显示模组、显示面板及显示模组的制作方法与流程

本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示模组、显示面板及显示模组的制作方法。

背景技术：

显示模组可以采用包括薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)的像素驱动阵列驱动像素进行发光，像素驱动阵列的结构由复杂的网状金属走线组成。

随着屏下指纹识别及屏下摄像等功能需求的提升，对显示模组的光透过率的要求也越来越高，由于金属走线不透光，金属走线成为提高显示模组的光透过率的最大障碍。如何提高显示模组的光透过率是本领域技术人员急需要解决的技术问题。

技术实现要素：

为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种显示模组、显示面板及显示模组的制作方法。

本申请的第一方面，提供一种显示模组，所述显示模组包括层叠的多层金属走线结构及位于相邻两层金属走线结构之间的绝缘层；

所述显示模组还包括位于所述多层金属走线结构中至少部分金属走线结构的至少部分表面的包覆层，其中，所述包覆层的折射率与和所述包覆层接触的绝缘层的折射率不同。

在上述结构中，通过在至少部分金属走线结构的至少部分表面设置与绝缘层折射率不同的包覆层，可以使从一层金属走线结构的一侧入射的光线在经由包覆层与和该包覆层接触的绝缘层时，改变光线的传播路径，使原本应该被遮挡的光线从显示模组中透射出，以提高显示模组的光透过率。

在本申请的一种可能实施例中，所述显示模组还包括基板层，所述多层金属走线结构依次层叠在所述基板层上；

所述包覆层至少位于所述多层金属走线结构中的一目标层金属走线结构靠近所述基板层一侧的表面，其中，所述包覆层的折射率大于和所述包覆层接触的绝缘层的折射率；或，

所述包覆层至少位于所述多层金属走线结构中的一目标层金属走线结构在其延伸方向两侧的斜侧面，其中，所述包覆层的折射率小于和所述包覆层接触的绝缘层的折射率；

优选的，在所述目标层金属走线结构为阳极膜层时，所述包覆层位于所述阳极膜层靠近所述基板层一侧的表面。

在本申请的一种可能实施例中，所述显示模组还包括基板层，所述多层金属走线结构依次层叠在所述基板层上；

在任意两层金属走线结构中包括在所述基板层上的正投影部分重叠的目标金属走线时，所述包覆层位于所述目标金属走线的至少部分表面。

在本申请的一种可能实施例中，所述包覆层位于所述目标金属走线的所有侧面。

在本申请的一种可能实施例中，所述目标金属走线包括靠近所述基板层的第一目标金属走线及远离所述基板层的第二目标金属走线；

所述包覆层包括位于所述第一目标金属走线靠近所述基板层一侧表面的第一包覆层，及位于所述第二目标金属走线中除靠近所述基板层一侧表面的其他侧表面的第二包覆层；或，

所述包覆层包括位于所述第二目标金属走线靠近所述基板层一侧表面的第一包覆层，及位于所述第一目标金属走线中除靠近所述基板层一侧表面的其他侧表面的第二包覆层。

在本申请的一种可能实施例中，位于所述目标金属走线朝向所述基板层一侧的包覆层的坡度角的起始位置在所述基板层上的正投影为第一投影，所述目标金属走线在所述基板层的正投影为第二投影，所述第一投影与所述第二投影不交叠。

在本申请实施例中，所述包覆层的折射率与和所述包覆层接触的绝缘层的折射率之间的差值大于0.1；

优选的，在所述包覆层的折射率大于和所述包覆层接触的绝缘层的折射率时，所述包覆层包括氮化硅层；在所述包覆层的折射率小于和所述包覆层接触的绝缘层的折射率时，所述包覆层包括聚七氟丁基甲基丙烯酸酯层。

