有机发光器件的制作方法

1.本技术要求于2019年12月11日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0164734号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
2.本说明书涉及有机发光器件，所述有机发光器件包括：第一电极；第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层。


背景技术：

3.通常，有机发光现象是指通过使用有机材料将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件通常具有包括正电极、负电极和介于其间的有机材料层的结构。在此，有机材料层在许多情况下具有由不同材料构成的多层结构以改善有机发光器件的效率和稳定性，例如，有机材料层可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等构成。在有机发光器件的这样的结构中，如果在两个电极之间施加电压，则空穴从正电极注入至有机材料层中，电子从负电极注入至有机材料层中，当注入的空穴和电子彼此相遇时，形成激子，并且当激子再落至基态时发光。
4.持续需要开发用于前述有机发光器件的新材料。


技术实现要素：

5.技术问题
6.本说明书致力于提供有机发光器件，所述有机发光器件包括：第一电极；第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层。
7.技术方案
8.本说明书提供了有机发光器件，所述有机发光器件包括：第一电极；第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层，
9.其中有机材料层包括发光层，所述发光层包含以下化学式1的化合物和以下化学式2的化合物。
10.[化学式1]
[0011][0012]
[化学式2]
[0013][0014]
在化学式1和2中，
[0015]
ar1至ar4彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂环基，
[0016]
a1至a4和r1至r8彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的咔唑基，或者与相邻基团键合以形成经取代或未经取代的环，
[0017]
het为经取代或未经取代的包含n、o或s的具有5至20个碳原子的杂环基，
[0018]
l为具有5至20个碳原子的三价芳基，
[0019]
a1和a4各自为1至4的整数，以及a2和a3各自为1至3的整数，
[0020]
当a1至a4各自为2或更大的整数时，括号中的两个或更多个取代基彼此相同或不同，
[0021]
n为0或1的整数，并且
[0022]
当n为0时，咔唑的n与三嗪直接键合。
[0023]
有益效果
[0024]
当包括根据本说明书的一个示例性实施方案的包含化学式1和2的化合物的发光层时，有机发光器件的使用寿命得到改善。
[0025]
当包括根据本说明书的一个示例性实施方案的包含化学式1和2的化合物的发光层时，有机发光器件具有低驱动电压的优点。
附图说明
[0026]
图1示出了根据本说明书的一个示例性实施方案的有机发光器件10。
[0027]
图2示出了根据本说明书的另一个示例性实施方案的有机发光器件11。
[0028]
《附图标记说明》
[0029]
10、11：有机发光器件
[0030]
20：基底
[0031]
30：第一电极
[0032]
40：发光层
[0033]
50：第二电极
[0034]
60：空穴注入层
[0035]
70：空穴传输层
[0036]
80：电子传输层
[0037]
90：电子注入层
具体实施方式
[0038]
在本说明书中，除非另外具体描述，否则当一个部分“包括”一个构成要素时，这并不意指排除另外的构成要素，而是意指还可以包括另外的构成要素。
[0039]
在本说明书中，当一个构件设置在另一构件“上”时，这不仅包括一个构件与另一构件接触的情况，而且还包括在这两个构件之间存在又一构件的情况。
[0040]
本说明书中的取代基的实例将在以下描述，但不限于此。
[0041]
术语“取代”意指与化合物的碳原子键合的氢原子变为另外的取代基，并且取代的位置没有限制，只要该位置是氢原子被取代的位置(即，取代基可以取代的位置)即可，并且当两个或更多个取代时，两个或更多个取代基可以彼此相同或不同。
[0042]
在本说明书中，术语“经取代或未经取代的”意指经选自以下的一个或两个或更多个取代基取代：氘；卤素基团；腈基；硝基；羟基；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的烷氧基；经取代或未经取代的芳氧基；经取代或未经取代的烷基硫基；经取代或未经取代的芳基硫基；经取代或未经取代的烷基磺酰基；经取代或未经取代的芳基磺酰基；经取代或未经取代的烯基；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的硼基；经取代或未经取代的胺基；经取代或未经取代的芳基膦基；经取代或未经取代的氧化膦基；经取代或未经取代的芳基；和经取代或未经取代的杂环基，或者经以上例示的取代基中的两个或更多个取代基连接的取代基取代，或者不具有取代基。例如，“两个更多个取代基连接的取代基”可以为联苯基。即，联苯基可以为芳基，并且也可以被解释为两个苯基连接的取代基。
[0043]
在本说明书中，意指与另外的取代基键合的部分或键合部分。
[0044]
在本说明书中，卤素基团可以为氟、氯、溴或碘。
[0045]
