发光元件封装件及其应用的制作方法

1.本发明涉及一种发光元件封装件及其应用。


背景技术：

2.最近，正在开发使用发光二极管(led：light emitting diode)的多样的装置。使用发光二极管作为光源的装置例如可以是普通的照明或显示装置。使用发光二极管的装置通过最终在基板上形成独立地生长的红色(r：red)、绿色(g：green)及蓝色(b：blue)发光二极管(led)的结构而获得。
3.为了将这样的发光二极管运用于多样的装置，需要结构简单且制造容易。


技术实现要素：

4.技术问题
5.根据本发明的一实施例，目的在于提供一种具有简单的结构且制造方法简单的发光元件封装件及其应用。
6.技术方案
7.根据本发明的一实施例的发光元件封装件包括：印刷电路板，具有正面和背面；至少一个发光元件，设置于所述正面上，并且向所述正面所朝向的方向射出光；以及模制层，设置于所述印刷电路板上并包围所述发光元件，其中，所述发光元件包括：发光结构体，设置于所述印刷电路板上；基板，设置于所述发光结构体上；以及多个凸起电极，设置于所述发光结构体与所述印刷电路板之间。所述模制层可以覆盖所述基板的上表面，并且在暴露于所述模制层的外部的表面设置有微细凹凸部。
8.在根据本发明的一实施例中，所述微细凹凸部可以借由等离子处理、微喷砂处理、图案转印、干式研磨、湿式蚀刻中的至少一个而制成。
9.在根据本发明的一实施例中，所述模制层可以具有实质上平坦的上表面。
10.在根据本发明的一实施例中，所述模制层可以将外部光的一部分反射、散射或吸收。
11.在根据本发明的一实施例中，所述模制层可以填充于所述发光结构体与所述印刷电路板之间的至少一部分。
12.在根据本发明的一实施例中，所述模制层可以具有约50％以上的外部光反射率、外部光散射率或外部光吸收率。
13.在根据本发明的一实施例中，所述模制层可以具有黑色。
14.在根据本发明的一实施例中，所述印刷电路板可以包括设置于所述正面的上部电极、设置于所述背面的下部电极以及连接所述上部电极与所述下部电极的通孔电极，所述凸起电极分别连接于对应的上部电极。
15.在根据本发明的一实施例中，彼此临近的两个下部电极之间的距离可以大于彼此临近的两个上部电极之间的距离。
16.在根据本发明的一实施例中，所述发光元件可以提供为多个。例如，所述发光元件可以设置为四个，各个所述发光元件的发光结构体包括：多个外延堆叠件，在所述基板上依次层叠而射出互不相同波段的光，并且光射出区域彼此重叠。
17.在根据本发明的一实施例中，所述多个外延堆叠件可以包括：第一外延堆叠件，射出第一光；第二外延堆叠件，设置于所述第一外延堆叠件上，并且射出与所述第一光的波段不同的波段的第二光；以及第三外延堆叠件，设置于所述第二外延堆叠件上，并且射出与所述第一光及第二光的波段不同的波段的第三光。
18.在根据本发明的一实施例中，所述第一外延堆叠件至第三外延堆叠件各自可以包括：p型半导体层；n型半导体层；以及活性层，设置于所述p型半导体层及所述n型半导体层之间。
19.在根据本发明的一实施例中，所述凸起电极可以包括：第一凸起电极，连接于所述第一外延堆叠件的p型半导体层；第二凸起电极，连接于所述第二外延堆叠件的p型半导体层；第三凸起电极，连接于所述第三外延堆叠件的p型半导体层；以及第四凸起电极，连接于所述第一外延堆叠件至第三外延堆叠件的n型半导体层。
20.在根据本发明的一实施例中，所述发光元件可以包括第一发光元件至第四发光元件，所述下部电极包括第一扫描垫至第六扫描垫、第一数据垫及第二数据垫，所述第一发光元件连接于所述第一扫描垫至第三扫描垫和所述第一数据垫，所述第二发光元件连接于所述第一扫描垫至第三扫描垫和所述第二数据垫，所述第三发光元件连接于所述第四扫描垫至第六扫描垫和所述第一数据垫，所述第四发光元件连接于所述第四扫描垫至第六扫描垫和所述第二数据垫。
21.在根据本发明的一实施例中，在各个发光元件中，所述凸起电极可以包括第一凸起电极至第四凸起电极，所述第一凸起电极至第三凸起电极被施加第一扫描信号至第三扫描信号，所述第四凸起电极被施加数据信号。
22.在根据本发明的一实施例中，所述模制层可以利用真空层压(vacuum laminate)法形成。
23.在根据本发明的一实施例中，发光元件封装件可以采用于显示装置或车辆用照明装置，在这种情况下，可以包括：基础基板；以及至少一个发光元件封装件，设置于所述基础基板上。
24.根据本发明的一实施例的发光元件封装件可以通过如下步骤形成：形成发光元件；将所述发光元件布置于印刷电路板上；以覆盖所述发光元件的方式在所述印刷电路板上通过真空层压法形成模制层；处理暴露于所述模制层的外部的表面，从而在所述模制层的表面形成微细凹凸部；切割所述印刷电路板和模制层而形成发光元件封装件，其中，所述模制层可以覆盖所述印刷电路板的上表面，并且可以包括将外部光的一部分反射、散射或吸收的材料。
25.发明效果
26.根据本发明的一实施例，提供一种具有简单的结构且制造方法简单的发光元件封装件。并且，根据本发明的一实施例，提供一种利用所述发光元件的显示装置。
附图说明
27.图1是图示根据本发明的一实施例的发光元件的剖面图。
28.图2a是具体图示根据本发明的一实施例的发光元件的平面图，图2b是根据图2a的a
‑
a'线的剖面图。
29.图3a至图7b是依次图示根据本发明的一实施例的发光元件的制造方法的图，图3a、图4a、图5a、图6a及图7a为平面图，图3b、图4b、图5b、图6b及图7b为沿图3a、图4a、图5a、图6a及图7a的a
‑
a'线的剖面图。
30.图8a至图8e是依次图示发光元件封装件的制造方法的图。
31.图9a以及图9b是分别示出模制层经过等离子处理的情形和未经过等离子处理的情形的扫描电子显微镜(sem：scanning electron microscope)照片。
32.图10a至图10e是依次图示使用压印模具在模制层的表面形成微细凹凸部的工序的剖面图。
33.图11a为图示根据本发明的一实施例的发光元件封装件的平面图，并且是图示在一个印刷电路板以矩阵形状贴装有四个发光元件的情形的上表面图，图11b是图11a所示的发光元件封装件的背面图。
34.图12是图11a及图11b所示的发光元件封装件的电路图。
35.图13是图示为了应用于显示装置或车辆用照明装置等而将多个发光元件封装件贴装于基础基板而制造光源模块的情形的示意性的剖面图。
36.图14是概念性地图示根据本发明的一实施例的发光元件封装件应用于显示装置的情形的平面图。
37.图15是放大图示图14的p1部分的平面图。
38.最优选的实施方式
39.本发明能够进行多种变更，并且可以具有多种形态，附图中举例示出特定实施例，并在本说明书中进行详细说明。然而，这并非为了将本发明限定于特定的公开形态，应该理解为包括被包含于本发明的思想及技术范围的全部变更、等同物乃至替代物。
40.以下，参照附图对本发明的优选实施例进行更详细的说明。
41.本发明涉及一种发光元件，尤其涉及一种射出光的发光元件。本发明的发光元件可以作为光源采用于多样的装置。