本申请的第二方面，还提供一种显示面板，所述显示面板包括触控模组及第一方面所述的显示模组；

所述触控模组层叠设置在所述显示模组上。

在本申请实施例中，所述触控模组包括触控走线结构；

所述触控模组还包括位于所述触控走线结构中至少部分触控走线结构的至少部分表面的包覆层，其中，所述包覆层的折射率和与所述包覆层接触的膜层的折射率不同。

本申请的第三方面，还提供一种显示模组的制作方法，用于制作第一方面所述的显示模组，所述制作方法包括至少一个下述制作步骤，该步骤包括：

在绝缘层上制作一沟道；

在所述绝缘层上制作与所述绝缘层的折射率不同的包覆材料层，并去除所述沟道所在区域以外的所述包覆材料层；

在位于所述沟道位置处的所述包覆材料层远离所述绝缘层的一侧制作金属走线结构。

相对于现有技术，本申请实施例提供的显示模组、显示面板及显示模组制作方法，通过在至少部分金属走线结构的至少部分表面设置与绝缘层折射率不同的包覆层，可以使从一层金属走线结构的一侧入射的光线在绝缘层与包覆层交界的位置被改变传播路径，使原本应该遮挡的光线从显示模组中透射出，以提高显示模组的光透过率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的显示模组的膜层结构示意图；

图2为图1中阵列基板与发光器件层的具体膜层结构示意图；

图3为本申请实施例提供的两层金属走线结构的膜层示意图；

图4为现有技术中光线在一层金属走线结构中传播的光路图；

图5为本申请实施例中光线在一层金属走线结构上传播的光路图之一；

图6为本申请实施例中光线在一层金属走线结构上传播的光路图之二；

图7为现有技术中光线在部分重叠的两层金属走线结构中传播的光路图；

图8为本申请实施例中光线在部分重叠的两层金属走线结构中传播的光路图；

图9为本申请实施例第一种实施方式提供的两层目标金属走线的膜层结构及光线传播示意图；

图10为本申请实施例第二种实施方式提供的两层目标金属走线的膜层结构及光线传播示意图；

图11为本申请实施例第三种实施方式提供的两层目标金属走线的膜层结构及光线传播示意图；

图12为本申请实施例第四种实施方式提供的两层目标金属走线的膜层结构及光线传播示意图；

图13为本申请实施例的其他实施方式提供的两层目标金属走线的膜层结构示意图；

图14为本申请实施例提供的目标金属走线与包覆层的具体位置关系图；

图15为本申请实施例提供的显示屏的膜层结构示意图；

图16为本申请实施例提供的显示模组制作方法的部分流程图；

图17为图16所示步骤对应的工艺制程图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。

为了解决背景技术中提及的技术问题，业内一般采用宽度更窄的金属走线或透明走线等解决方案，但是这些解决方案对工艺要求较高，同时还会影响器件本身性能。并且，随着像素密度(pixelsperinch，ppi)的提升，金属走线势必会更加密集，导致显示模组的光透过率进一步降低。

为了解决上述技术问题，本申请实施例在至少部分金属走线结构的至少部分表面设置与绝缘层折射率不同的包覆层，可以使从一层金属走线结构的一侧入射的光线在绝缘层与包覆层交界的位置处改变传播路径，使原本被遮挡的光线可以从显示模组中透射出，以提高显示模组的光透过率。

下面将结合附图对本申请的具体实现方案进行详细说明。

为了便于更好的描述本申请实施例提供的技术方案，先对显示模组10的膜层结构进行介绍。现结合图1及图2对显示模组10的膜层结构进行详细介绍。

显示模组10可以包括阵列基板101及发光器件层102，其中，阵列基板101可以包括基板层1011、缓冲层1012及像素驱动层。

基板层1011可以为玻璃基板，缓冲层1012位于基板层1011的一侧，像素驱动层位于缓冲层1012远离基板层1011的一侧。在本实施例中，缓冲层1012可由无机材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等制备形成。在本实施例中，缓冲层1012可以是依次形成于基板层1011上的氮化硅(sinx)层和氧化硅(siox)层的双层结构。

像素驱动层可以包括有源层10131、栅极绝缘层10132、栅极10133、源极10134、漏极10135、第一绝缘层10136、第二绝缘层10137，以及用于形成电容的第一电极10138及第二电极10139。

有源层10131形成于缓冲层1012上，有源层10131可以由无机半导体(如，非晶体硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体形成，有源层10131可以包括源区(s)、漏区(d)和沟道区(p-si)。

栅极绝缘层10132形成于有源层10131和未被有源层10131覆盖的缓冲层1012上，以便将有源层10131和栅极10133绝缘隔离。栅极绝缘层10132可以采用氧化硅或氮化硅等材料制成，但不限于此。

