晶片导通片组件及集成电路结构的制作方法

文档序号:23822471发布日期:2021-02-03 17:04阅读:94来源:国知局
晶片导通片组件及集成电路结构的制作方法

[0001]
本实用新型涉及一种晶片导通片组件及集成电路结构,特别是一种具有两个导通片的晶片导通片组件及集成电路结构。


背景技术:

[0002]
晶片的封装结构对于其效能来说至关重要。一般来说,晶片自晶圆切割下来之后需要对其进行封装制程,以保护晶片免于各种物理损坏或化学腐蚀。同时更设置对应的电性接脚,以让使用者可以便利地藉由封装结构来使用晶片或对其进行测试。
[0003]
目前常见的作法系将晶片设置于基座上后,再以打线的方式布线于晶片与基座上,让导线连接于晶片的电极与基座的电性接点之间。但是由于导线的线宽有其限制而使得以导线形成的传输结构的阻抗较大之外,若界接结构没有特别设计的话,也有可能因为电性连接不够确实而造成阻抗过大。当阻抗过大时,将无法降低传输损耗。此外打线的方式也造成封装的不便。
[0004]
有鉴于此,目前的确需要一种改良的晶片封装结构,以便改善上述的缺点。


技术实现要素:

[0005]
本实用新型在于提供一种晶片导通片组件及集成电路结构,以取代以往用打线方式连接晶片的电极。
[0006]
本实用新型所要解决的技术问题是通过如下技术方案实现的:
[0007]
本实用新型的一实施例揭露一种晶片导通片组件,用以连接于晶片的第一电极以及第二电极。晶片导通片组件包括第一导通片以及第二导通片,第一导通片包含一第一电极连接部以及多个第一讯号传输部,第一电极连接部的相对二表面分别设有第一突出区域以及第一凹陷区域,第一突出区域用于接触该第一电极,第一电极连接部具有相对的第一侧以及第二侧,第一凹陷区域由第一侧朝向第二侧延伸且与第二侧具有第一间距,而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于该第一侧。第二导通片与第一导通片电性隔绝且包含第二电极连接部以及第二讯号传输部,第二电极连接部的相对二表面分别设有第二突出区域以及第二凹陷区域,第二突出区域用于接触该第二电极,该第二电极连接部具有相对的一第一侧边以及一第二侧边,该第二凹陷区域由该第一侧边朝向该第二侧边延伸且与该第二侧边具有一第二间距,而该第二讯号传输部连接于第一侧边。
[0008]
本实用新型的一实施例揭露一种集成电路结构,包含晶片导通片组件及晶片,晶片导通片组件包含第一导通片及第二导通片,而晶片设有第一电极以及第二电极。第一导通片包含第一电极连接部以及多个第一讯号传输部,第一电极连接部的相对二表面分别设有第一突出区域以及第一凹陷区域,第一突出区域接触于第一电极,第一电极连接部具有相对的第一侧以及第二侧,第一凹陷区域由第一侧朝向第二侧延伸且与第二侧具有第一间距,而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于该第一侧。第二导通片与第一导通片电性隔绝且第二导通片包含第二电极连接部以及第二讯号传输部,第二电极连接部的
相对二表面分别设有第二突出区域以及第二凹陷区域,第二突出区域接触于该第二电极,该第二电极连接部具有相对的一第一侧边以及一第二侧边,该第二凹陷区域由该第一侧边朝向该第二侧边延伸且与该第二侧边具有一第二间距,而该第二讯号传输部连接于第一侧边。
[0009]
换句话说,本实用新型提供一种晶片导通片组件,用以连接于一晶片的一第一电极以及一第二电极,该晶片导通片组件包括:
[0010]
一第一导通片,包含一第一电极连接部以及多个第一讯号传输部,该第一电极连接部的相对二表面分别设有一第一突出区域以及一第一凹陷区域,该第一突出区域用于接触该第一电极,该第一电极连接部具有相对的一第一侧以及一第二侧,该第一凹陷区域由该第一侧朝向该第二侧延伸且与该第二侧具有一第一间距,而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于该第一侧;以及
[0011]
一第二导通片,与该第一导通片电性隔绝,该第二导通片包含一第二电极连接部以及一第二讯号传输部,该第二电极连接部的相对二表面分别设有一第二突出区域以及一第二凹陷区域,该第二突出区域用于接触该第二电极,该第二电极连接部具有相对的一第一侧边以及一第二侧边,该第二凹陷区域由该第一侧边朝向该第二侧边延伸且与该第二侧边具有一第二间距,而该第二讯号传输部连接于该第一侧边。