42.图1是图示根据本发明的一实施例的发光元件的剖面图。
43.参照图1，根据本发明的一实施例的发光元件包括由依次层叠的多个外延堆叠件(epitaxial stack)构成的发光结构体。发光结构体设置于基板11上。
44.基板11设置为具有正面和背面的板状。
45.包括于发光结构体的多个外延堆叠件可以提供为两个以上，并且各自射出互不相同的波段的光。即，外延堆叠件提供为多个，并且各自具有彼此相同或互不相同的能带。在本实施例中，图示了发光结构体构成为外延堆叠件在基板11的正面上依次层叠三层的情形，多个外延堆叠件从基板11的正面以第三外延堆叠件40、第二外延堆叠件30及第一外延堆叠件20的顺序层叠。
46.基板11可以利用透光性绝缘材料形成。
47.基板11的材料可以提供为能够使得设置于基板11的正面上的外延堆叠件(即，第
三外延堆叠件40)生长的生长基板中的一种。在本发明的一实施例中，基板11可以是蓝宝石(al2o3)、碳化硅(sic)、氮化镓(gan)、氮化铟镓(ingan)、氮化铝镓(algan)、氮化铝(aln)、氧化镓(ga2o3)或硅(si)基板。
48.各个外延堆叠件向所述基板11的背面所朝向的方向(图1中的下侧方向)射出光。此时，从一个外延堆叠件射出的光透射位于光路径的另一个外延堆叠件而向基板11的背面所朝向的方向行进。
49.在本实施例中，第一外延堆叠件20可以射出第一光，第二外延堆叠件30可以射出第二光，第三外延堆叠件40可以射出第三光。在此，第一光至第三光可以是彼此相同的光，或者可以是互不相同的光。在本发明的一实施例中，第一光至第三光可以是可见光波段的颜色光。
50.在本发明的一实施例中，第一光至第三光可以是依次具有短波长的互不相同的波段的光。即，第一光至第三光可以具有彼此相同或互不相同的波段，并且可以是从第一光到第三光具有越来越高的能量的短波段的光。在本实施例中，第一光可以是红色光，第二光可以是绿色光，第三光可以是蓝色光。
51.然而，第一光至第三光可以是依次具有长波长的互不相同的波段的光，或者也可以是与波长的长度无关而不规则地布置的互不相同的波段的光。作为一实施例，第一光可以是红色光，第二光可以是蓝色光，第三光可以是绿色光。
52.在具有上述结构的根据本发明的一实施例的发光结构体中，在各个外延堆叠件分别独立地连接有施加发光信号的信号布线，因此各个外延堆叠件独立地被驱动。据此，可以通过决定是否从各个外延堆叠件射出光而实现多样的色彩。并且，由于发出互不相同的波长的光的外延堆叠件上下重叠而形成，因此能够在较窄的面积形成。
53.更具体而言，在根据本发明的一实施例的发光层叠体中，可以在基板11上设置第三外延堆叠件40，在第三外延堆叠件40上隔着第二粘结层63设置第二外延堆叠件30，在第二外延堆叠件30上隔着第一粘结层61设置第一外延堆叠件20。
54.第一粘结层61及第二粘结层63可以利用非导电性材料构成，并且包括具有透光性的材料。例如，第一粘结层61及第二粘结层63可以使用光学透明的粘结剂(optically clear adhesive)。然而，本发明的一实施例并不局限于此，第一粘结层61及第二粘结层63也可以针对特定的波长光学透明。例如，第一粘结层61及第二粘结层63也可以是仅使特定波长透射而表现出预定色彩的滤色器。所述色彩可以从多样的颜色选择，例如，可以是红色、蓝色或绿色，也可以是与此不同的颜色。
55.第三外延堆叠件40包括从下部向上部方向依次布置的n型半导体层41、活性层43及p型半导体层45。第三外延堆叠件40的n型半导体层41、活性层43及p型半导体层45可以包括射出蓝色光的半导体材料。在第三外延堆叠件40的p型半导体层45的上部设置第三p型接触电极45p。
56.第二外延堆叠件30包括从下部向上部方向依次布置的p型半导体层35、活性层33及n型半导体层31。第二外延堆叠件30的p型半导体层35、活性层33及n型半导体层31可以包括射出绿色光的半导体材料。在第二外延堆叠件30的p型半导体层35的下部设置有第二p型接触电极35p。
57.第一外延堆叠件20包括从下部向上部方向依次布置的p型半导体层25、活性层23
及n型半导体层21。第一外延堆叠件20的p型半导体层25、活性层23及n型半导体层21可以包括射出红色光的半导体材料。在第一外延堆叠件20的p型半导体层25的下部可以设置第一p型接触电极25p。
58.在第一外延堆叠件20的n型半导体层21的上部可以设置第一n型接触电极。第一n型接触电极21n可以利用单层或多层金属构成。例如，第一n型接触电极21n可以使用包括al、ti、cr、ni、au、ag、ti、sn、ni、cr、w、cu等金属或其合金的多样的材料。
59.在本实施例中，第一p型接触电极25p、第二p型接触电极35p、第三p型接触电极45p可以利用透明导电性材料构成，以使光透射。
60.在本实施例中，在第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的n型半导体层21、31、41可以连接有公共布线。在此，公共布线是施加公共电压的布线。并且，在第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的p型半导体层25、35、45可以通过p型接触电极25p、35p、45p分别连接有发光信号布线。具体而言，第一n型接触电极21n、第二n型半导体层31、第三n型半导体层41通过公共布线被施加公共电压s
c
，第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的p型接触电极25p、35p、45p通过发光信号布线被施加发光信号，从而控制第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的发光。在此，发光信号包括分别与第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40对应的第一发光信号s
r
、第二发光信号s
g
、第三发光信号s
b
。在本发明的一实施例中，第一发光信号s
r
可以是对应于红色光的发光的信号，第二发光信号s
g
可以是对应于绿色光的发光的信号，第三发光信号s
b
可以是对应于蓝色光的发光的信号。
61.根据上述的实施例，第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40根据施加于各个外延堆叠件的发光信号被驱动。即，第一外延堆叠件20根据第一发光信号s
r
被驱动，第二外延堆叠件30根据第二发光信号s
g
被驱动，第三外延堆叠件40根据第三发光信号s
b
被驱动。在此，第一驱动信号s
r
、第二驱动信号s
g
及第三驱动信号s
b