栅极10133形成于有源层10131对应的栅极绝缘层10132背离基板层1011的一侧，栅极10133可以使用金属al、mo、cu、ti或其他低电阻率的金属材料中的一种或多种形成。同时，在栅极绝缘层10132上还形成有电容的第一电极10138。该第一电极10138形成于栅极绝缘层10132上，第一电极10138与栅极10133的材料可以相同，可以在栅极绝缘层10132上制作第一金属层m1，以达到同时在栅极绝缘层10132上制作栅极10133和第一电极10138。

第一绝缘层10136形成于栅极绝缘层10132上并覆盖栅极10133和第一电极10138，第二电极10139位于第一电极10138所对应的第一绝缘层10136远离基板层1011的一侧。第一绝缘层10136用于将第一电极10138与第一电极10138绝缘隔离，使第一电极10138与第二电极10139形成电容。第一绝缘层10136同样可以由无机材料，如：氮化硅和氧化硅形成。第二电极10139位于第一绝缘层10136上方制作的第二金属层m2中。

第二绝缘层10137形成于第一绝缘层10136上并覆盖第二电极10139，用于隔离源极10134、漏极10135与第二电极10139，使得源极10134、漏极10135与第二电极10139相互绝缘。第二绝缘层10137同样可以由无机材料(如：氮化硅和氧化硅)形成。第二绝缘层10137的结构可以为氮化硅和氧化硅形成的双层或三层以上的结构。

源极10134和漏极10135形成于第二绝缘层10137上，源极10134通过通孔与有源层10131中的源区(s)电连接，漏极10135通过通孔与有源层10131中的漏区(d)电连接。栅极10133、源极10134、漏极10135、第一电极10138、第二电极10139的电极材料可同为金属al、mo、cu、ti或其他低电阻率的金属材料中的一种或多种。源极10134和漏极10135位于第二绝缘层10137上制作的第三金属层m3中。

在像素驱动层远离基板层1011的一侧还可以设置平坦化层1014及发光器件层102。驱动元件包括由栅极10133、源极10134、漏极10135以及有源层10131等形成的tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)。

发光器件层102可以包括阳极膜层1021、像素限定层1022、发光层1023及阴极膜层1024。阳极膜层1021位于阵列基板101上，像素限定层1022位于阵列基板101上，像素限定层1022在阳极膜层1021上形成像素开口1025，发光层1023位于像素开口1025远离阵列基板101的一侧，阴极膜层(图中未示出)位于发光层1023远离阵列基板101的一侧。

具体地，阳极膜层1021位于平坦化层1014远离基板层1011的一侧，阳极膜层1021通过平坦化层过孔与驱动元件的漏极10135电连接。像素限定层1022位于平坦化层1014及阳极膜层1021远离基板层1011的一侧。

在本实施例中，平坦化层1014可以包括第一平坦化层10141及第二平坦化层10142，在第一平坦化层10141与第二平坦化层之间还可以设置第四金属层m4，第四金属层m4可通过平坦化层1014的膜层通孔连接驱动元件的漏极10135和阳极膜层1021。例如，在图2中，阳极膜层1021可以先通过第二平坦化层10142的膜层通孔与第四金属层m4连接，第四金属层m4再通过第一平坦化层10141的膜层通孔与位于第三金属层m3的驱动元件的漏极10135连接。

请参照图3，在本申请实施例中，显示模组10可以包括多层金属走线结构11及位于相邻两层金属走线结构11之间的绝缘层12。结合图2，多层金属走线结构11可以包括位于第一金属层m1的金属走线结构、位于第二金属层m2的金属走线结构、位于第三金属层m3的金属走线结构、位于第四金属层m4的金属走线结构或阳极膜层1021。绝缘层12可以包括第一绝缘层10136、第二绝缘层10137、第一平坦化层10141及第二平坦化层10142。

显示模组10还可以包括位于多层金属走线结构11的至少部分金属走线结构的至少部分表面的包覆层13，其中，包覆层13的折射率与和包覆层接触的绝缘层12的折射率不同。

金属走线结构11包括位于金属走线结构延伸方向两端的端面(图中未示出)、底面1101、顶面1102及两个斜侧面1103及1104，其中斜侧面1103及1104由制作金属走线结构11时通过控制刻蚀时间的不同而形成。