在本说明书中，烷基可以为直链或支化的，并且其碳原子数没有特别限制，但优选为1至30。其具体实例包括甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但不限于此。
[0046]
在本说明书中，环烷基没有特别限制，但优选具有3至30个碳原子，其具体实例包括环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基等，但不限于此。
[0047]
在本说明书中，烷氧基可以为直链、支化或环状的。烷氧基的碳原子数没有特别限制，但优选为1至30。其具体实例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、异丙基氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、异戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苄氧基、对甲基苄氧基等，但不限于此。
[0048]
在本说明书中，胺基可以选自-nh2；烷基胺基；n-烷基芳基胺基；芳基胺基；n-芳基杂芳基胺基；n-烷基杂芳基胺基；和杂芳基胺基，并且其碳原子数没有特别限制，但优选为1至30。胺基的具体实例包括甲基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、苯基胺基、萘基胺基、联苯基胺基、蒽基胺基、9-甲基-蒽基胺基、二苯基胺基、n-苯基萘基胺基、二甲苯基胺基、n-苯基甲苯基胺基、三苯基胺基、n-苯基联苯基胺基、n-苯基萘基胺基、n-联苯基萘基胺基、n-萘基芴基胺基、n-苯基菲基胺基、n-联苯基菲基胺基、n-苯基芴基胺基、n-苯基三联苯基胺基、n-菲基芴基胺基、n-联苯基芴基胺基等，但不限于此。
[0049]
在本说明书中，n-烷基芳基胺基意指其中胺基的n取代有烷基和芳基的胺基。
[0050]
在本说明书中，n-芳基杂芳基胺基意指其中胺基的n取代有芳基和杂芳基的胺基。
[0051]
在本说明书中，n-烷基杂芳基胺基意指其中胺基的n取代有烷基和杂芳基的胺基。
[0052]
在本说明书中，芳基烷基、烷基胺基、n-芳基烷基胺基、烷基硫基、烷基磺酰基和n-烷基杂芳基胺基中的烷基与烷基的上述实例相同。具体地，烷基硫基的实例包括甲基硫基、乙基硫基、叔丁基硫基、己基硫基、辛基硫基等，烷基磺酰基的实例包括甲磺酰基、乙基磺酰基、丙基磺酰基、丁基磺酰基等，但实例不限于此。
[0053]
在本说明书中，烯基可以为直链或支化的，并且其碳原子数没有特别限制，但优选为2至30。其具体实例包括乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯基-1-基、2-苯基乙烯基-1-基、2,2-二苯基乙烯基-1-基、2-苯基-2-(萘基-1-基)乙烯基-1-基、2,2-双(二苯基-1-基)乙烯基-1-基、茋基、苯乙烯基等，但不限于此。
[0054]
在本说明书中，芳基烯基意指经芳基取代的烯基。
[0055]
在本说明书中，甲硅烷基的具体实例包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但不限于此。
[0056]
在本说明书中，硼基可以为-br
100r101
，r
100
和r
101
彼此相同或不同，并且可以各自独立地选自氢；氘；卤素；腈基；经取代或未经取代的具有3至30个碳原子的单环或多环环烷基；经取代或未经取代的具有1至30个碳原子的直链或支化烷基；经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的单环或多环芳基；和经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的单环或多环杂芳基。
[0057]
在本说明书中，氧化膦基的具体实例包括二苯基氧化膦基、二萘基氧化膦等，但不限于此。
[0058]
在本说明书中，芳基没有特别限制，但优选具有6至30个碳原子，并且芳基可以为单环或多环的。
[0059]
当芳基为单环芳基时，其碳原子数没有特别限制，但优选为6至30。单环芳基的具体实例包括苯基、联苯基、三联苯基等，但不限于此。
[0060]
当芳基为多环芳基时，其碳原子数没有特别限制，但优选为10至30。多环芳基的具体实例包括萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、非那烯基、苝基、基、芴基等，但不限于此。
[0061]
在本说明书中，芴基可以被取代，并且相邻的取代基可以彼此键合以形成环。
[0062]
当芴基被取代时，取代基可以为当芴基被取代时，取代基可以为等。然而，取代基不限于此。
[0063]
在本说明书中，“相邻”基团可以意指对与相应取代基取代的原子直接连接的原子进行取代的取代基、被设置成空间上最靠近相应取代基的取代基、或对相应取代基取代的原子进行取代的另外的取代基。例如，苯环中邻位取代的两个取代基和脂族环中取代同一碳的两个取代基可以被解释为彼此“相邻”的基团。
[0064]
在本说明书中，芳基烷基、芳基烯基、芳氧基、芳基硫基、芳基磺酰基、n-芳基烷基胺基、n-芳基杂芳基胺基和芳基膦基中的芳基与芳基的上述实例相同。具体地，芳氧基的实例包括苯氧基、对甲苯氧基、间甲苯氧基、3,5-二甲基苯氧基、2,4,6-三甲基苯氧基、对叔丁基苯氧基、3-联苯氧基、4-联苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、4-甲基-1-萘氧基、5-甲基-2-萘氧基、1-蒽氧基、2-蒽氧基、9-蒽氧基、1-菲氧基、3-菲氧基、9-菲氧基等，芳基硫基的实例包括苯基硫基、2-甲基苯基硫基、4-叔丁基苯基硫基等，芳基磺酰基的实例包括苯磺酰基、对甲苯磺酰基等，但实例不限于此。