彼此独立地施加于第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40，其结果，第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40分别独立地被驱动。发光层叠体可以通过从第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40向下部方向射出的第一光至第三光的组合最终提供多种色彩及多种光量的光。
62.在上述的实施例中对如下情形进行了说明：向第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的n型半导体层21、31、41提供公共电压，向第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的p型半导体层25、35、45施加发光信号。然而，本发明的实施例并不局限于此。在本发明的另一实施例中，也可以向第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的p型半导体层25、35、45提供公共电压，向第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的n型半导体层21、31、41施加发光信号。
63.具有上述结构的根据本发明的一实施例的发光层叠体在实现色彩时，并非在彼此隔开的不同平面上实现互不相同的光，而是在重叠区域提供互不相同的光的一部分，因此能够实现发光元件的小型化及集成化。根据本发明，通过使实现互不相同的光的发光元件的一部分在一个区域重叠而提供层叠体，能够在显著小于现有发明的面积实现全彩。因此，即使在较小的面积也能够制造高分辨率的装置。并且，对于具有上述结构的发光层叠体而言，在层叠射出彼此相同波段的光的外延堆叠件而并非射出互不相同波段的外延堆叠件的
情况下，能够制造多样地控制光的强度的发光装置。
64.根据本发明的一实施例的发光层叠体在一个基板上依次层叠多层外延堆叠件后，在多层的外延堆叠件通过最少的工序形成接触部并连接布线部。并且，与分别制造各种色彩的发光元件并单独进行贴装的现有显示装置的制造方法相比，在本发明中，仅需要贴装一个发光层叠体而代替多个发光元件，因此显著简化了制造方法。
65.根据本发明的一实施例的发光元件可以实现为多种形态，参照图2a和图2b对具体实施例进行说明。
66.图2a是具体图示根据本发明的一实施例的发光元件的平面图，图2b是沿着图2a的a
‑
a'线的剖面图。
67.参照图2a及图2b，根据本发明的一实施例的发光元件包括：基板11；发光结构体，设置于基板上，并且包括多个外延堆叠件；凸起电极20bp、30bp、40bp、50bp，设置于发光结构体上。发光结构体包括层叠于基板11上的第三外延堆叠件40、第二外延堆叠件30及第一外延堆叠件20。
68.第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40分别包括p型半导体层、n型半导体层以及设置于p型半导体层与n型半导体层之间的活性层。在附图中将各个外延堆叠件的n型半导体层、p型半导体层及活性层图示为一层外延堆叠件。
69.在第三外延堆叠件40上依次设置第三p型半导体层45、第二粘结层63及第二p型接触电极35p。第二p型接触电极35p与第二外延堆叠件30直接接触。
70.在第二外延堆叠件30上依次设置第一粘结层61和第一p型接触电极25p。第一p型接触电极25p与第一外延堆叠件20直接接触。
71.在第一外延堆叠件20上设置第一n型接触电极21n。第一n型半导体层21可以具有上表面的一部分凹陷的结构，并且第一n型接触电极21n可以设置于该凹陷部分。
72.在层叠有第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的基板11上设置有单层或多层的绝缘膜。在本发明的一实施例中，在第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的侧面及上表面一部分可以设置有覆盖第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的层叠体的第一绝缘膜81及第二绝缘膜83。第一绝缘膜81和/或第二绝缘膜83可以利用多样的有机/无机绝缘性材料构成，其材料或形态并不受限制。例如，第一绝缘膜81和/或第二绝缘膜83可以提供为硅氧化膜、硅氮化膜、al2o3或分布式布拉格反射器(dbr：distributed bragg reflector)。并且，第一绝缘膜81和/或第二绝缘膜83也可以是黑色有机高分子膜。
73.在像素设置有用于将布线部连接于第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的接触部。接触部包括用于向第一外延堆叠件20提供发光信号的第一接触部20c、用于向第二外延堆叠件30提供发光信号的第二接触部30c、用于向第三外延堆叠件40提供发光信号的第三接触部40c以及用于向第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40施加公共电压的第四接触部50c。在本发明的一实施例中，第一接触部20c、第二接触部30c、第三接触部40c、第四接触部50c当从平面上观察时可以设置于多样的位置。
74.第一接触部20c、第二接触部30c、第三接触部40c、第四接触部50c可以分别包括第一垫20pd、第二垫30pd、第三垫40pd、第四垫50pd和第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp。
75.第一垫20pd、第二垫30pd、第三垫40pd、第四垫50pd分别彼此隔开而绝缘。
76.第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp可以分别彼此隔开而绝缘，并且设置于与第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40重叠的区域(即，光射出区域)。第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp可以分别跨过第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的边缘部位而形成，因此可以覆盖第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的活性层的侧面。
77.第一接触部20c包括彼此电连接的第一垫20pd及第一凸起电极20bp。第一垫20pd设置于第一外延堆叠件20的第一p型接触电极25p上，并且通过设置于第一绝缘膜81的第一接触孔20ch连接于第一p型接触电极25p。第一凸起电极20bp的至少一部分与第一垫20pd重叠。第一凸起电极20bp在与第一垫20pd重叠的区域将第二绝缘膜83置于之间而通过第一贯通孔20ct与第一垫20pd连接。