上述提供的显示模组10，可以使从一层金属走线结构11的一侧入射的光线在绝缘层12与包覆层交界13的位置被改变传播路径，使原本应该被遮挡的光线从显示模组10中透射出，以提高显示模组10的光透过率。

在本申请实施例中，包覆层13可以设置在多层金属走线结构11中的一层也可以设置在多层金属走线结构11中的多层(比如，两层)。下面以包覆层13设置在一层金属走线结构11中为例进行介绍。

请参照图4，图4示出了现有技术中光线在一层金属走线结构中传播的光路图。在光线从显示模组10的一侧(基板层1011一侧或发光器件层102一侧)入射进入显示模组10时，会被金属走线结构11中靠近基板层1011或发光器件层102的侧面遮挡，导致显示模组10的光透过率变低。

为了解决上述技术问题，请参照图5及图6，本申请实施例提供一种通过在一层金属走线结构上设置包覆层13以使原本被金属走线结构11遮挡的光线，可以绕过金属走线结构11从显示模组10的一侧出射。

在一种可能的实施方式中，如图5所示，包覆层13可以至少位于多层金属走线结构11中的一目标层金属走线结构靠近基板层1011一侧的表面(图中底面1101)，在该一种实施方式中包覆层13的折射率大于和其接触的绝缘层12的折射率。在光线从基板层1011一侧斜入射进入显示模组10时，光线进入包覆层13之后，可以经由折射后从目标层金属走线结构的侧边朝向发光器件层102一侧出射，也可以经由包覆层13与绝缘层12的交接面的全反射后从目标层金属走线结构的侧边朝向发光器件层102一侧出射，如此可以使原本被目标层金属走线结构遮挡的光线，可以经由包覆层13与绝缘层12改变光路后从目标层金属走线结构的侧边出射。

在另一种可能的实施方式中，如图6所示，包覆层13可以至少位于多层金属走线结构中的一目标层金属走线结构在其延伸方向两侧的斜侧面(图中的斜侧面1103及1104)，在一种实施方式中，包覆层13的折射率小于和其接触的绝缘层12的折射率。在光线从发光器件层102一侧入射到包覆层13时，由于绝缘层12的折射率大于包覆层13的折射率，入射光线在入射到绝缘层12与包覆层13的界面时发生全反射，光线从显示模组10的基板层1011出射。

在本申请实施例中，在目标层金属走线结构为阳极膜层1021时，包覆层13位于阳极膜层1021靠近基板层1011一侧的表面(即底面1101)。

在完成对包覆层13设置在一层金属走线结构11中的示例性介绍以后，下面对包覆层13设置在两层金属走线结构11中的情形进行介绍。

请参照图7及图8，图7示出了现有技术中光线在部分重叠的两层金属走线结构中传播的光路图，图8为本申请实施例中光线在部分重叠的两层金属走线结构中传播的光路图。由图7可知，在光线从显示模组10的一侧(基板层1011一侧或发光器件层102一侧)入射进入显示模组10时，从靠近一层金属走线结构11的一斜侧面位置入射的光会被另一层金属走线结构11遮挡，导致显示模组10的光透过率极低。由图8可知，虽然不同层金属走线结构11存在部分重叠，但在光线从显示模组10的一侧(基板层1011一侧或发光器件层102一侧)入射时，以光线从发光器件层102一侧入射为例，光线在从绝缘层12进入包覆层13时发生折射，折射后的光线在金属走线结构11上反射，反射光线可以不经过另一层金属走线结构11直接从显示模组10的基板层1011侧出射，或经过两层金属走线结构11的多次反射后从显示模组10的基板层1011侧出射。在光线从基板层1011一侧入射时，与上述原理相同，如此可以使原本被其他层金属走线结构11遮挡的光线从显示模组10中透射出，以提高显示模组10的光透过率。