[0012]
该第一突出区域设有一第一突块,该第一突块的面积小于该第一突出区域,该第一突块用于接触该第一电极。
[0013]
该第二突出区域设有一第二突块,该第二突块的面积小于该第二突出区域,而该第二突块用于接触该第二电极。
[0014]
该第一电极连接部更具有相对的一第三侧以及一第四侧,该第三侧以及该第四侧连接于该第一侧以及该第二侧,该第四侧与该第二电极连接部的距离小于该第三侧与该第二电极连接部的距离,该第一突出区域设有一第一突块,该第一突块的面积小于该第一突出区域,该第一突块连接于该第四侧。
[0015]
本实用新型还提供一种集成电路结构,包含:
[0016]
一晶片,设有一第一电极以及一第二电极;以及
[0017]
一晶片导通片组件,该晶片导通片组件包含:
[0018]
一第一导通片,包含一第一电极连接部以及多个第一讯号传输部,该第一电极连接部的相对二表面分别设有一第一突出区域以及一第一凹陷区域,该第一突出区域接触于该第一电极,该第一电极连接部具有相对的一第一侧以及一第二侧,该第一凹陷区域由该第一侧朝向该第二侧延伸且与该第二侧具有一第一间距,而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于该第一侧;及
[0019]
一第二导通片,与该第一导通片电性隔绝,该第二导通片包含一第二电极连接部以及一第二讯号传输部,该第二电极连接部的相对二表面分别设有一第二突出区域以及一第二凹陷区域,该第二突出区域接触于该第二电极,该第二电极连接部具有相对的一第一侧边以及一第二侧边,该第二凹陷区域由该第一侧边朝向该第二侧边延伸且与该第二侧边具有一第二间距,而该第二讯号传输部连接于该第一侧边。
[0020]
该第一突出区域设有一第一突块,该第一突块的面积小于该第一突出区域,而该第一突块接触该第一电极。
[0021]
该第二突出区域设有一第二突块,该第二突块的面积小于该第二突出区域,而该第二突块接触该第二电极。
[0022]
该第一电极连接部更具有相对的一第三侧以及一第四侧,该第三侧以及该第四侧连接于该第一侧以及该第二侧,该第四侧与该第二电极连接部的距离小于该第三侧与该第二电极连接部的距离,该第一突出区域设有一第一突块,该第一突块的面积小于该第一突出区域,该第一突块连接于该第四侧。
[0023]
该第一突出区域覆盖该第一电极的一部份,以及该第二突出区域覆盖该第二电极的一部份。
[0024]
综合以上所述,本实用新型提供了一种晶片导通片组件及集成电路结构,经由相互电性绝缘的第一导通片与第二导通片分别直接接触于晶片的两个电极。相较于以往用打线方式连接晶片的电极,本实用新型所提供的晶片导通片组件除了大幅降低了传输阻抗之外,由于避免了于晶片与基座之间进行打线的麻烦,简化了晶片的封装制程。
[0025]
以上的关于本实用新型内容的说明及以下的实施方式的说明系用以示范与解释本实用新型的精神与原理,并且为本实用新型的保护范围提供更进一步的解释。
附图说明
[0026]
图1为本实用新型第一实施例的集成电路结构的立体分解图;
[0027]
图2为图1的集成电路结构经封装后的立体图;
[0028]
图3为图1的晶片导通片组件、晶片以及承载座的俯视图;
[0029]
图4a为图3沿着4a线的剖视图;
[0030]
图4b为图3沿着4b线的剖视图;
[0031]
图5为本实用新型第二实施例的集成电路结构的立体分解图;
[0032]
图6为图5的晶片导通片组件、晶片以及承载座的俯视图;
[0033]
图7a为图6沿着7a线的剖视图;
[0034]
图7b为图6沿着7b线的剖视图。
[0035]
【附图标记说明】
[0036]
100 集成电路结构
[0037]
1 晶片导通片组件
[0038]
11 第一导通片
[0039]
111 第一电极连接部
[0040]
1111 第一侧
[0041]
1112 第二侧
[0042]
1113 第三侧
[0043]
1114 第四侧
[0044]
1115 第一凹陷区域
[0045]
1116 第一突出区域
[0046]
1117a、1117b第一突块
[0047]
112 第一讯号传输部
[0048]
