、位于所述薄膜晶体管102两侧的第一端子103及第二端子104。
[0096]
本实施例中，步骤s1包括：
[0097]
s11、在所述衬底101上形成一第一金属材料层以及一第一金属氧化物层。
[0098]
本实施例中，所述第一金属材料层以及所述第一金属氧化物层可以通过沉积，例如物理气相溅射沉积形成。
[0099]
本实施例中，所述第一金属材料层的材料可以为钼或钼铜合金中的至少一种。
[0100]
本实施例中，所述第一金属氧化物层的材料可以为氧化铟锡、氧化铟锌或其他金属氧化物中的至少一种。
[0101]
s12、所述第一金属材料层以及所述第一金属氧化物层经图案化处理形成所述第一金属层以及所述第一保护层107。
[0102]
本实施例中，所述第一金属层及所述第一保护层107可以通过湿法刻蚀形成。
[0103]
本实施例中，所述第一金属层通过第一刻蚀液形成，所述第一刻蚀液包括过氧化氢。
[0104]
所述第一保护层107通过第二刻蚀液形成，所述第二刻蚀液包括草酸。
[0105]
本实施例中，所述第一金属层的厚度可以为4000至9600埃米，优选为5000至8000埃米。
[0106]
所述第一保护层107的厚度可以为600至1800埃米，优选为750至1500埃米。在后续工艺中通过刻蚀形成其他膜层时，由于过刻蚀的存在对所述第一保护层107的减薄，当所述第一保护层107的厚度小于600埃米时，所述第一保护层107的厚度过小，不利于对所述第一金属层在高温制程中的热氧化保护以及防止所述第一金属层中的离子热扩散进入其他膜层；当所述第一保护层107的厚度大于1800埃米时，所述第一保护层107的厚度过厚，所述第一保护层107的电阻明显增加，导致使用所述驱动电路板100的显示装置耗电量增大；当所述第一保护层107的厚度为750至1500埃米时，所述第一保护层107既不会因为过薄而在高温制程中对所述第一金属层无法完全保护，也不会因为过厚而增加使用所述驱动电路板100的显示装置的耗电量。
[0107]
请参阅图5b～5e，s2、在所述第一保护层107上形成第二金属层以及第三金属层。
[0108]
本实施例中，所述第二金属层包括所述薄膜晶体管102的源漏极层106、及位于所述第二端子104上的连接端子109。
[0109]
本实施例中，所述第二金属层的厚度可以为4000至9600埃米，优选为5000至8000埃米。
[0110]
本实施例中，步骤s2包括：
[0111]
s21、在所述第一保护层107上形成第一绝缘物层。
[0112]
s22、在所述栅极层105上形成有源层。
[0113]
本实施例中，步骤s22包括：
[0114]
s22a、在所述栅极层105上形成一半导体层。
[0115]
本实施例中，所述半导体层的材料包括铟镓锌氧化物、铟镓锌锡氧化物、氧化铟锌、铟镓锡氧化物中的至少一种。
[0116]
s22b、所述半导体层经第二预定工艺形成有源层。
[0117]
本实施例中，所述半导体层经热退火处理、光刻工艺后形成所述有源层。
[0118]
光刻工艺中所用的蚀刻液可以包括草酸。
[0119]
s23、在所述有源层上形成第二金属层以及第三金属层。
[0120]
本实施例中，所述第二金属层的材料可以包括钼、钛、铜金属或合金中的至少一种，例如：钼/铜合金、钼钛/铜合金等。
[0121]
所述第三金属层的材料可以包括钼、钛、镍的金属或合金中的至少一种，例如：钼钛合金，钛、镍金属等。
[0122]
本实施例中，步骤s23包括：
[0123]
s23a、所述第一绝缘物层形成第一绝缘层。
[0124]
s23b、在所述有源层上形成一第二金属材料层以及一第三金属材料层。
[0125]
本实施例中，所述第一金属材料层以及所述第三金属材料层通过物理气相沉积形成在所述有源层上。
[0126]
s23c、所述第二金属材料层、所述第三金属材料层经第三预定工艺形成所述第二金属层以及所述第三金属层。
[0127]
本实施例中，所述第二金属层以及所述第三金属层可以通过湿法刻蚀形成。
[0128]
本实施例中，所述第二金属层以及所述第三金属层通过第四刻蚀液形成，所述第四刻蚀液包括过氧化氢。
[0129]
请参阅图5f以及图5g，s3、所述第三金属层经第一预定工艺形成第二保护层108。
[0130]
本实施例中，步骤s3包括：
[0131]
s31、去除所述连接端子109对应的所述第三金属层以形成所述第二保护层108。