[0065]
在本说明书中，芳基胺基的实例包括经取代或未经取代的单芳基胺基、经取代或未经取代的二芳基胺基、或者经取代或未经取代的三芳基胺基。芳基胺基中的芳基可以为单环芳基或多环芳基。包含两个或更多个芳基的芳基胺基可以包含单环芳基、多环芳基、或者单环芳基和多环芳基二者。例如，芳基胺基中的芳基可以选自芳基的上述实例。
[0066]
在本说明书中，杂芳基包含一个或更多个除碳之外的原子，即一个或更多个杂原子，具体地，杂原子可以包括选自o、n、se、s等的一个或更多个原子。其碳原子数没有特别限制，但优选为2至30，并且杂芳基可以为单环或多环的。杂环基的实例包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、唑基、二唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基(菲咯啉)、噻唑基、异唑基、二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、吩嗪基、二苯并呋喃基等，但不限于此。
[0067]
在本说明书中，杂芳基胺基的实例包括经取代或未经取代的单杂芳基胺基、经取代或未经取代的二杂芳基胺基、或者经取代或未经取代的三杂芳基胺基。包含两个或更多个杂芳基的杂芳基胺基可以包含单环杂芳基、多环杂芳基、或者单环杂芳基和多环杂芳基
二者。例如，杂芳基胺基中的杂芳基可以选自杂芳基的上述实例。
[0068]
在本说明书中，n-芳基杂芳基胺基和n-烷基杂芳基胺基中的杂芳基的实例与杂芳基的上述实例相同。
[0069]
在本说明书中，亚芳基意指在芳基中具有两个键合位置的基团，即二价基团。关于芳基的上述描述可以应用于亚芳基，不同之处在于亚芳基各自为二价基团。
[0070]
根据本说明书的一个示例性实施方案，提供了有机发光器件，所述有机发光器件包括：第一电极；第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层，其中有机材料层包括发光层，发光层包含化学式1的化合物和化学式2的化合物。在这种情况下，第一电极和第二电极可以被设置成面向彼此。
[0071]
根据本说明书的一个示例性实施方案，化学式1的化合物为以下化学式1-1。
[0072]
[化学式1-1]
[0073][0074]
在化学式1-1中，ar1、ar2、a1至a4和a1至a4与化学式1中的限定相同。
[0075]
根据本说明书的一个示例性实施方案，化学式1的化合物为以下化学式1-1-1至1-1-3中的任一者。
[0076]
[化学式1-1-1]
[0077][0078]
[化学式1-1-2]
[0079][0080]
[化学式1-1-3]
[0081][0082]
在化学式1-1-1至1-1-3中，
[0083]
ar1、ar2和ar5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有6至20个碳原子的芳基，
[0084]
a5至a11和a14彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；或者经取代或未经取代的芳基，
[0085]
a12和a13彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的烷基；或者经取代或未经取代的芳基，
[0086]
a5、a6、a8和a9各自为1至3的整数，以及a7、a10和a11各自为1至4的整数，
[0087]
当a5至a11各自为2或更大的整数时，括号中的两个或更多个结构彼此相同或不同，以及
[0088]
a14为1或2，并且当a14为2时，括号中的结构彼此相同或不同。
[0089]
根据本说明书的一个示例性实施方案，ar1和ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的苯基；经取代或未经取代的联苯基；经取代或未经取代的三联苯基；经取代或未经取代的萘基；或者经取代或未经取代的菲基。
[0090]
根据本说明书的一个示例性实施方案，ar1和ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为苯基；联苯基；三联苯基；萘基；或菲基。
[0091]
根据本说明书的一个示例性实施方案，a1至a4彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的咔唑基，并且与相邻取代基键合以形成经取代或未经取代的烃环。
[0092]
根据本说明书的一个示例性实施方案，a1至a4彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；或氘。
[0093]
根据本说明书的一个示例性实施方案，a1至a4彼此相同或不同，并且各自独立地为氢。
[0094]
根据本说明书的一个示例性实施方案，a5至a11和a14彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；或者经取代或未经取代的芳基。
[0095]
根据本说明书的一个示例性实施方案，a5至a11和a14彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；或氘。
[0096]
根据本说明书的一个示例性实施方案，a5至a11和a14彼此相同或不同，并且各自独立地为氢。
[0097]
根据本说明书的一个示例性实施方案，a12和a13彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的烷基；或者经取代或未经取代的芳基。
[0098]