78.第二接触部30c包括彼此电连接的第二垫30pd及第二凸起电极30bp。第二垫30pd设置于第二p型接触电极35p上，并且通过形成于第一绝缘膜81的第二接触孔30ch连接于第二p型接触电极35p。第二凸起电极30bp的至少一部分与第二垫30pd重叠。第二凸起电极30bp在与第二垫30pd重叠的区域将第二绝缘膜83置于之间而通过第二贯通孔30ct与第二垫30pd连接。
79.第三接触部40c包括彼此电连接的第三垫40pd及第三凸起电极40bp。第三垫40pd设置于第三p型接触电极45p上，并且通过形成于第一绝缘膜81的第三接触孔40ch连接于第三p型接触电极45p。第三凸起电极40bp的至少一部分与第三垫40pd重叠。第三凸起电极40bp在与第三垫40pd重叠的区域将第二绝缘膜83置于之间而通过第三贯通孔40ct与第三垫40pd连接。
80.第四接触部50c包括彼此电连接的第四垫50pd及第四凸起电极50bp。第四垫50pd通过分别在第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的第一n型接触电极21n、第二n型半导体层及第三n型半导体层上设置的第一子接触孔50cha、第二子接触孔50chb、第三子接触孔50chc分别连接于第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40。在此，第三外延堆叠件40的上表面的一部分被去除而使第三n型半导体层暴露，第四垫50pd连接于第三半导体层的第三n型半导体层。
81.具体而言，第四垫50pd通过在第一外延堆叠件20的第一n型接触电极上设置的第一子接触孔50cha与第一外延堆叠件20连接，通过在第二外延堆叠件30的第二n型半导体层上设置的第二子接触孔50chb连接于第二外延堆叠件30，通过在第三外延堆叠件40的第三n型半导体层上设置的第三子接触孔50chc连接于第三外延堆叠件40。第四凸起电极50bp的至少一部分与第四垫50pd重叠。第四凸起电极50bp在与第四垫50pd重叠的区域将第二绝缘膜83置于之间而通过第四贯通孔50ct与第四垫50pd连接。
82.在本发明的一实施例中，虽然未图示，但是在基板11还可以设置有对应于第一接触部20c、第二接触部30c、第三接触部40c、第四接触部50c而设置，并且分别电连接于第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp的布线部(参照图5)和/或与布线部连接的薄膜晶体管等驱动元件。例如，在第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40可以连接有：第一发光信号布线至第三发光信号布线，通过第
一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp分别向第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40提供发光信号；公共布线，通过第四凸起电极50bp分别向第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40提供公共电压。在本实施例中，第一发光信号布线至第三发光信号布线可以分别与第一扫描布线至第三扫描布线对应，公共布线可以对应于数据布线。
83.图3a至图7b是依次图示根据本发明的一实施例的发光元件的制造方法的图，图3a、图4a、图5a、图6a及图7a为平面图，图3b、图4b、图5b、图6b及图7b为沿着图3a、图4a、图5a、图6a及图7a的a
‑
a'线的剖面图。
84.参照图3a及图3b，在基板11上形成发光结构体。发光结构体可以通过化学气相沉积法、金属有机化学气相沉积法、分子束沉积法等多样的工序依次生长有第三外延堆叠件40、第三p型接触电极45p、第二粘结层63、第二p型接触电极35p、第二外延堆叠件30、第一粘结层61、第一p型接触电极25p、第一外延堆叠件20、第一n型接触电极21n。
85.发光结构体可以考虑整体的布线连接结构等而图案化为多样的形状。例如，可以考虑上述的接触孔、贯通孔及垫的位置，当从平面上观察时形成为多边形的形态。
86.根据一实施例，可以通过蚀刻工序蚀刻第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40及第一p型接触电极25p、第二p型接触电极35p、第三p型接触电极45p的一部分而使待形成第一接触孔20ch、第二接触孔30ch、第三接触孔40ch、第四接触孔50ch(参照图4a及图4b)的位置的上表面暴露。
87.参照图4a及图4b，在垂直层叠的发光结构体上可以共形地(conformally)形成第一绝缘膜81。第一绝缘膜81可以包括氧化物，例如硅氧化物和/或硅氮化物。
88.第一绝缘膜81被图案化而去除一部分，据此形成第一接触孔20ch、第二接触孔30ch、第三接触孔40ch、第四接触孔50ch。
89.第一接触孔20ch布置于第一p型接触电极25p上而使第一p型接触电极25p的一部分暴露。第二接触孔30ch布置于第二外延堆叠件30上而使第二p型接触电极35p的一部分暴露。第三接触孔40ch布置于第三p型接触电极45p上而使第三p型接触电极45p的一部分暴露。第四接触孔50ch包括第一子接触孔50cha、第二子接触孔50chb、第三子接触孔50chc，第一子接触孔50cha、第二子接触孔50chb、第三子接触孔50chc分别布置于第一n型接触电极21n、第二外延堆叠件30的第二n型半导体层、第三外延堆叠件40的第三n型半导体层上而使第一n型接触电极21n、第二外延堆叠件30的第二n型半导体层、第三外延堆叠件40的第三n型半导体层的一部分暴露。
90.参照图5a及图5b，在形成有第一接触孔20ch、第二接触孔30ch、第三接触孔40ch、第四接触孔50ch的第一绝缘膜81上形成第一垫20pd、第二垫30pd、第三垫40pd、第四垫50pd。用于形成第一垫20pd、第二垫30pd、第三垫40pd、第四垫50pd的导电膜材料可以使用包括金属的多样的导电体，例如，可以利用ni、ag、au、pt、ti、al及cr中的至少任意一种构成。
91.第一垫20pd、第二垫30pd、第三垫40pd、第四垫50pd形成为与形成第一接触孔20ch、第二接触孔30ch、第三接触孔40ch、第四接触孔50ch的部分重叠。在此，第四垫50pd可以形成为同时与形成第一子接触孔50cha、第二子接触孔50chb、第三子接触孔50chc的部分重叠。
92.参照图6a及图6b，在第一绝缘膜81上可以共形地(conformally)形成第二绝缘膜83。第二绝缘膜83可以包括氧化物，例如硅氧化物和/或硅氮化物。
93.第二绝缘膜83被图案化而去除一部分，据此形成第一贯通孔20ct、第二贯通孔30ct、第三贯通孔40ct、第四贯通孔50ct。