在本申请实施例中，在任意两层金属走线结构11中存在在基板层1011上的正投影部分重合的目标金属走线时，包覆层13可以位于目标金属走线的至少部分表面。

下面以目标金属走线包括分别位于第三金属层m3及第四金属层m4的第一目标金属走线与第二目标金属走线，且第一目标金属走线的斜侧面1103相对于第二目标金属走线伸出，第二目标金属走线的斜侧面1104相对于第一目标金属走线伸出为例进行说明。

请参照图9，在本申请实施例的第一种实施方式中，包覆层13可以位于目标金属走线中除端面以外的所有侧面，即包覆层13位于图3所示的底面1101、顶面1102及斜侧面1103及1104，且包覆层13的折射率大于第一平坦化层10141及第二屏体化层10142的折射率。

以垂直入射为例，在入射光从发光器件层102一侧入射时，原本入射到靠近第二目标金属走线111b的斜侧面1104的光线会被第一目标金属走线111a遮挡，但由于第二目标金属走线111b的斜侧面1104上包覆有包覆层13，入射光线从第二平坦化层10142进入包覆层13时发生折射，由于包覆层13的折射率大于第二平坦化层10142的折射率，入射光线在第二平坦化层10142与包覆层13界面上发生折射的折射角会大于入射角，折射后的光线可以不经过第一目标金属走线111a从基板层1011一侧出射。同理，以垂直入射为例，在入射光从基板层1011一侧入射时，原本入射到第一目标金属走线的斜侧面1103的光线会被第二目标金属走线111b遮挡，但由于第一目标金属走线111a斜侧面1103上包覆有包覆层13，入射光线从包覆层13进入第一平坦化层10141时发生折射，由于包覆层13的折射率大于第一平坦化层10141的折射率，入射光线在包覆层13与第一平坦化层10141的界面上发生折射的折射角会小于入射角，折射后的光线可以不经过第二目标金属走线111b直接从发光器件层102一侧出射。

由上述分析可知，本申请实施例的第一种实施方式可以通过第一目标金属走线的斜侧面1103上的包覆层13及第二目标金属走线的斜侧面1104上的包覆层13增强显示模组10对两侧入射光的光透过率。

请参照图10，在本申请实施例的第二种实施方式中，包覆层13可以位于目标金属走线111的所有侧面，即包覆层13可以位于图3所示的底面1101、顶面1102及斜侧面1103及1104，且包覆层13的折射率小于第一平坦化层10141及第二平坦化层10142的折射率。

以垂直入射为例，在入射光从发光器件层102一侧入射时，原本入射到靠近第二目标金属走线111b的斜侧面1104的光线会被第一目标金属走线111a遮挡，但由于第二目标金属走线111b的斜侧面1104上包覆有包覆层13，入射光线从第二平坦化层10142进入包覆层13时发生折射，由于包覆层13的折射率小于第二平坦化层10142的折射率，入射光线在第二平坦化层10142与包覆层13界面上发生折射的折射角会小于入射角，折射后的光线入射到第二目标金属走线111b的斜侧面1104，再经过斜侧面1104的反射后从基板层1011一侧出射。同理，以垂直入射为例，在入射光从基板层1011一侧入射时，原本入射到靠近第一目标金属走线111a的斜侧面1103的光线会被第二金属走线结构111b遮挡，但由于第一目标金属走线111a的斜侧面1103上包覆有包覆层13，入射光线从包覆层13进入第一平坦化层10141时发生折射，由于包覆层13的折射率小于第一平坦化层10141的折射率，入射光线在包覆层13与第一平坦化层10141的界面上发生折射的折射角会大于入射角，折射后的光线在第二目标金属走线111b的底面1101及第一目标金属走线111a的顶面1102上经过多次反射后可以从发光器件层102一侧出射。

由上述分析可知，通过第一目标金属走线111a的斜侧面1103和顶面1102上的包覆层13，及第二目标金属走线111b的斜侧面1104和底面1101上的包覆层13，可以增强显示模组10对两侧入射光的光透过率。

请参照图11，在本申请实施例的第三种实施方式中，包覆层13可以包括位于第一目标金属走线111a靠近基板层一侧表面的第一包覆层131，及位于第二目标金属走线111b中除靠近基板层1011一侧表面的其他侧表面的第二包覆层132。即在该实施方式中，第一包覆层131位于第一目标金属走线111a的底面1101，第二包覆层132位于第二目标金属走线111b的顶面1102及两侧面1103及1104，第一包覆层131与第二包覆层132的折射率与第一平坦化层10141及第二平坦化层10142的折射率不同。