根据本说明书的一个示例性实施方案，a12和a13彼此相同或不同，并且各自独立
地为经取代或未经取代的烷基。
[0099]
根据本说明书的一个示例性实施方案，a12和a13彼此相同或不同，并且各自独立地为烷基。
[0100]
根据本说明书的一个示例性实施方案，a12和a13为甲基。
[0101]
根据本说明书的一个示例性实施方案，ar5为经取代或未经取代的苯基；经取代或未经取代的联苯基；经取代或未经取代的三联苯基；经取代或未经取代的萘基；或者经取代或未经取代的菲基。
[0102]
根据本说明书的一个示例性实施方案，ar5为苯基；联苯基；三联苯基；萘基；或菲基。
[0103]
根据本说明书的一个示例性实施方案，ar5为苯基。
[0104]
根据本说明书的一个示例性实施方案，化学式1选自以下化合物。
[0105]
[0106][0107]
根据本说明书的一个示例性实施方案，化学式2的化合物为以下化学式2-1。
[0108]
[化学式2-1]
[0109][0110]
在化学式2-1中，ar3、ar4和het与化学式1中的限定相同，
[0111]
r1至r9彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；或者经取代或未经取代的芳基，以及
[0112]
r9为1至3的整数，并且当r9为2或更大的整数时，括号中的两个或更多个结构彼此相同或不同。
[0113]
根据本说明书的一个示例性实施方案，化学式2的化合物为以下化学式2-2。
[0114]
[化学式2-2]
[0115][0116]
在化学式2-2中，
[0117]
ar3、ar4、ar6和ar7彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳基，
[0118]
x1至x3中的至少一者为n，以及余者为ch，
[0119]
r1至r9彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；或者经取代或未经取代的芳基，以及
[0120]
r9为1至3的整数，并且当r9为2或更大的整数时，括号中的两个或更多个结构彼此相同或不同。
[0121]
根据本说明书的一个示例性实施方案，化学式2的化合物为以下化学式2-2-1至2-2-3中的任一者。
[0122]
[化学式2-2-1]
[0123][0124]
[化学式2-2-2]
[0125][0126]
[化学式2-2-3]
[0127][0128]
在化学式2-2-1至2-2-3中，
[0129]
ar3、ar4、ar6和ar7彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳基，
[0130]
x1至x3中的至少一者为n，以及余者为ch，
[0131]
r1至r9彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；或者经取代或未经取代的芳基，以及
[0132]
r9为1至3的整数，并且当r9为2或更大的整数时，括号中的两个或更多个结构彼此相同或不同。
[0133]
根据本说明书的一个示例性实施方案，x1至x3中的至少两者为n，以及余者为ch。
[0134]
根据本说明书的一个示例性实施方案，x1至x3为n。
[0135]
根据本说明书的一个示例性实施方案，ar3、ar4、ar6和ar7彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有6至20个碳原子的芳基。
[0136]
根据本说明书的一个示例性实施方案，ar3、ar4、ar6和ar7彼此相同或不同，并且各自独立地为具有6至20个碳原子的芳基。
[0137]
根据本说明书的一个示例性实施方案，ar3、ar4、ar6和ar7为苯基。
[0138]
根据本说明书的一个示例性实施方案，r1至r8彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；或芳基。
[0139]
根据本说明书的一个示例性实施方案，r1至r8彼此相同或不同，并且各自独立地
为氢；氘；或苯基。
[0140]
根据本说明书的一个示例性实施方案，r9为氢；或氘。
[0141]
根据本说明书的一个示例性实施方案，r9为氢。
[0142]
根据本说明书的一个示例性实施方案，化学式2选自以下化合物。
[0143][0144]
根据本说明书的一个示例性实施方案，本说明书的有机发光器件的有机材料层可以由单层结构构成，但也可以由其中堆叠有两个或更多个有机材料层的多层结构构成。例如，本发明的有机发光器件可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等作为有机材料层的结构。然而，有机发光器件的结构不限于此，并且可以包括更少或更多的有机层。
[0145]
有机发光器件可以具有例如以下描述的堆叠结构，但堆叠结构不限于此。
[0146]
(1)正电极/空穴传输层/发光层/负电极
[0147]
(2)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/负电极
[0148]
(3)正电极/空穴传输层/发光层/电子传输层/负电极
[0149]
(4)正电极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极
[0150]
(5)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/负电极
[0151]
(6)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极
[0152]
