1.一种半导体器件的衬底结构，其特征在于，包括：衬底层，在所述衬底层同层设置第一离子注入区和第二离子注入区，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区分别为电流阻挡区，所述衬底层在所述第一离子注入区和所述第二离子注入区之间的部分为通道区，所述第一离子注入区、所述第二离子注入区与所述通道区的顶面位于同一平面，所述平面与所述衬底层的底面平行。
2.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构，其特征在于，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区在所述衬底层的掺杂深度大于100nm。
3.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构，其特征在于，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区的掺杂离子为氢离子、氦离子、氧离子、氮离子、氟离子中的一种。
4.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构，其特征在于，所述通道区沿所述第一离子注入区至所述第二离子注入区方向的宽度大于等于0.1μm且小于等于500μm。
5.如权利要求2所述的半导体器件的衬底结构，其特征在于，所述通道区的宽度大于等于5μm且小于等于200μm。
6.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构，其特征在于，所述通道区的厚度大于等于20nm。
7.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构，其特征在于，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区间隔设置于所述通道区的两侧。
8.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构，其特征在于，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区绕设于所述通道区的外周且相互连接。
9.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构，其特征在于，所述衬底为n型层或p型层。
10.如权利要求1所述的半导体器件的衬底结构，其特征在于，在所述衬底层的边缘区域设置有对准标记。