技术特征：
1.一种射频功率可变电容器(1)，其能够在至少50w下运行，所述射频功率可变电容器(1)包括由电介质(7)隔开的至少两个电极(5)，其中，所述电容器的电容通过改变施加在电极(5)之间的电压(v
c
)可变化，其特征在于：所述电介质(7)包括hdk
‑
ndk复合陶瓷；所述hdk组分构成所述电介质(7)的材料的至少60重量％，或优选至少80重量％，并且所述hdk组分包括hdk铁电陶瓷材料，以下称为电介质的活性基质，所述电介质的活性基质选自钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡、钛酸钙或锆钛酸钡，或一种或多种上述钛酸盐的复合物；所述ndk组分构成所述电介质的小于40重量％，或优选小于20重量％，并且ndk组分包括声共振降低剂，以下称为arra，其中，所述arra包括金属氧化物陶瓷，并且其中，所述arra分布在整个活性基质中。2.根据权利要求1所述的电容器(1)，其中所述活性基质材料包括钛酸锶钡。3.根据权利要求1或2所述的电容器(1)，其中，所述活性基质材料的平均颗粒尺寸为0.5μm至20μm，或优选为1μm至8μm，或更优选为1.5μm至5μm。4.根据前述权利要求中任一项所述的电容器(1)，其中，所述活性基质具有第一平均颗粒尺寸并且所述arra具有第二平均颗粒尺寸，并且其中，所述第一颗粒尺寸和所述第二平均颗粒尺寸相差至多5倍，或优选至多2倍。5.根据权利要求4所述的电容器(1)，其中，所述第二平均颗粒尺寸是所述第一平均颗粒尺寸的小于两倍。6.根据前述权利要求中任一项所述的电容器(1)，其中，所述电介质(7)形成为厚度为0.5mm至1.5mm或优选为0.6mm至1.2mm的基本上平面的整体块或盘，并且在所述块或盘的平面中的横截面积为至少50mm2或优选为至少100mm2。7.根据前述权利要求中任一项所述的电容器(1)，其中，所述金属氧化物陶瓷是mg3(bo3)2。8.根据前述权利要求中任一项所述的电容器(1)，其中，所述活性基质材料的居里温度为0℃至50℃，或优选为25℃至40℃。9.根据前述权利要求中任一项所述的电容器(1)，其中，所述电容器对于0v至5kv的偏置电压范围具有15％至50％的可调谐性。10.制造根据权利要求1至9中任一项所述的射频功率可变电容器(1)的方法，包括：第一步(62、63)，其中，研磨并煅烧活性基质组分的成分(60、61)；第二步(64、65)，其中，研磨并煅烧arra的成分(65、66)；第三步(68)，其中，将煅烧的arra和活性基质组分按预定比率混合在一起并研磨；和第四步(70、71、72)，其中，将混合的活性基质和arra组分干燥、压制和在预定的烧结温度下烧结以形成所述电容器电介质(7)。11.根据权利要求10所述的方法，还包括第五步(73)，其中，在电介质(7)上形成射频电极。12.根据权利要求10或权利要求11所述的方法，其中，所述烧结温度为低于1200℃，并且优选为1050℃至1150℃。13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，包括：
迭代最小化步骤(76)，其中，调整arra与活性基质组分的所述比率，并且重复第三步和第四步以确定所述比率的值，从而产生具有q因子值的电容器，所述q因子值对偏置电压的大小的依赖性具有最小值，和/或在所述比率的值下，预定频率下的声共振量具有最小值。14.根据权利要求13所述的方法，其中，在最小化步骤(76)中确定的所调整的比率用作第三步(68)中的预定比率。
技术总结
一种能够在MHz范围内在至少50瓦下运行的射频功率可变电容器。该电容器具有复合HDK
技术研发人员：托马斯
受保护的技术使用者：康姆艾德公司
技术研发日：2020.03.03
技术公布日：2021/10/26