一种UV-LED封装板的制作方法

[技术领域]

本实用新型涉及uv-led封装，尤其涉及一种uv-led封装板。

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背景技术：
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随着紫外固化技术的快速发展，紫外led作为一种新型能源得到了广泛的应用。

申请号为cn201810719704.2的发明公开了一种高可靠性大功率紫外led集成封装方法，首先将高导热陶瓷基板作为支撑板，并在高导热陶瓷基板两端固定安装有金属围坝；然后将大尺寸硅板固定安装在高导热陶瓷基板上，紫外led芯片固定安装在大尺寸硅板上；通过金线将紫外led芯片与金属电极和大尺寸硅板电性连接；最后在金属围坝上固定玻璃盖板，完成结构封装。

金属围坝传统的制作方法是用电镀在陶瓷基板上做出金属腔体(围坝)，使陶瓷基板与金属围坝一体成型。电镀的金属围坝气密性高，防水性好；金属围坝的形状可以任意设计，围坝顶部可制备出定位台阶，便于精确放置玻璃透镜；根据器件气密性要求，围坝与透镜的连接，采用焊接或采用粘结都较方便；金属围坝可以整片电镀，具有工艺一致性高的优点。但是，电镀金属围坝一般高度要达到0.8mm，而电镀每次能够形成高度为0.2mm,0.8mm的镀层需进行多次电镀。每次电镀需10个小时以上，电镀出0.8mm高度的金属围坝至少需40小时，生产效率很低；厚铜电镀会导致陶瓷板的应力分布不平衡，严重的情况会导致基板弯曲甚至断裂；而且，每次电镀都需要进行图形转移。多次进行电镀会造成围坝偏移，影响uv-led的出光效果。

申请号为cn201811637497.2的发明公开了一种uvled的封装结构，包括封装基板、设于封装基板上侧的uvled芯片和罩设在uvled芯片上并与封装基板密封连接的封装罩，封装罩包括与封装基板密封连接且环绕uvled芯片的封装围坝以及熔融密封设置于封装围坝上端的玻璃透镜。其中，封装围坝与封装基板通过胶水密封连接。该发明的缺点是，由于uv光对粘合剂的照射，造成胶水光分解，降低了uvled的封装结构的可靠性能及使用寿命。

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技术实现要素：
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本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够避免封装围坝与封装基板的粘合剂光分解，封装结构使用寿命长的uv-led封装板。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是，一种uv-led封装板，包括基板和围坝，围坝的底面通过环形的粘接层固定在基板的顶面上，粘接层的内侧包括挡光结构。

以上所述的uv-led封装板，所述的基板为陶瓷板，所述的挡光结构为挡光凸台，环形的挡光凸台固定在陶瓷板的顶面，所述的粘接层位于挡光凸台的外周，挡光凸台的高度大于粘接层的高度。

以上所述的uv-led封装板，围坝底面的内周包括环形的凹槽，所述的挡光凸台嵌入到凹槽中。

以上所述的uv-led封装板，包括金属化层，所述的金属化层位于陶瓷板的顶面，包括电极和所述的环形挡光凸台。

以上所述的uv-led封装板，所述的金属化层为镀层。

以上所述的uv-led封装板，所述的挡光结构为镀在围坝内壁和粘接层内侧的镀层。

以上所述的uv-led封装板，所述的基板为陶瓷板，所述的粘接层为内侧导电的胶层，围坝的底面通过环形的胶层固定在陶瓷板的顶面上。

以上所述的uv-led封装板，所述的基板包括陶瓷板和陶瓷板顶面的金属化层，所述的粘接层为内侧导电的胶层，围坝的底面通过环形的胶层固定在金属化层的顶面上。

以上所述的uv-led封装板，所述的基板包括陶瓷板和陶瓷板顶面的种子金属层，所述的粘接层为内侧导电的胶层，围坝的底面通过环形的胶层固定在种子金属层的顶面上。

以上所述的uv-led封装板，所述内侧导电的胶层是导电胶层或内侧经导电工艺处理过的胶层。

本实用新型uv-led封装板粘接层内侧的挡光结构可有效遮挡uv光对粘合剂的照射，避免粘接层光分解，提高uv-led的使用寿命。

[附图说明]

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1是本实用新型实施例1uv-led封装板的主视图。

图2是本实用新型实施例1uv-led封装板的俯视图。

图3是本实用新型实施例1陶瓷基板顶面金属化后的俯视图。

图4是图2中的a向剖视图。

图5是本实用新型实施例1围坝的剖视图。

图6是本实用新型实施例2uv-led封装板的结构示意图。

图7是本实用新型实施例3uv-led封装板的结构示意图。

图8是本实用新型实施例4uv-led封装板的结构示意图。

[具体实施方式]

本实用新型实施例1uv-led封装板的结构如图1至图5所示，包括陶瓷基板1、金属化层2和围坝3。

金属化层2位于陶瓷基板1的顶面，包括电极201和环形挡光凸台202。金属化层2可以电镀层、化镀层或真空镀层。

围坝3底面的外周通过环形的粘接层4固定在陶瓷基板1的顶面上，粘接层4位于挡光凸台202的外周，挡光凸台202的高度大于粘接层4的高度。

围坝3底面的内周有一圈环形的凹槽301，挡光凸台202嵌入到凹槽301中。

实施例1的uv-led封装板陶瓷基板顶面金属化的环形挡光凸台和围坝的环形凹槽可以作为围坝定位基准，使围坝定位准确，提高定位精度；环形挡光凸台可有效遮挡uv光对粘合剂的照射，避免粘接层光分解，提高uv-led的使用寿命。

本实用新型实施例2uv-led封装板的结构如图6所示，包括陶瓷基板1、作为电极的金属化层2和围坝3。围坝3的底面通过环形的粘接层4固定在陶瓷基板1的顶面上，粘接层4为内外侧导电的胶层。围坝3的表面和粘接层4的内外侧镀有一层镀层5，作为粘接层4内侧的挡光结构。

本实用新型实施例3uv-led封装板的结构如图7所示，包括基板、作为电极的金属化层2和围坝3。基板包括陶瓷板1和陶瓷板1顶面上环形的种子金属层6，围坝3的底面通过环形的粘接层4固定在种子金属层6的顶面上，粘接层4为内外侧导电的胶层。围坝3的表面、粘接层4的内外侧和环形种子金属层6的内外侧镀有一层镀层5，作为粘接层4内侧的挡光结构。

本实用新型实施例4uv-led封装板的结构如图8所示，包括基板和围坝3。基板包括陶瓷板1和陶瓷板1上的金属化层2，金属化层2包括位于陶瓷板1中部的电极层201和位于电极层201外周的环形金属化层202。围坝3的底面通过环形的粘接层4固定在环形金属化层202的顶面上，粘接层4为内外侧导电的胶层。围坝3的表面、粘接层4的内外侧和环形金属化层202的内侧侧镀有一层镀层5，作为粘接层4内侧的挡光结构。

本实用新型实施例2至4中提到的内外侧导电的胶层可以是导电胶层，也可以是内外侧经导电工艺处理过的胶层。胶层的导电处理工艺可以是有机导电膜处理工艺、石墨黑孔导电处理工艺或石墨黑影导电处理工艺。

本实用新型实施例2至4uv-led封装板粘接层内侧的镀层可有效遮挡uv光对粘合剂的照射，避免粘接层光分解，提高uv-led的使用寿命。