94.第一贯通孔20ct、第二贯通孔30ct、第三贯通孔40ct、第四贯通孔50ct分别布置于第一垫20pd、第二垫30pd、第三垫40pd、第四垫50pd上而使第一垫20pd、第二垫30pd、第三垫40pd、第四垫50pd的一部分暴露。
95.参照图7a及图7b，在形成有第一贯通孔20ct、第二贯通孔30ct、第三贯通孔40ct、第四贯通孔50ct的第二绝缘膜83上形成第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp。
96.第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp分别形成为与形成有第一贯通孔20ct、第二贯通孔30ct、第三贯通孔40ct、第四贯通孔50ct的部分重叠，据此第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp通过第一贯通孔20ct、第二贯通孔30ct、第三贯通孔40ct、第四贯通孔50ct分别连接于第一垫20pd、第二垫30pd、第三垫40pd、第四垫50pd。
97.第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp可以具有大于对应的第一垫20pd、第二垫30pd、第三垫40pd、第四垫50pd的面积。并且，对于第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp而言，当从平面上观察时，至少一部分可以与第一外延堆叠件20、第二外延堆叠件30、第三外延堆叠件40的射出光的光射出区域重叠。
98.第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp可以利用多样的金属通过镀覆法形成。第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp还可以包括用于在镀覆工序中形成金属层的种子层(seed layer)。在种子层可以使用多样的金属，例如包括cu、ni、ti等的金属，并且可以根据要镀覆的金属材料进行多样的变更。
99.在通过镀覆法形成第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp的情况下，能够将第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp的上表面平坦地形成。发光结构体由于用来形成用于与外部布线连接的接触结构的蚀刻等而具有上部阶梯差，因此当与其他元件连接时，由于阶梯差可能导致当形成一般的金属层时其他元件与发光结构体之间的电连接较难。然而，在利用镀覆法形成的情况下，即使在由具有较大差阶梯差的外延层构成的发光结构体上也能够形成具有平坦上表面的电极。此外，镀覆的第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp本身可以具有平坦的上表面，但是为了提高平坦度，还可以追加地对第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp的上表面执行抛光。
100.第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp只要使用在半导体元件中的布线材料就不受特别限定。例如，可以利用snag、sn、cusn、cun、cuag、sb、ni、zn、mo、co等金属和/或金属合金构成。在本发明的一实施例中，第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp可以仅利用sn构成，或者
也可以利用cu/ni/sn构成。在第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp利用cu/ni/sn构成的情况下，能够最小化杂质向发光结构体内部扩散，尤其可以通过使用cu作为凸起电极的材料来防止sn浸透到发光结构体。
101.在利用镀覆法形成第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp之后，可以通过追加热处理工序(即，回流工序)提高第一凸起电极20bp、第二凸起电极30bp、第三凸起电极40bp、第四凸起电极50bp的强度。
102.在本发明的一实施例中，具有如上所述的结构的发光元件可以实现为封装件，进而贴装于其他装置(例如，印刷电路板)上而作为一个发光元件封装件发挥作用。据此，可以追加地设置多样的布线，从而构成为易于贴装到其他装置的结构。
103.图8a至图8e依次图示了发光元件封装件的制造方法。在图8a至图8e中，为了便于说明，将第一外延堆叠件至第三外延堆叠件简化图示为发光结构体10，将第一垫至第四垫和第一凸起电极至第四凸起电极也简化图示为垫pd及凸起电极bp。尤其，在附图中，发光结构体10虽然被简化图示为上表面平坦，但是为在上表面具有阶梯差和/或倾斜的结构。
104.在本发明的一实施例中，可以通过在形成有布线等的印刷电路板11p等贴装至少一个发光元件110而形成发光元件封装件。尤其，发光元件封装件可以包括多个发光元件110。
105.参照图8a，准备印刷电路板11p，并且在印刷电路板11p上布置多个发光元件110。
106.印刷电路板11p形成有用于多样的元件之间电连接的布线及电极，在印刷电路板11p的表面可以贴装有至少一个发光元件110。印刷电路板11p可以根据其布线的布置设置为多样的形态，然而在本实施例中，为了便于说明，图示了在基板11的正面、背面以及正面与背面之间设置电极的情形。然而，印刷电路板11p的布线的布置并不局限于此。在本发明的一实施例中，印刷电路板11p可以具有柔性，或者也可以不具有柔性。
107.在本发明的一实施例中，印刷电路板11p具有正面和背面。印刷电路板11p在正面设置有上部电极11pa，在背面设置有下部电极11pc，并且设置有贯通印刷电路板11p的正面和背面而连接上部电极11pa与下部电极11pc的通孔电极11pb。印刷电路板11p的正面是贴装发光元件110的面。在本发明的一实施例中，印刷电路板11p的上部电极11pa形成于与之后将贴附的各个发光元件110的凸起电极bp对应的位置。
108.印刷电路板11p上的布线和/或电极可以利用化镍金(enig：electroless nikel immersion gold)进行表面处理。例如，在本发明的一实施例中，尤其，上部电极11pa可以利用enig进行表面处理。在对印刷电路板11p上的布线和/或电极进行enig处理的情况下，一部分在高温下熔化，从而易于与发光元件110的凸起电极bp连接。
109.发光元件110可以贴附于载体基板11c上而布置于印刷电路板11p的上部。载体基板11c用于移送发光元件110，并且在一面形成有粘结层13，发光元件110通过粘结层13贴附于载体基板11c。粘结层13可以是耐热性较强且能够装卸发光元件110的硅基聚合物，并且可以制造为带或片形态而被设置于载体基板11c的下表面。粘结层13可以用具有能够将发光元件110稳定地贴附于载体基板11c的程度的粘结力，同时具有当将发光元件110贴附于印刷电路板11p时能够易于分离的程度的粘结力的构件来准备。即，粘结层13针对发光元件110的粘结力可以具有比发光元件110与印刷电路板11p之间的粘结力小的值。