(7)正电极/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/负电极
[0153]
(8)正电极/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极
[0154]
(9)正电极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/负电极
[0155]
(10)正电极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极
[0156]
(11)正电极/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/负电极
[0157]
(12)正电极/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/负电极
[0158]
(13)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/负电极
[0159]
(14)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/负电极
[0160]
(15)正电极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/负电极
[0161]
(16)正电极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输和注入层/负电极
[0162]
(17)正电极/空穴注入层/第一空穴传输层/第二空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输和注入层/负电极
[0163]
(18)正电极/空穴注入层/第一空穴传输层/第二空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/负电极
[0164]
(19)正电极/空穴注入层/第一空穴传输层/第二空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/负电极/覆盖层
[0165]
例如，本说明书的有机发光器件的结构可以为图1和图2中示出的结构，但不限于此。
[0166]
图1例示了其中第一电极30、发光层40和第二电极50顺序地堆叠在基底20上的有机发光器件10的结构。图1是根据本说明书的一个示例性实施方案的有机发光器件的示例性结构，并且还可以包括另外的有机材料层。
[0167]
图2例示了其中第一电极30、空穴注入层60、空穴传输层70、发光层40、电子传输层80、电子注入层90和第二电极50顺序地堆叠在基底20上的有机发光器件的结构。图2是根据本说明书的一个示例性实施方案的示例性结构，并且所述结构还可以包括另外的有机材料层。
[0168]
根据本说明书的一个示例性实施方案，发光层包含主体和掺杂剂，并且主体包括化学式1的化合物和化学式2的化合物。
[0169]
在发光层中，化学式1的化合物与化学式2的化合物的重量比优选为99:1至1:99、或95:5至5:95。
[0170]
在本说明书的一个示例性实施方案中，发光层包含化学式1和2的化合物作为主体，并且可以包含另外的有机化合物、金属或金属化合物作为掺杂剂。
[0171]
根据本说明书的一个示例性实施方案，有机材料层还可以包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的一个或更多个层。
[0172]
本说明书的有机发光器件可以通过本领域已知的材料和方法来制造，不同之处在于发光层包含化学式1和2的杂环化合物。
[0173]
当有机发光器件包括复数个有机材料层时，有机材料层可以由相同材料或不同材料形成。
[0174]
例如，本说明书的有机发光器件可以通过在基底上顺序堆叠第一电极、有机材料层和第二电极来制造。在这种情况下，有机发光器件可以通过以下来制造：通过使用物理气
相沉积(pvd)法例如溅射或电子束蒸镀在基底上沉积金属或具有导电性的金属氧化物或其合金以形成第一电极，在第一电极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机材料层，然后在有机材料层上沉积可以用作第二电极的材料。除上述方法之外，有机发光器件还可以通过在基底上顺序沉积第二电极材料、有机材料层和第一电极材料来制造。
[0175]
此外，当制造有机发光器件时，化学式1和2的化合物不仅可以通过真空沉积法而且还可以通过溶液施加法形成为有机材料层。在此，溶液施加法意指旋涂、浸涂、刮涂、喷墨印刷、丝网印刷、喷洒法、辊涂等，但不限于此。
[0176]
根据本说明书的一个示例性实施方案，第一电极为正电极，第二电极为负电极。
[0177]
根据本说明书的另一个示例性实施方案，第一电极为负电极，第二电极为正电极。
[0178]
作为正电极材料，通常优选具有高的功函数的材料以促进空穴注入有机材料层中。本发明中可以使用的正电极材料的具体实例包括：金属，例如钒、铬、铜、锌和金，或其合金；金属氧化物，例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)；金属和氧化物的组合，例如zno:al或sno2:sb；导电聚合物，例如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](pedot)、聚吡咯和聚苯胺；等等，但不限于此。
[0179]