以垂直入射为例，在入射光从发光器件层102一侧入射时，原本入射到靠近第二目标金属走线111b的斜侧面1104的光线会被第一目标金属走线111a遮挡，但由于第二目标金属走线111b的斜侧面1104上包覆有第二包覆层132，入射光线从第二平坦化层10142进入第二包覆层132时发生折射，由于第二包覆层132的折射率与第二平坦化层10142的折射率不同，入射光线在第二平坦化层10142与第二包覆层132界面上发生折射，光线路径改变。在第二平坦化层10142的折射率小于第二包覆层132的折射率时，折射后的光线可以直接从基板层1011一侧出射；在第二平坦化层10142的折射率大于第二包覆层132的折射率时，折射后的光线入射到第二目标金属走线111b的斜侧面1104，再经过斜侧面1104的反射后从基板层1011一侧出射。在入射光从基板层1011一侧垂直入射时，入射到靠近第一目标金属走线111a的斜侧面1103的光线会被第二目标金属走线111b遮挡，光线无法从发光器件层102一侧出射。

由上述分析可知，可以设置位于第一目标金属走线111a的底面1101的第一包覆层131，及位于第二目标金属走线111b的顶面1102及两侧面1103及1104的第二包覆层132增强显示模组10对发光器件层102一侧入射光的光透过率。

请参照图12，在本申请实施例的第四种实施方式中，包覆层13可以包括位于第一目标金属走线111a中除靠近基板层1011一侧表面的其他侧表面的第一包覆层131，及位于第二目标金属走线111b中靠近基板层1011一侧表面的第二包覆层132。即在该实施方式中，第一包覆层131位于第一目标金属走线111a的顶面1102及两侧面1103及1104，第二包覆层132位于第二目标金属走线111b的底面1101，第一包覆层131与第二包覆层132的折射率与第一平坦化层10141及第二平坦化层10142的折射率不同。

以垂直入射为例，在入射光从发光器件层102一侧入射时，入射到靠近第二目标金属走线111b的斜侧面1104的光线会被第一目标金属走线111a遮挡，光线无法从基板层1011一侧出射。在入射光从基板层1011一侧垂直入射时，原本入射到靠近第一目标金属走线111a的斜侧面1103的光线会被第二金属走线结构111b遮挡，但由于第一目标金属走线111a的斜侧面1103上包覆有第一包覆层131，入射光线从第一包覆层131进入第一平坦化层10141时发生折射，由于第一包覆层131的折射率与第一平坦化层10141的折射率不同，入射光线在第一包覆层131与第一平坦化层10141界面上发生折射，光线路径改变。具体地，在第一包覆层131的折射率小于第一平坦化层10141的折射率时，折射后的光线在第二目标金属走线的底面1101及第一目标金属走线的顶面1102上经过多次反射后可以从发光器件层102一侧出射。在第一包覆层131的折射率大于第一平坦化层10141的折射率时，折射后的光线可以直接从基板层1011一侧出。

由上述分析可知，可以设置位于第一目标金属走线111a的顶面1102及两侧面1103及1104的第一包覆层131，及位于第二目标金属走线111b的底面1101的第二包覆层132增强显示模组10对基板层1011一侧入射光的光透过率。

可以理解的是，上述实施方式只是为说明本申请实施例提供的技术方案的举例，在本申请实施例提供的其他实施方式中还可以包括其他形式的包覆层结构，比如图13，包覆层13还可以只位于目标金属走线111两侧的斜侧面1103及1104。包覆层13的折射率也可以不同，具体地，可以根据第一目标金属走线111a与第二目标金属走线111b的相对位置关系，调整包覆层13的折射率。比如，在第一目标金属走线111a的斜侧面1103相对于第二目标金属走线111b伸出，第二目标金属走线111b的斜侧面1104相对于第一目标金属走线111a伸出时，位于第二目标金属走线111b上的包覆层13的折射率可以大于第二平坦化层10142的折射率，位于第一目标金属走线111a上的包覆层13的折射率可以小于第一平坦化层10141的折射率。