110.发光元件110可以以基板11位于上部且发光结构体10位于下部的倒置形态贴附于
载体基板11c的下部。在此，贴附于载体基板11c的发光元件110具有如下的倒置形态：基板11的背面贴附于载体基板11c上的粘结层13，并且基板11位于上侧，发光结构体10位于下侧。发光元件110以贴附于载体基板11c的状态在印刷电路板11p上隔开布置。
111.参照图8b，发光元件110贴附于印刷电路板11p上，并且载体基板11c及粘结层13被去除。贴附于载体基板11c上的发光元件110可以从上部向下部方向被挤压，以使凸起电极bp与印刷电路板11p的对应的上部电极11pa接触。所述挤压步骤可以在高温下进行，印刷电路板11p上的上部电极11pa的一部分熔化而与发光元件110的凸起电极bp连接。之后，载体基板11c被去除，载体基板11c上的粘结层13具有比发光元件110的凸起电极bp与印刷电路板11p的上部电极11pa的粘结力小的粘结力，从而载体基板11c能够易于从发光元件110分离。
112.如上所述，凸起电极bp贴附于印刷电路板11p的上部电极11pa，从而整体结构从下部向上部方向以印刷电路板11p、凸起电极bp、垫pd、发光结构体10、基板11的顺序布置。来自发光结构体10的光从发光结构体10向基板11的背面所朝向的方向(附图中的上侧方向)行进，因此印刷电路板11p的正面所朝向的方向为光射出的方向。
113.参照图8c，在贴装有发光元件110的印刷电路板11p上形成模制层90。模制层90具有使光的至少一部分透射的性质，并且将外部光的一部分反射、散射和/或吸收。模制层90覆盖发光元件110的至少一部分并将外部光的一部分沿多样的方向反射、散射和/或吸收，从而防止外部光向特定方向反射，尤其防止外部光向能够被用户识别的方向反射。并且，模制层90覆盖发光元件110的至少一部分，从而通过防止发光元件110由于来自外部的湿气和/或物理冲击而受到损伤来提高发光元件110的可靠性。
114.模制层90提供为能够将外部光的一部分沿多样的方向反射、散射和/或吸收，尤其所述模制层90可以具有黑色。然而，除了黑色之外，为了最大程度地阻止外部光向用户方向的反射，只要能够将外部光的一部分沿多样的方向反射、散射和/或吸收，也可以具有除了黑色之外的其他色彩。
115.为了防止外部光向特定方向反射，模制层90包围发光元件110的至少一部分，尤其形成为覆盖发光元件110内基板11的背面。在本发明的一实施例中，模制层90形成为覆盖基板11的背面，从而防止来自外部的光被基板11的背面反射而被用户的眼睛识别。为了防止这样的外部光的向特定方向的反射，模制层90可以将外部光中的约50％以上的外部光沿多样的方向反射或散射或吸收。在本发明的一实施例中，模制层90可以将约80％以上的外部光反射或散射或吸收。
116.模制层90可以形成为能够具有透光性的厚度，从而使从发光结构体10朝向基板11的背面方向(即，上侧方向)的光能够最大程度地射出。例如，模制层90当设置于发光结构体10的背面上时可以形成为使得来自发光结构体的光的50％以上透射的厚度，并且可以设置为从发光结构体10的背面的高度为100微米以下的厚度。或者，模制层90可以设置为从发光结构体10的背面的高度小于发光元件的厚度的程度。
117.模制层90不仅可以形成于基板11的背面侧，而且可以覆盖发光元件110的侧面，即，基板11的侧面及发光结构体10的侧面。模制层90还覆盖发光元件110的侧面，从而通过发光元件110的侧面射出的光的至少一部分可以被模制层90吸收。据此，模制层90能够防止从发光结构体10射出的光与从邻近的发光结构体10射出的光混合。
118.在本发明的一实施例中，模制层90可以利用有机高分子中吸收光的有机高分子构成。在本发明的一实施例中，除了有机高分子之外，模制层90还可以在其内部包括有机/无机填料，或者也可以不包括。例如，在模制层90包括填料的情况下，填料可以是无机填料。无机填料可以是多样的，例如可以是二氧化硅、氧化铝等。
119.并且，模制层90填充于发光结构体10与印刷电路板11p之间的至少一部分。即，可以在设置有凸起电极bp的发光结构体10与印刷电路板11p之间的空余空间填充模制层90。通过在发光结构体10与印刷电路板11p之间的空间填充模制层90，能够有效地将从发光结构体10发生的热分散，从而提高发光元件110的散热特性。
120.在本发明的一实施例中，模制层90可以利用层压法、镀覆法、化学气相沉积法、印刷法、传递模塑法等多样的方式制造。当制造模制层90时，可以包括用于使模制层90的表面平坦化的附加工序而使用多样的薄膜化工序。例如，为了模制层90表面的平坦化，可以在镀覆后且在模制层90材料固化之前执行刮涂(squeegeeing)，或者利用平坦的板执行加压平坦化。并且，在固化模制层90材料之后，可以在表面执行抛光(polishing)或研磨(lapping)。
121.在本发明的一实施例中，模制层90可以利用传递模塑法形成，从而模制层90的上表面能够获得平坦的上表面。传递模塑方式可以通过如下的挤压成型而形成：在将贴装有发光元件的预定单位的封装件安置于成型模具之后，将从固体状态被液化的树脂压入模具内部而成型。
122.用于将模制层90的表面平坦化的方法中，层压法可以是在真空中执行的真空层压(vacuum laminate)法。在这种情况下，模制层90可以利用薄膜形态的有机高分子片形成，在将有机高分子片布置于贴装有发光元件110的印刷电路板11p上之后，可以在真空气氛下进行加热及加压来形成。有机高分子片在高温高压下一部分可以展现流动性，由于这样的流动性可能导致填充到发光元件110之间的区域以及发光元件110与印刷电路板11p之间的区域。之后，有机高分子片被固化。
123.在本发明的一实施例中，模制层90利用真空层压法形成，从而模制层90的上表面能够获得平坦的上表面。以往，利用在涂敷有机高分子材料之后进行固化的工序形成模制层90，在这种情况下，在贴装有发光元件110的部分与未贴装发光元件110的区域之间产生上表面高度差异。上表面高度的差异引起从发光元件110射出的光的不均匀性。但是，根据本发明的一实施例，通过将模制层90的上表面平坦地形成，能够与发光元件110的位置无关地提高光的均匀度。
124.此外，通过设置模制层90稳定地保持发光元件110，因此能够获得提高发光元件封装件的刚性的效果。尤其，模制层90可以填充到印刷电路板11p与发光元件110之间的空间，从而能够具有增加印刷电路板11p与发光元件110的粘结力的效果。据此，进一步提高整个发光元件封装件的刚性。