1121 第一传输段
[0049]
1122 第一倾斜段
[0050]
1123 第一接触段
[0051]
12 第二导通片
[0052]
121 第二电极连接部
[0053]
1211 第一侧边
[0054]
1212 第二侧边
[0055]
1213 第三侧边
[0056]
1214 第四侧边
[0057]
1215 第二凹陷区域
[0058]
1216 第二突出区域
[0059]
1217 第二突块
[0060]
122 第二讯号传输部
[0061]
1221 第二传输段
[0062]
1222 第二倾斜段
[0063]
1223 第二接触段
[0064]
2 晶片
[0065]
21 第一电极
[0066]
22 第二电极
[0067]
3 承载座
[0068]
4 壳体
具体实施方式
[0069]
以下在实施方式中详细叙述本实用新型的详细特征以及优点,其内容足以使本领域普通技术人员了解本实用新型的技术内容并据以实施,且根据本说明书所揭露的内容、保护范围及附图,本领域普通技术人员可轻易地理解本实用新型相关的目的及优点。以下的实施例系进一步详细说明本实用新型的观点,但非以任何观点限制本实用新型的保护范围。
[0070]
图1为根据本实用新型第一实施例的集成电路结构的立体分解图,其中集成电路结构100包含一晶片导通片组件1、一晶片2以及一承载座3,晶片导通片组件1包含相互电性绝缘的一第一导通片11以及一第二导通片12,其中第一导通片11包含一第一电极连接部111以及多个第一讯号传输部112,而该多个第一讯号传输部112彼此相互间隔地连接于第一电极连接部111的一侧。第二导通片12包含一第二电极连接部121以及一第二讯号传输部122,而第二讯号传输部122连接于第二电极连接部121的一侧。晶片2的上表面设有相互间隔的一第一电极21(例如源极电极)以及第二电极22(例如栅极电极),而晶片2的下表面设有一第三电极(例如漏极电极,图中未示出)。承载座3由导体材料(例如铜材)所制成,而晶片2设置于晶片导通片组件1与承载座3之间。
[0071]
图2为本实用新型图1的集成电路结构经封装后的立体图。共同参照图1与图2,每一第一讯号传输部112包含一第一传输段1121、一第一倾斜段1122以及与一第一接触段1123。第一传输段1121的两端分别连接第一电极连接部111以及第一倾斜段1122的一端,而
第一倾斜段1122的另一端连接于第一接触段1123。第二讯号传输部122包含一第二传输段1221、一第二倾斜段1222以及与一第二接触段1223。第二传输段1221的两端分别连接第二电极连接部121以及第二倾斜段1222的一端,而第二倾斜段1222的另一端连接于第二接触段1223。当晶片导通片组件1、晶片2以及承载座3经过封装制程后,第一导通片11的第一电极连接部111、第二导通片12的第二电极连接部121、晶片2以及承载座3封装于壳体4内。第一导通片11的该多个第一讯号传输部112以及第二导通片12的第二讯号传输部122伸出于壳体4之外。承载座3远离晶片2的下表面显露于壳体4的开口。每一第一讯号传输部112的第一接触段1123、第二讯号传输部122的第二接触段1223以及承载座3显露于壳体4的开口的下表面用于连接于电路基板,通过该多个第一讯号传输部112及第二讯号传输部122可将来自电路基板的讯号传输至晶片2的第一电极21以及第二电极21。
[0072]
图3为图1的晶片导通片组件、晶片以及承载座的俯视图,而图4a为图3沿着4a线的剖视图。共同参阅图1、图3及图4a。第一电极连接部111的面积设计适合应用于输出功率较大的电子装置,而第一电极连接部111具有相对的一第一侧1111以及一第二侧1112以及相对的一第三侧1113以及一第四侧1114,而第三侧1113与第四侧1114连接于第一侧1111及第二侧1112。第一电极连接部111的相对二表面分别设有一第一凹陷区域1115以及一第一突出区域1116,而第一凹陷区域1115以及第一突出区域1116系可通过对第一电极连接部111进行冲压而形成。第一凹陷区域1115由第一电极连接部111的第一侧1111朝向第一电极连接部111的第二侧1112延伸且与第二侧1112具有第一间距d1。第一导通片11的第一突出区域1116覆盖且接触晶片2的第二电极21的一部份。第一导通片11的第一突出区域1116与晶片2的第一电极21之间可设置有导电胶,以便第一导通片11与晶片2的第一电极21可稳固地维持电性连接。通过第一突出区域1116,使得第一导通片11的第一电极连接部111不会完全贴平于晶片2的第一电极21。如此一来,第一导通片11与第一电极21之间的导电胶可维持适当的厚度,避免因为导电胶的厚度不够而降低其电性连接以及固定的功能
