1.一种插拔式ptc保护器，其特征在于：包括：
第一金属电极箔；
第二金属电极箔；
连接于该第一、二金属电极箔之间的芯片，该芯片由非良性导体材料结构件和ptc导电复合材料结构件组成，并且在同一个平面上，且非良性导体材料结构件和ptc导电复合材料结构件紧密接触。
2.如权利要求1所述的插拔式ptc保护器，其特征在于：插拔式ptc保护器总体厚度在0.1-10mm之间。
3.如权利要求1所述的插拔式ptc保护器，其特征在于：该插拔式ptc保护器的形状为圆形、矩形、三角形、梯形、菱形中的一种。
4.如权利要求1所述的插拔式ptc保护器，其特征在于：所述的非良性导体材料结构件，在环境温度25℃，电阻率不小于100ω.cm。
5.如权利要求1所述的插拔式ptc保护器，其特征在于：所述的ptc导电复合材料结构件，在环境温度25℃，电阻率不大于10ω.cm。
6.如权利要求1至5任一项所述的插拔式ptc保护器，其特征在于：所述的非良性导体材料结构件为连续的整体结构件或分体结构件，与ptc导电复合材料结构件的厚度相同，当为整体结构件时，设在聚合物导电复合材料结构件的一侧或中间；当为分体结构件时，分布在ptc导电复合材料结构件外侧，且对称分布。
7.如权利要求6所述的插拔式ptc保护器，其特征在于：芯片为由矩形的ptc导电复合材料结构件和条状的非良性导体材料结构件二部分组成，该二部分在同一个平面上、厚度相同，所述矩形的ptc导电复合材料结构件宽度方向的一边与条状非良性导体材料结构件的一个长边紧密接触，在环境温度25℃，所述的矩形的ptc导电复合材料结构件电阻率为0.67ω.cm；所述的条状非良性导体材料结构件的电阻率为1×1017ω.cm。
8.如权利要求6所述的插拔式ptc保护器，其特征在于：芯片由结构相同的矩形的ptc导电复合材料结构件一、二，和在该结构件一、二之间的矩形非良性导体材料结构件组成，矩形的ptc导电复合材料结构件和矩形非良性导体材料结构件在同一个平面上、厚度相同，其中，所述的矩形非良性导体材料结构件的二个长边分别与矩形的ptc导电复合材料结构件一、二的一个长边紧密接触，形成依序为矩形的ptc导电复合材料结构件一、矩形非良性导体材料结构件和矩形的ptc导电复合材料结构件二的夹心结构芯片，在环境温度25℃，所述的矩形的ptc导电复合材料结构件电阻率为0.51ω.cm；所述的矩形非良性导体材料结构件的电阻率为1×1010ω.cm。
9.如权利要求6所述的插拔式ptc保护器，其特征在于：芯片由二个结构相同的长条形非良性导体材料结构件一、二和矩形的ptc导电复合材料结构件组成，所述的长条形非良性导体材料结构件一、二和矩形的ptc导电复合材料结构件在同一个平面上、厚度相同，其中，矩形的ptc导电复合材料结构件二宽度方向的边分别紧密连接长条形非良性导体材料结构件一、二的长度方向的边，形成依序为长条形非良性导体材料结构件一、矩形的ptc导电复合材料结构件和长条形非良性导体材料结构件二的夹心结构芯片，在环境温度25℃，所述的矩形的ptc导电复合材料结构件的电阻率为0.45ω.cm，长条形非良性导体材料结构件的电阻率为1×1015ω.cm。
10.如权利要求6所述的插拔式ptc保护器，其特征在于：芯片是由带四个缺角的矩形的ptc导电复合材料结构件和四个结构相同的三角形非良性导体材料结构件一、二、三、四构成的一整体为矩形的芯片，所述的带四个缺角的矩形的ptc导电复合材料结构件和四个结构相同的三角形非良性导体材料结构件一、二、三、四设在同一个平面上、厚度相同，在环境温度25℃，所述的矩形的ptc导电复合材料结构件的电阻率为0.55ω.cm，三角形非良性导体材料结构件一、二、三、四的电阻率均为1×108ω.cm。
11.如权利要求6所述的插拔式ptc保护器，其特征在于：芯片由在同一个平面上、厚度相同的圆形非良性导体材料结构件和中间有圆形通孔的ptc导电复合材料结构件二部分组成，所述的圆形非良性导体材料结构件嵌在中间的ptc导电复合材料结构件的圆形通孔内相互紧密连接，在环境温度25℃，ptc导电复合材料结构件电阻率为0.88ω.cm，圆形非良性导体材料结构件的电阻率为1×1014ω.cm。
12.如权利要求6所述的插拔式ptc保护器，其特征在于：芯片由在同一个平面上、厚度相同的正方形非良性导体材料结构件和中心带正方形通孔的ptc导电复合材料结构件二部分组成，所述的正方形非良性导体材料结构件嵌在ptc导电复合材料结构件的正方形通孔内且二部分紧密贴合，在环境温度25℃，ptc导电复合材料结构件的电阻率为0.18ω.cm，该矩形非良性导体材料件电阻率为1×1010ω.cm。