作为负电极材料，通常优选具有低的功函数的材料以促进电子注入有机材料层中。负电极材料的具体实例包括：金属，例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅，或其合金；多层结构材料，例如lif/al或lio2/al和mg/ag；等等，但不限于此。
[0180]
空穴注入层是注入来自电极的空穴的层，并且空穴注入材料优选为这样的化合物：其具有传输空穴的能力，并因此具有注入正电极处的空穴的效应以及优异的将空穴注入发光层或发光材料中的效应，防止由发光层产生的激子移动至电子注入层或电子注入材料，并且形成薄膜的能力也是优异的。空穴注入材料的最高占据分子轨道(homo)优选为正电极材料的功函数与周围有机材料层的homo之间的值。空穴注入材料的具体实例包括金属卟啉、低聚噻吩、基于芳基胺的有机材料、基于六腈六氮杂苯并菲的有机材料、基于喹吖啶酮的有机材料、基于苝的有机材料、蒽醌、基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等，但不限于此。
[0181]
空穴传输层是接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层，并且空穴传输材料合适地为可以接收来自正电极或空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的具有高的空穴迁移率的材料。其具体实例包括基于芳基胺的有机材料、导电聚合物、具有共轭部分和非共轭部分二者的嵌段共聚物等，但不限于此。
[0182]
电子阻挡层是可以通过防止从电子注入层注入的电子穿过发光层并进入空穴注入层而改善器件的使用寿命和效率的层，并且如有必要，可以通过使用富含电子的公知材料在发光层与空穴注入层之间的适当部分处形成。用于电子阻挡层的材料需要考虑与整个器件结构相邻的发光层的特性来选择，并且通常选自通常可以用作空穴传输层用材料的材料。
[0183]
根据本说明书的一个示例性实施方案，优选选择以下ebl1的化合物用于与包含化学式1的化合物和化学式2的化合物的发光层相邻的电子阻挡层。使用其中电子充分带电以匹配用于发光层的材料的电子传输层材料以使发光层富含电子，使得显示出提高发光效率的本发明的效果，但出现发光层中富含的电子进入空穴传输层，并因此使空穴传输层劣化
的问题。因此，在本说明书的器件结构中，电子阻挡层是必不可少的，并且使用作为富含空穴的材料的以下ebl1以防止电子从发光层流出，使得可以通过防止空穴传输层劣化而实现长使用寿命和高效率。
[0184][0185]
用于发光层的发光材料是可以通过接收分别来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子并使其结合而发射可见光区域内的光的材料，并且优选为对荧光或磷光具有高量子效率的材料。在本说明书中，包含化学式1和2的化合物，并且还可以包含另一种另外的发光材料。其具体实例包括：8-羟基-喹啉铝配合物(alq3)；基于咔唑的化合物；二聚苯乙烯基化合物；balq；10-羟基苯并喹啉-金属化合物；基于苯并唑、基于苯并噻唑和基于苯并咪唑的化合物；基于聚(对亚苯基亚乙烯基)(ppv)的聚合物；螺环化合物；聚芴；红荧烯；等等，但不限于此。
[0186]
发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料包括化学式1和2的化合物，并且还可以包括另一种另外的发光材料。另外的发光材料的实例包括稠合芳族环衍生物或含杂环的化合物等。稠合芳族环衍生物的具体实例包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，含杂环的化合物的实例包括咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯子型呋喃化合物、嘧啶衍生物等，但其实例不限于此。
[0187]
掺杂剂材料的实例包括芳族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体地，芳族胺衍生物是具有经取代或未经取代的芳基氨基的稠合芳族环衍生物，并且其实例包括具有芳基氨基的芘、蒽、二茚并芘等，苯乙烯基胺化合物是其中经取代或未经取代的芳基胺取代有至少一个芳基乙烯基的化合物，并且选自芳基、甲硅烷基、烷基、环烷基和芳基氨基的一个或两个或更多个取代基是经取代或未经取代的。其具体实例包括苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺等，但不限于此。此外，金属配合物的实例包括铱配合物、铂配合物等，但不限于此。
[0188]
根据本说明书的一个示例性实施方案，发光层还包含磷光掺杂剂。
[0189]
根据本说明书的一个示例性实施方案，磷光掺杂剂可以为金属配合物。
[0190]
根据本说明书的一个示例性实施方案，磷光掺杂剂的实例包括铱配合物、铂配合物等，但不限于此。
[0191]
根据本说明书的一个示例性实施方案，磷光掺杂剂可以为以下化合物中的任一者，但不限于此。
[0192]
[0193][0194]
空穴阻挡层是可以通过防止从空穴注入层注入的空穴穿过发光层并进入电子注入层而改善器件的使用寿命和效率的层，并且如有必要，可以通过使用公知的材料在发光层与电子注入层之间的适当部分处形成。
[0195]
电子传输层是接收来自电子注入层的电子并将电子传输至发光层的层，并且电子传输材料合适地为可以熟练地接收来自负电极的电子并将电子传输至发光层的具有高的
电子迁移率的材料。其具体实例包括：8-羟基喹啉的al配合物；包含alq3的配合物；有机自由基化合物；羟基黄酮-金属配合物等，但不限于此。电子传输层可以与如根据相关技术使用的任何期望的阴极材料一起使用。特别地，合适的阴极材料的实例包括具有低的功函数，后接铝层或银层的典型材料。其具体实例包括铯、钡、钙、镱和钐，在每种情况下后接铝层或银层。