[0132]
本实施例中，步骤s31包括：
[0133]
s31a、所述第一绝缘层经第五预设工艺处理形成栅极绝缘层。
[0134]
s31b、在所述第三金属层上形成一第二绝缘物层。
[0135]
s31c、所述第二绝缘物层经第四预定工艺形成钝化层。
[0136]
本实施例中，所述钝化层包括与所述第一端子103对应的第三开口以及与所述第二端子104对应的第四开口。
[0137]
本实施例中，所述栅极绝缘层包括位于所述第一端子103和所述第三开口之间的第五开口，以及位于所述第四开口和所述第二端子104之间的第六开口。
[0138]
其中，所述第四开口使所述连接端子109对应的所述第三金属层裸露。
[0139]
本实施例中，所述栅极绝缘层和所述钝化层可以通过干法刻蚀形成。
[0140]
本实施例中，所述栅极绝缘层和所述钝化层可以通过含氟的强氧化性气体进行干法蚀刻形成。
[0141]
本实施例中，所述栅极绝缘层的材料可以包括硅的氧化物、硅的氮化物、及硅的氮氧化合物、氧化铝、氮化铝中的至少一种。所述栅极绝缘层可以由单一材料形成，例如由氧化硅、氮化铝形成；所述栅极绝缘层也可以由多种材料叠加形成，例如由氧化硅与氮化硅叠层形成，或由氧化硅、氮化硅与硅的氮氧化合物叠层形成，或氧化硅、氮化硅与氧化铝叠层形成。当所述栅极层105由多种材料叠加形成时，不同材料之间的叠层方式在此不作具体限定。
[0142]
本实施例中，所述钝化层的材料可以包括硅的氧化物、硅的氮化物、氧化铝、氮化铝中的至少一种。所述钝化层可以由单一材料形成，如，由氧化硅或氮化铝形成；所述钝化
层也可以由多种材料叠加形成，如，由氧化硅与氮化硅叠层形成或氧化硅、氮化硅与氧化铝叠层形成，不同材料之间的叠层方式在此不作具体限定。
[0143]
s31d、刻蚀去除所述连接端子109对应的所述第三金属层以形成所述第二保护层108。
[0144]
本实施例中，所述第二保护层108通过对所述第三金属层的干法蚀刻形成。
[0145]
本实施例中，所述第二保护层108通过在第一功率、第一氟氧比下的等离子体进行干法刻蚀形成。
[0146]
所述第一功率可以为10.4至26.4千瓦，优选为13至20千瓦。当所述第一功率小于10.4千瓦时，所述第一功率过小，对所述连接端子109对应的所述第三金属层的刻蚀的时间过长，不利于制程效率的提升；由于所述第一功率不超过26.4千瓦时，所述第一功率已足以满足对所述连接端子109对应的所述第三金属层的刻蚀的需求，因此所述第一功率不需要超过26.4千瓦；所述第一功率为13至20千瓦时，即能保证所述连接端子109对应的所述第三金属层的刻蚀快速且充分。
[0147]
所述第一氟氧比可以为2.4:1至7.2:1，优选为3:1至6:1。当所述第一氟氧比小于2.4:1或大于7.2:1时，等离子体含氟或含氧量不足，影响等离子体的氧化性，不利于对所述连接端子109对应的所述第三金属层的刻蚀；当所述第一氟氧比为3:1至6:1时，等离子体的含氟量以及含氧量合适，保证了等离子体的强氧化性，使所述连接端子109对应的所述第三金属层的刻蚀快速且充分。
[0148]
本实施例中，当所述驱动电路板100应用于显示装置的背光模组中时，光源通过表面贴装工艺贴装于所述驱动电路板100上。
[0149]
本申请提供的驱动电路板100的制作方法，通过使第一端子103或第二端子104中的至少一金属层与栅极层105和/或源漏极层106同层设置，减少了驱动电路板100的工艺制程中使用的光罩的数量，简化了制程工艺，节约了产品的制造成本，提升了产品良率。
[0150]
本申请提出了一种驱动电路板及其制作方法。该驱动电路板包括：衬底、位于衬底上的薄膜晶体管、及位于薄膜晶体管两侧的第一端子及第二端子。其中，第一端子或第二端子中的至少一金属层与薄膜晶体管中的栅极层和/或源漏极层同层设置。本申请通过将驱动电路板中的第一端子或第二端子中的至少一金属层与栅极层和/或源漏极层同层设置，减少了驱动电路板的工艺制程中使用的光罩的数量，简化了制程工艺，节约了产品的制造成本，提升了产品良率。
[0151]
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
[0152]
以上对本申请实施例所提供的一种驱动电路板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。