125.参照图8d，对模制层90的表面进行纹理化，从而在暴露于模制层90的外部的表面形成微细凹凸部91。微细凹凸部91作为用于散射的结构，是为了借由微细凹凸部91使从外部的光散射，从而更加最小化外部光反射至用户的视野。在发光元件封装件使用于诸如照明或者显示装置之类的多样的应用的情况下，发光元件的基板11布置于与用户的实现对向的位置，从而需要尽可能挡住被基板11反射的光。据此，在具有光散射性、光反射性、光吸收
性的模制层90的基础上，追加形成微细凹凸部91，从而进一步减少由于外部光的反射而导致的用户炫目。
126.本发明的一实施例中，模制层在其内部还可以包括二氧化硅或者氧化铝等的填料，从而在纹理化后可以使这样的填料粒子暴露于模制层的表面。在此情况下，填料粒子随机暴露于表面上，从而可以更加提升外部光的散射程度。
127.形成微细凹凸部91的方法可以有多种方法。本发明的一实施例中，可以利用等离子蚀刻模制层90的表面。
128.图9a以及图9b是分别示出模制层经过等离子处理的情形和未经过等离子处理的情形的扫描电子显微镜(sem：scanning electron microscope)照片。
129.参照图9a，经过等离子处理后，可以确认到多个填料在模制层的表面随机地暴露于外部。多数的填料以多种尺寸和频度暴露于外部表面，据此，可以显著地提升借由填料的外部光的散射效果。
130.相比于此，参照图9b，在未经过处理的情况下，可以确认到暴露于外部的数量显著地变少。通过此，可以确认到利用等离子处理可以较容易地在模制层的表面形成微细凹凸部。
131.在此，对经过等离子处理前后的成分进行分析的结果，并未观察到模制层的成分变化，从而可以得知能够在不发生模制层的变性的情况下形成微细凹凸部。
132.本发明的一实施例中，除了等离子处理以外，可以利用微喷砂(micro sand blaster)使表面粗糙，从而形成微细凹凸部。在利用微喷砂的情况下，将数微米至数十微米的微粒高压喷射到模制层的表面，并利用超音波清洗等方法对模制层的表面进行清洗之后烘干，从而可以在模制层的表面形成微细凹凸部。或者，也可以单独使用将模制层90的表面以干式研磨、或者以湿式蚀刻等的方法，或者可以与上述的方法混合使用。
133.根据本发明的一实施例，使用形成有微细凹凸图案的压印模具将微细凹凸图案转印在模制层的表面，从而可以在模制层的表面形成微细凹凸部。
134.图10a至图10e依次图示使用压印模具在模制层的表面形成微细凹凸部的工序的剖面图。
135.参照图10a，首先制造主模mm。主模mm作为形成有与将转印在模制层的表面的微细凹凸部相同的图案(标记为91)的模具，是用于此后在压印模具imp形成逆向图案的模具。
136.参照图10b，在主模mm上涂覆压印模具imp材料并使压印模具imp硬化之后，将压印模具imp从主模mm分离。据此，在压印模具imp的下表面形成有主模mm上的微细凹凸部的逆向图案(标记为91r)。
137.参照图10c，将形成有逆向图案91r的压印模具imp布置于模制层90的上部之后，从上部朝下部的方向加压。
138.参照图10d，压印模具imp的逆向图案91r借由压印模具imp的加压而转印在模制层90的的上表面，转印后压印模具imp从模制层90分离。
139.参照图10e，压印模具imp被去除的模制层90的上表面形成有微细凹凸部。
140.根据本实施例，根据主模上的微细凹凸图案是何种形状而确定最终的模制层的微细凹凸部的形状。据此，对于主模的微细凹凸图案的情况，可以根据需要改变形状、密度等而形成。据此，也能够控制模制层的微细凹凸部的形状、密度等，并且最终可以较容易地调
整借由模制层的上表面的微细凹凸部的外部光的散射程度等。
141.再次参照图8d，在形成具有微细凹凸部的模制层90之后，进行切割，使得印刷电路板11p与发光元件110以适宜的大小被包括在发光元件封装件内，据此形成发光元件封装件。此时，可以切割为使发光元件110单个地分离而被包括，也可以以较大的面积进行切割，使多个发光元件110被包括。切割时的发光元件110的数量及其面积等可以根据之后发光元件110被贴装的装置不同地进行设定。
142.在发光元件封装件中，在构成一个发光元件封装件的印刷电路板上贴装的发光元件的数量可以进行多样的变更。图11a作为图示根据本发明的一实施例的发光元件封装件的平面图，是图示了在一个印刷电路板以矩阵形状贴装有四个发光元件的情形的上表面图，图11b是图11a所示的发光元件封装件的背面图。图12是图11a及图11b所示的发光元件封装件的电路图。
143.参照图11a、图11b及图12，发光元件封装件110d包括印刷电路板11p和在印刷电路板11p上以2
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2形状贴装的四个发光元件110。然而，发光元件封装件110d的数量及排列形态并不局限于此，可以排列为多样的矩阵形态，例如1
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1、3
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3、4
×
4等。如上所述，各个发光元件110具有第一外延堆叠件至第三外延堆叠件沿垂直方向层叠的结构。据此，第一外延堆叠件至第三外延堆叠件与各个发生光的发光二极管相对应。例如，第一外延堆叠件至第三外延堆叠件可以分别对应于发出红色光的第一发光二极管、发出绿色光的第二发光二极管及发出蓝色光的第三二极管。
144.首先，参照图12，为了驱动四个发光元件，第一扫描布线sc1、第二扫描布线sc2、第三扫描布线sc3、第四扫描布线sc4、第五扫描布线sc5、第六扫描布线sc6和第一数据布线dt1、第二数据布线dt2连接于四个发光元件。若将四个发光元件称为第一发光元件110p、第二发光元件110q、第三发光元件110r、第四发光元件110s，则第一发光元件110p连接于第一扫描布线sc1、第二扫描布线sc2、第三扫描布线sc3和第一数据布线dt1，第二发光元件110q连接于第一扫描布线sc1、第二扫描布线sc2、第三扫描布线sc3和第二数据布线dt2。第三发光元件110r连接于第四扫描布线sc4、第五扫描布线sc5、第六扫描布线sc6和第一数据布线dt1，第四发光元件110s连接于第四扫描布线sc4、第五扫描布线sc5、第六扫描布线sc6和第二数据布线dt2。
145.第一发光元件110p、第二发光元件110q、第三发光元件110r、第四发光元件110s分别所包括的三个发光二极管当通过扫描布线被供应扫描信号时对应于通过数据布线输入的数据信号选择性地发光。各个二极管连接于扫描布线与数据布线之间，当向p型半导体层与n型半导体层之间施加阈值电压以上的电压时，以与所施加的电压的大小相对应的亮度发光。即，通过调节通过扫描布线施加的扫描信号和/或通过数据布线施加的数据信号的电压能够控制各个发光二极管的发光。作为一例，在各帧期间内，各个发光二极管以与接收的数据信号对应的亮度发光。接收到与黑色亮度相对应的数据信号的发光二极管在相应帧期间内不发光，从而显示黑色。