[0196]
电子注入层是注入来自电极的电子的层，并且电子注入材料优选为这样的化合物：其具有传输电子的能力、注入来自负电极的电子的效应、以及优异的将电子注入发光层或发光材料中的效应，防止由发光层产生的激子移动至空穴注入层，并且形成薄膜的能力也是优异的。其具体实例包括芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、唑、二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等及其衍生物，金属配合物化合物，含氮五元环衍生物等，但不限于此。
[0197]
金属配合物化合物的实例包括8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等，但不限于此。
[0198]
覆盖层凸出地沉积在透明阴极上，因此用于收集从阴极发出的光。形成覆盖层的有机材料的电特性不是要考虑的项目，但形成的薄膜的折射率是重要的。在520nm的波长条件下，覆盖层所需的折射率可以为1.96或更大且1.93或更小，并且优选为1.94。
[0199]
形成覆盖层的有机材料没有特别限制，但可以例如选自以下化合物。
[0200][0201]
根据使用的材料，根据本说明书的有机发光器件可以为顶部发射型、底部发射型或双发射型。
[0202]
根据本说明书的一个示例性实施方案，除有机发光器件之外，化学式1和2的化合物还可以包含在有机太阳能电池或有机晶体管中。
[0203]
发明实施方式
[0204]
在下文中，将参照用于具体描述本说明书的实施例详细地描述本说明书。然而，根据本说明书的实施例可以以各种形式修改，并且本说明书的范围不应被解释为限于以下详细描述的实施例。提供本说明书的实施例以向本领域普通技术人员更完整地说明本说明书。
[0205]
[合成例1]
[0206][0207]
将化合物1-1-a(46.6mmol)、化合物1-1-b(51.3mmol)、碳酸钾(139.8mmol)和四(三苯基膦)钯(0)(0.9mmol)放入四氢呋喃中，将所得混合物回流12小时。在反应完成之后，除去水层，将有机层用硫酸镁干燥，然后将滤液在减压下蒸馏。在将获得的固体溶解在氯仿(500ml)中之后，向其中添加乙酸乙酯(100ml)，将所得混合物重结晶然后干燥以获得化合物1-1(产率86％)。
[0208]
[合成例2]
[0209][0210]
以与合成例1中相同的方式合成化合物1-2，不同之处在于在合成例1中，分别使用化合物1-2-a和化合物1-2-b(102.6mmol)代替化合物1-1-a和化合物1-1-b(51.3mmol)。
[0211]
[合成例3]
[0212][0213]
以与合成例1中相同的方式合成化合物1-4，不同之处在于在合成例1中，分别使用化合物1-4-a和化合物1-4-b代替化合物1-1-a和化合物1-1-b。
[0214]
[合成例4]
[0215][0216]
以与合成例1中相同的方式合成化合物1-9，不同之处在于在合成例1中，分别使用化合物1-9-a和化合物1-9-b代替化合物1-1-a和化合物1-1-b。
[0217]
[合成例5]
[0218][0219]
以与合成例1中相同的方式合成化合物1-11，不同之处在于在合成例1中，分别使用化合物1-11-a和化合物1-11-b代替化合物1-1-a和化合物1-1-b。
[0220]
[合成例6]
[0221]
[0222]
将k2co3(4.91mmol)和2-4-b(3.93mmol)放入n-甲基吡咯烷酮(nmp)中，将所得混合物在室温下搅拌1小时。向其中添加化合物2-4-a(0.655mmol)。将该混合物在180℃下搅拌18小时。将混合物在195℃下再次搅拌11小时。将反应混合物用h2o淬灭，将沉淀产物过滤，然后用甲醇(meoh)洗涤。将过滤的产物通过硅胶柱色谱法(己烷:甲苯＝1:1)再次纯化以以64％的产率获得作为白色粉末的化合物2-4(0.422mmol)。
[0223]
[合成例7]
[0224][0225]
以与合成例6中相同的方式合成化合物2-3，不同之处在于在合成例6中，分别使用化合物2-3-a和化合物2-3-b代替化合物2-4-a和化合物2-4-b。
[0226]
[合成例8]
[0227][0228]
以与合成例6中相同的方式合成化合物2-5，不同之处在于在合成例6中，分别使用化合物2-5-a和化合物2-5-b代替化合物2-4-a和化合物2-4-b。
[0229]
[合成例9]
[0230][0231]
以与合成例6中相同的方式合成化合物2-6，不同之处在于在合成例6中，分别使用化合物2-6-a和化合物2-6-b代替化合物2-4-a和化合物2-4-b。
[0232]
[合成例10]
[0233][0234]
在将9-([1,1'-联苯]-3-基)-3-溴-9h-咔唑)(20.0g，50.4mmol)和(9-([1,1'-联苯]-3-基)-9h-咔唑-3-基)硼酸(18.3g，50.4mmol)分散在四氢呋喃(250ml)中之后，向其中添加2m碳酸钾水溶液(k2co3水溶液)(50.4ml，100.7mmol)，向其中放入四三苯基膦钯[pd(pph3)4](1.7g，3mol％)，然后将所得混合物搅拌并回流4小时。将温度降至室温，将产生的固体过滤。将过滤的固体用氯仿和乙酸乙酯重结晶，过滤，然后干燥以制备化合物1-12(21.5g，产率67％，ms:[m+h]
+
＝637)。
[0235]
[比较例1]
[0236]
作为阳极，将其上沉积有ag/ito至具有100nm/5nm的厚度的基底切割成100mm
×
100mm
×