请参照图14，图14示出了一目标金属走线111与包覆层13的具体位置关系图，位于目标金属走线111朝向基板层1011一侧的包覆层13的坡度角(图中taper角)的起始位置在基板层1011上的正投影为第一投影，目标金属走线111在基板层1011的正投影为第二投影，第一投影与第二投影不交叠。如此设置，可以使包覆层13具有较宽的厚度，相比于厚度较窄的包覆层13，包覆层13的厚度设置更宽可以更利于入射光线的路径改变(路径偏移更大)，便于达到增大显示模组10光透过率的目的。

包覆层13的折射率与绝缘层12的折射率差异越大，对入射光学路径的改变越大，在本申请实施例中，包覆层13的折射率与和包覆层13接触的绝缘层12的折射率之间的差值大于0.1。在绝缘层12为平坦化层1014(折射率约为1.6)时，包覆层13可以为折射率相对平坦化层1014小的聚七氟丁基甲基丙烯酸酯层(折射率约为1.38)，包覆层13也可以为折射率相对平坦化层1014大的氮化硅层(折射率约为1.8)。

请参照图15，本申请实施例还提供一种显示屏1，显示屏1可以包括前面所描述的显示模组10及层叠在显示模组10上的触控模组20。

在该实施例中，触控模组20包括触控走线结构及位于至少部分触控走线结构的至少部分表面的包覆层，其中，包覆层的折射率和与包覆层接触的膜层的折射率不同。

基于与显示模组10增加光透过率相同的理由，包括触控模组20和显示模组10的显示屏1可以增加光透过率，便于提升屏下指纹识别、屏下摄像等功能的效果。

本申请实施例还提供一种用于制作上述显示模组的制作方法，该制作方法包括至少一个下述制作步骤，请参照图16及图17，图16示出了显示模组制作方法的部分流程图，图17为对应图16步骤的工艺制程图。现结合图16及图17对金属走线结构制作过程进行详细介绍。

步骤s101，在第一绝缘层1201上制作一沟道14。

具体地，可以通过掩膜板曝光刻蚀的方式在第一绝缘层1201上制作一与金属走线结构的走线路径相同的沟道14。

步骤s102，在第一绝缘层1201上制作与第一绝缘层1201的折射率不同的第一包覆材料层1301，并去除沟道所在区域以外的第一包覆材料层1301。

具体地，在第一包覆材料层1301为无机层时，可以采用化学气相沉积的方式在制作该第一包覆材料层1301；在第一包覆材料层1301为有机层时，可以采用喷墨打印、涂胶及蒸镀等工艺制作该第一包覆材料层1301。并对第一包覆材料层1301进行处理，去除沟道所在区域以外的第一包覆材料层1301。

步骤s103，在位于沟道位置处的第一包覆材料层1301远离第一绝缘层1201的一侧制作金属走线结构11。

具体地，可以先制作一金属层，再通过掩膜刻蚀金属层的方式得到金属走线结构11。

重复上述制作方式得到的显示模组，可以通过与绝缘层折射率不同的包覆材料层改变光线在显示模组内的传播路径，使原本应该被金属走线结构遮挡的部分光线从显示模组中透射出，以提高显示模组的光透过率。

请再次参照图16及图17，在本申请实施例中，在步骤s103之后，本申请提供的显示模组制作方法还可以包括步骤s104及s105。

步骤s104，在金属走线结构11远离第一绝缘层1201的一侧制作第二包覆材料层1302，并去除沟道所在区域以外的第二包覆材料层1302。

步骤s105，在第一绝缘层1201及所述第二包覆材料层1302上制作一与第二包覆材料层1302的折射率不同的第二绝缘层1202。

在本申请实施例中，第一包覆材料层1301和第二包覆材料层1302可以为同一种材料，也可以为不同种材料。

本申请实施例提供的显示模组、显示面板及显示模组制作方法，通过在至少部分金属走线结构的至少部分表面设置与绝缘层折射率不同的包覆层，可以使从一层金属走线结构的一侧入射的光线在绝缘层与包覆层交界的位置被改变传播路径，使原本应该遮挡的光线从显示模组中透射出，以提高显示模组的光透过率。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。