146.在本发明的一实施例中，可以通过如上所述地设置六条扫描布线和两条数据布线来单独地驱动第一发光元件110p、第二发光元件110q、第三发光元件110r、第四发光元件110s。
147.为此，发光元件在印刷电路板11p上贴装于对应的位置。再次参照图11a及图11b，
在印刷电路板11p的正面的与各个发光元件110对应的位置设置有上部电极11pa。即，一个发光元件110具有四个凸起电极bp，在印刷电路板11p针对一个发光元件110设置四个上部电极11pa。各个发光元件110的四个凸起电极bp以一对一的方式与四个上部电极11pa重叠布置并连接。
148.在本发明的一实施例中，第一发光元件110的第一凸起电极至第四凸起电极中的第一凸起电极至第三凸起电极分别连接于第一扫描布线至第三扫描布线，第四凸起电极连接于第一数据布线。第二发光元件110的第一凸起电极至第四凸起电极中的第一凸起电极至第三凸起电极分别连接于第一扫描布线至第三扫描布线，第四凸起电极连接于第二数据布线。第三发光元件110的第一凸起电极至第四凸起电极中的第一凸起电极至第三凸起电极分别连接于第四扫描布线至第六扫描布线，第四凸起电极连接于第一数据布线。第四发光元件110的第一凸起电极至第四凸起电极中的第一凸起电极至第三凸起电极分别连接于第四扫描布线至第六扫描布线，第四凸起电极连接于第二数据布线。
149.在印刷电路板11p的背面布置有共八个下部电极。八个下部电极对应于向第一扫描布线至第六扫描布线提供扫描信号的第一扫描垫至第六扫描垫和向第一数据布线及第二数据布线提供数据信号的第一数据垫及第二数据垫。例如，若将形成于印刷电路板11p的背面的八个下部电极称为第一下部电极11pc_1、第二下部电极11pc_2、第三下部电极11pc_3、第四下部电极11pc_4、第五下部电极11pc_5、第六下部电极11pc_6、第七下部电极11pc_7、第八下部电极11pc_8，则第一下部电极11pc_1、第二下部电极11pc_2、第三下部电极11pc_3、第四下部电极11pc_4、第五下部电极11pc_5、第六下部电极11pc_6对应于第一扫描垫至第六扫描垫，第七下部电极11pc_7、第八下部电极11pc_8对应于第一数据垫及第二数据垫。然而，第一扫描垫至第六扫描垫、第一数据垫及第二数据垫的布置及顺序并不局限于此，可以在印刷电路板11p的背面以多样的形态和面积进行布置，其顺序也可以与此不同地进行设定。
150.在本发明的一实施例中，彼此临近的两个下部电极之间的距离可以大于彼此临近的两个上部电极之间的距离。当形成发光元件封装件时，印刷电路板的下部电极可以在将发光元件封装件贴装于其他电子元件时作为用于与其他电子元件电连接的连接电极发挥作用，因此通过将彼此临近的两个下部电极之间的间隔较宽地形成，能够使得发光元件封装件更易于贴装到其他电子元件。
151.如上文所述，根据本发明的一实施例的发光元件封装件可以使用简单结构的印刷电路板，并且易于将能够单独驱动的发光元件贴装到该印刷电路板上。并且，当驱动四个发光元件时，由于可以仅配有八个输入端子(即，八个下部电极)，因此能够通过简单的结构驱动多个发光元件。
152.根据本发明的一实施例，可以以如下多样的形态应用于不同的装置：使用单一发光元件封装件作为光源，或者将多个发光元件封装件再次贴装于基础基板上而进行模块化后利用该模块作为光源等。利用(多个)发光元件封装件的装置可以列举显示装置、生活照明装置、车辆用照明(车辆用前照灯、照明灯、尾灯)、各种装饰用照明装置等。
153.图13是图示为了应用于显示装置或车辆用照明装置等而将多个发光元件封装件110d贴装于基础基板110b而制造光源模块的情形的示意性剖面图。
154.参照图13，可以准备形成有布线的基础基板110b，在基础基板110b上贴装多个发
光元件封装件110d。基础基板110b可以具有柔性，或者也可以不具有柔性。
155.基础基板110b上的布线以对应于发光元件封装件110d的下表面电极的方式进行设置。基础基板110b上的布线可以通过连接电极11s连接于发光元件封装件的下表面电极。在本发明的一实施例中，连接电极11s可以设置为焊料的形态。
156.如图13所示，在将发光元件封装件贴装于基础基板上的情况下，当某一个发光元件封装件发生缺陷时，能够易于以仅将该发光元件封装件替换为良品的方式进行维修。
157.图14是概念性地图示根据本发明的一实施例的发光元件封装件应用于显示装置的情形的平面图，图15是放大图示图14的p1部分的平面图。
158.参照图14及图15，根据本发明的一实施例的发光元件可以作为像素被采用于能够显示多种色彩的显示装置。多个发光元件可以以上述的发光元件封装件110d的形态在基础基板上安装多个。
159.根据本发明的一实施例的显示装置100显示任意的视觉信息，例如，文本、视频、照片、二维或三维图像等。
160.显示装置100可以设置为多样的形状，可以设置为诸如矩形等包括直线边的闭合形态的多边形、包括由曲线构成的边的圆、椭圆等、包括由直线和曲线构成的边的半圆、半椭圆等多样的形状。在根据本发明的一实施例中，图示了上述显示装置设置为矩形形状的情形。
161.显示装置100具有显示图像的多个像素。各个像素作为显示图像的最小单位可以通过一个发光元件实现。因此，在本实施例中，将各个像素用110表示。各个像素110可以包括上述结构的发光元件，并且发出白色光和/或彩色光。
162.在本发明的一实施例中，各个像素包括发出红色光的第一像素110
r
、发出绿色光的第二像素110
g
、发出蓝色光的第三像素110
b
。第一像素110
r
、第二像素110
g
、第三像素110
b
可以分别对应于上述发光元件的第一外延堆叠件至第三外延堆叠件。
163.第一像素110
r
、第二像素110
g
、第三像素110
b
射出的光并不局限于此，也可以使至少两个像素射出彼此相同颜色的光，或者分别射出互不相同的光，并且射出黄色、品红色、青色等与上述色彩不同的色彩的光。
164.像素110布置为行列形状。在此，像素110布置为行列形状的含义并非仅表示像素110沿行或列准确地排列为一列的情形，可以如下地对局部的位置进行改变：整体沿行或列排列但排列为“之”字形状等。
165.根据本实施例，可以仅通过将多个发光元件封装件贴装于基础基板而容易地制造多样的大小的照明装置等。例如，可以利用多个发光元件封装件容易地制造大面积显示装置。并且，在基础基板或印刷电路板具有柔性的情况下，显示装置也可以具有柔性，因此可以容易地制造多样形态的显示装置，例如，可卷显示装置、可折叠显示装置、曲面显示装置等。
166.以上，虽然参照本发明的优选实施例进行了说明，但是应当理解，只要是本技术领域的熟练的技术人员或者在本技术领域中具有基本知识的人员就可以在不脱离权利要求书中记载的本发明的思想及技术领域的范围内对本发明进行多种修改及变更。
167.因此，本发明的技术范围并不限于说明书中详细说明所具体记载的内容，而应由权利要求书决定。