0.5mm的尺寸，放入其中溶解有分散剂的蒸馏水中，并用超声波洗涤。使用由fischer co.制造的产品作为清洁剂，使用利用由millipore co.制造的过滤器过滤两次的蒸馏水作为蒸馏水。在将ito洗涤30分钟之后，使用蒸馏水重复进行两次超声洗涤10分钟。在使用蒸馏水洗涤完成之后，使用异丙醇、丙酮和甲醇溶剂按此顺序进行超声洗涤，然后进行干燥。
[0237]
在由此准备的阳极上将htl1热真空沉积至具有的厚度，并与pd1(2重量％)共沉积，从而形成空穴注入层(hil1)。(沉积速率：共沉积，从而形成空穴注入层(hil1)。(沉积速率：(htl1)，(pd1))
[0238][0239]
在空穴注入层上仅将htl1真空沉积至具有的厚度，从而形成第一空穴传输层(htl1)，并将以下ht-a真空沉积至具有的厚度，从而形成第二空穴传输层(htl2)。(沉积速率：)
[0240][0241]
然后，将以下ebl1真空沉积至具有的厚度，从而形成电子阻挡层(ebl)。(沉积速率：)
[0242][0243]
在电子阻挡层上将作为主体的化合物p-主体a(为p型主体)和化合物n-主体a(为n型主体)(p-主体:n-主体a的重量比＝6:4)以及作为掺杂剂的以下铱化合物(gd)(6重量％)真空沉积至具有的厚度，从而形成发光层(eml)。(沉积速率：(p-主体)，(n-主体a)，(gd))
[0244][0245]
此后，将hbl1真空沉积至具有的厚度，从而形成空穴阻挡层(hbl)，将etl1和liq以2:1的重量比真空沉积，从而形成电子传输层(etl)。(沉积速率：(hbl1)，(etl1)，(etl1)，(liq))
[0246][0247]
随后，在将镱(yb)和氟化锂(lif)沉积至具有的厚度以形成作为电子注入层
(eil)的膜之后，使用镁和银(1:4)以形成厚度为的阴极，然后将以下cpl沉积至具有的厚度作为覆盖层，从而完成器件。(沉积速率：(yb、lif)，(ag)，(mg))
[0248][0249]
[实施例1至9和比较例2至7]
[0250]
以与比较例1中相同的方式各自制造实施例1至9和比较例2至7的器件，不同之处在于在比较例1中，各自使用表1中示出的化合物作为p型主体和n型主体。
[0251][0252]
[实验例]
[0253]
通过在1.0e-7
或更高的真空室中蒸镀oled有机化合物来进行实验。在封装过程完成之后，在110℃的烘箱中进行烘烤40分钟。在这种情况下，通过烘烤可以看出有机薄膜的老化效应，使得可以获得稳定的上部发光有机el器件。
[0254]
通过利用由photo research inc.制造的pr-670ivl测量仪器来测量经完全烘烤
的有机el器件的ivl特性，并通过由mcscience制造的m6000产品通过基于20,000尼特的光电二极管法来测量上部有机el器件的寿命(lt)，从而将亮度从初始亮度降至95％所需的时间示为t95。
[0255]
[表1]
[0256][0257]
*v：驱动电压
[0258]
*cd/a：效率
[0259]
根据表1中的结果，可以确定与比较例1至5相比，实施例1至4满足低电压、高效率或长使用寿命。
[0260]
可以确定在实施例1的情况下，由于本说明书中描述的主体的组合，即使驱动电压增加0.3v，比较例1至3的100小时的使用寿命也显著延长至500小时。
[0261]
可以确定实施例1至4的效率保持在与比较例相似的水平，但驱动电压降低并且使用寿命大大改善。
[0262]
如比较例5所示，可以确定使用与本说明书的化学式2相似的n型主体的组合具有较长的寿命，但具有较高的电压和较低的效率。
[0263]
可以确定当对其中使用化合物2-3的实施例5和其中使用化合物3-2的比较例5进行比较时，作为n型主体，化合物3-2通过将具有大量电子的三嗪与具有一定量空穴的材料(例如二苯并呋喃或二苯并噻吩)连接以控制电子的流动而增加了使用寿命，但电子无法顺
利流动，因此电压增加。
[0264]
由于比化合物2-3大的分子量，化合物3-1和3-2具有大的体积，并且在面板的大量生产期间，材料的升华引起大量生产中的问题。具体地，优选的材料在加热时应熔化或保持粉状，但化合物3-1和3-2会像硬棉一样硬化至坩埚顶部，使得材料不会升华。
[0265]
[实施例10、实施例11、比较例8和比较例9]
[0266]
以与实施例7中相同的方式各自制造实施例10、实施例11、比较例8和比较例9的器件，不同之处在于在实施例7中，各自使用表2中示出的化合物作为p型主体、n型主体、电子阻挡层和覆盖层。
[0267][0268]
通过在1.0e-7
或更高的真空室中蒸镀oled有机化合物来进行实验。在封装过程完成之后，在110℃的烘箱中进行烘烤40分钟。在这种情况下，通过烘烤可以看出有机薄膜的老化效应，使得可以获得稳定的上部发光有机el器件。
[0269]
通过利用由photo research inc.制造的pr-670ivl测量仪器来测量经完全烘烤的有机el器件的ivl特性，并通过由mcscience制造的m6000产品通过基于20,000尼特的光电二极管法来测量上部有机el器件的寿命(lt)，从而将亮度从初始亮度降至95％所需的时间示为t95。
[0270]
[表2]
[0271][0272]
确定与使用ebl1作为空穴阻挡层的实施例7相比，分别使用化合物3-6和3-5的实施例10和11具有更短的使用寿命。确定由于使用具有比ebl1低的空穴传输特性的化合物3-5或化合物3-6的空穴传输层劣化，因此使用寿命在一定程度上缩短。
[0273]
由于本技术的n型主体由两个三嗪构成，相对于空穴，电子的量变得相对过于占主导，使得发光层中电子和空穴的能量平衡不匹配，但在与发光层相邻的ebl层中使用富含空穴的ebl1来恢复发光层中失去的平衡。因此，与其中使用具有一个三嗪的化合物3-3的比较例8相比，其中使用ebl1产生平衡的实施例7表现出更好的性能。