[0073]
图4b为图3沿着4b线的剖视图。共同参阅图1、图3及图4b,第二电极连接部121的面积小于第一电极连接部111,第二电极连接部121具有相对的一第一侧边1211以及一第二侧边1212,及相对的一第三侧边1213以及一第四侧边1214,第三侧边1213与第四侧边1214连接于第一侧边1211及第二侧边1212。第二电极连接部121的相对二表面分别设有一第二凹陷区域1215以及一第二突出区域1216,而第二凹陷区域1215以及第二突出区域1216系通过对第二电极连接部121进行冲压而形成。第二凹陷区域1215由第二电极连接部121的第一侧边1211朝向第二电极连接部121的第二侧边1212延伸且与第二侧边1212具有第二间距d2,其中第二间距d2小于第一间距d1。第二导通片12的第二突出区域1216覆盖且接触晶片2的第二电极22的一部份。第二导通片12的第二突出区域1216与晶片2的第二电极22之间可设置有导电胶,以便第二导通片12与晶片2的第一电极22可稳固地维持电性连接。通过第二突出区域1216的设计,使得第二导通片12的第二电极连接部121不会完全贴平于晶片2的第二电极22,以致于第二导通片12与第二电极22之间的导电胶可维持适当的厚度。
[0074]
图5为为根据本实用新型第二实施例的集成电路结构的立体分解图,图6为图5的晶片导通片组件、晶片以及承载座的俯视图,而图7a为图6沿着7a线的剖视图。共同参阅图5、图6及图7a。第一突出区域1116更设有两个相互间隔的第一突块1117a、1117b,且每一第一突块1117a、1117b的面积小于第一突出区域1116。第一电极连接部111的第四侧1114与第
二导通片12的第二电极连接部121的距离小于第一电极连接部111的第三侧1113与第二电极连接部121的距离,其中第一突块1117a连接于第一电极连接部111的第四侧1114,而另一第一突块1117b与第一电极连接部111的第三侧1113的距离小于第一突块1117a与第三侧1113的距离。第一突块1117a、1117b接触于晶片2的第一电极21。第一导通片11的第一突出区域1116与晶片2的第一电极21之间可设置有导电胶,以便第一导通片11与晶片2的第一电极21可稳固地维持电性连接。通过第一突出区域1116以及第一突块1117a、1117b,使得第一导通片11的第一电极连接部111不会完全贴平于晶片2的第一电极21。如此一来,第一导通片11与第一电极21之间的导电胶可维持适当的厚度,避免因为导电胶的厚度不够而降低其电性连接以及固定的功能。
[0075]
图7b为图6沿着7b线的剖视图。共同参阅图5、图6及图7b,第二突出区域1216设有一第二突块1217,该第二突块1217的面积小于第二突出区域1216,且第二突块1217接触于晶片2的第二电极22。第二导通片12的第二突出区域1216与晶片2的第二电极22之间可设置有导电胶,以便第二导通片12与晶片2的第一电极22可稳固地维持电性连接。通过第二突出区域1216以及第二突块1217的设计,使得第二导通片12的第二电极连接部121不会完全贴平于晶片2的第二电极22,以致于第二导通片12与第二电极22之间的导电胶可维持适当的厚度。
[0076]
综上所述,本实用新型提供了一种晶片导通片组件及集成电路结构,晶片导通片组件经由相互电性绝缘的第一导通片与第二导通片分别直接接触于晶片的两个电极。本实用新型所提供的晶片导通片组件相较于以往用打线方式连接晶片的电极,除了大幅降低了传输阻抗之外,由于避免了于晶片与基座之间进行打线的麻烦,得以简化晶片的封装制程。此外,通过调整第一电极连接部或第二电极连接部的面积大小,可使集成电路结构适应于各种不同输出功率的电子装置。
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