一种复合薄膜的制备方法及复合薄膜与流程

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种复合薄膜的制备方法及复合薄膜。

背景技术：

由于由压电材料制成的复合薄膜具有重量轻、高电压输出、高介电强度，工作频率可调整等优点，在电、磁、声、光、热、湿、气、力等功能转换器件中发挥着重要的作用，因而得到越来越广泛的应用。相应的，复合薄膜的制备技术也在向着高效率、低成本、高质量的方向发展。

现有的制备复合薄膜通常采用直接键合制备技术。首先利用离子注入法处理原始基板，以形成薄膜层和余质层以及位于薄膜层和余质层之间的注入层。然后在衬底基板的一个表面形成隔离层，将原始基板的薄膜层的表面与衬底基板的隔离层的表面抛光并清洗干净，互相接触，以形成键合体。最后将键合体加热以进行退火处理。退火过程中，注入层中的注入离子加热形成气体，产生气泡，气泡在注入层中相互连接，使余质层与薄膜层瞬间整体分离，得到复合薄膜。

然而，因为复合薄膜和衬底基板的热膨胀系数相差较大，材料的膨胀强度又与加热温度成线性关系，所以加热温度越高，两种热膨胀系数不同的材料的膨胀差值越大。对键合体加热时，原始基板与衬底基板之间会因膨胀差值而产生作用力，导致键合体会发生弯曲。当加热温度达到分离温度时，余质层与薄膜层会瞬间整体分离，复合薄膜会在短时间内从弯曲状态恢复平坦状态。在复合薄膜恢复平坦状态过程中，因恢复平坦时所产生的力较大，易使复合薄膜发生炸裂，从而降低复合薄膜的成品率，增加复合薄膜的生产成本。

技术实现要素：

本申请提供一种复合薄膜的制备方法及复合薄膜，以解决现有技术中在复合薄膜恢复平坦状态过程中，因恢复平坦时所产生的力较大，易使复合薄膜发生炸裂，从而降低复合薄膜的成品率，增加复合薄膜的生产成本的问题。

本申请的第一方面，提供一种复合薄膜的制备方法，包括：

在原始基板的第一表面和第二表面上进行离子注入，得到晶圆注入片；所述晶圆注入片依次包括第一薄膜层、第一注入层、余质层、第二注入层和第二薄膜层，注入的离子分布在所述第一注入层和第二注入层内；

将所述晶圆注入片的第一薄膜层与第一支撑基板键合，将所述晶圆注入片的第二薄膜层与第二支撑基板键合，得到键合体；所述第一支撑基板和第二支撑基板与所述原始基板的热膨胀系数不同，且所述第二支撑基板的热膨胀系数和所述第一支撑基板的热膨胀系数相同；

将所述键合体进行退火处理，以使所述第一薄膜层和第二薄膜层分别与所述余质层分离，得到第一复合薄膜和第二复合薄膜；其中，所述第一复合薄膜包括第一支撑基板和第一薄膜层，所述第二复合薄膜包括第二支撑基板和第二薄膜层。

可选的，所述第一薄膜层和第二薄膜层的厚度均大于等于50nm，小于等于3000nm。

可选的，所述第一支撑基板和第一薄膜层之间设置有第一中间层；和/或，第二支撑基板和第二薄膜层之间设置有第二中间层；所述第一中间层和第二中间层的厚度均小于5μm。

可选的，所述键合体在退火处理过程中，所述键合体的最高点与最低点的差值小于1mm。

可选的，所述第一薄膜层和第二薄膜层分别与所述余质层分离时，所述第一复合薄膜的最高点与最低点的差值小于1mm，所述第二复合薄膜的最高点与最低点的差值小于1mm。

可选的，所述第一支撑基板和所述第二支撑基板的结构相同。

可选的，所述原始基板为铌酸锂、钽酸锂、硅、砷化镓、石英、磷酸钛氧铷以及磷酸钛氧钾中的一种。

可选的，退火处理过程中，退火温度大于等于100℃，小于等于600℃；退火时间大于等于1min，小于等于48h。

可选的，所述离子注入的能量大于等于50kev，小于等于1000kev；所述离子注入的剂量大于等于1×10¹⁵ions/cm²，小于等于1×10¹⁸ions/cm²。

本申请的第二方面，提供一种复合薄膜，所述复合薄膜采用第一方面任一项制备方法制备而成。

本申请提供一种复合薄膜的制备方法及复合薄膜。其中，复合薄膜的制备方法包括在原始基板的第一表面和第二表面上进行离子注入，得到晶圆注入片；所述晶圆注入片依次包括第一薄膜层、第一注入层、余质层、第二注入层和第二薄膜层，注入的离子分布在所述第一注入层和第二注入层内；将所述晶圆注入片的第一薄膜层与第一支撑基板键合，将所述晶圆注入片的第二薄膜层与第二支撑基板键合，得到键合体；所述第一支撑基板和第二支撑基板与所述原始基板的热膨胀系数不同，且所述第二支撑基板的热膨胀系数和所述第一支撑基板的热膨胀系数相同；将所述键合体进行退火处理，以使所述第一薄膜层和第二薄膜层分别与所述余质层分离，得到第一复合薄膜和第二复合薄膜；其中，所述第一复合薄膜包括第一支撑基板和第一薄膜层，所述第二复合薄膜包括第二支撑基板和第二薄膜层。

采用上述制备方法，在原始基板第一表面和第二表面上进行离子注入后得到晶圆注入片，将所述晶圆注入片的第一薄膜层与第一支撑基板键合，将所述晶圆注入片的第二薄膜层与第二支撑基板键合，得到键合体，第一支撑基板的热膨胀系数和所述第二支撑基板的热膨胀系数相同，加热过程中，晶圆注入片和第一支撑基板之间产生的作用力与晶圆注入片和第二支撑基板之间产生的作用力大小相同，方向相反，避免了键合体发生弯曲，使得第一余质层与第一薄膜层瞬间整体分离时，复合薄膜处于平坦状态，避免复合薄膜发生炸裂，提高复合薄膜的成品率，降低复合薄膜的生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种复合薄膜的制备方法的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种复合薄膜的制备方法的流程示意图；

图3为本申请实施例提供的一种复合薄膜的第一种结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种复合薄膜的第二种结构示意图；

图5为本申请实施例提供的一种复合薄膜的第三种结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种复合薄膜的第四种结构示意图。

其中，110-原始基板；120-晶圆注入片，1201-第一薄膜层，1202-第一注入层，1203-余质层，1204-第二注入层，1205-第二薄膜层；130-第一支撑基板；140-第二支撑基板；150-第一中间层；160第二中间层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如本申请背景技术所述，目前制备复合薄膜通常采用直接键合制备技术。首先利用离子注入法处理原始基板，以形成薄膜层和余质层以及位于薄膜层和余质层之间的注入层。然后在衬底基板的一个表面形成隔离层，将原始基板的薄膜层的表面与衬底基板的隔离层的表面抛光并清洗干净，互相接触，以形成键合体。最后将键合体加热以进行退火处理。退火过程中，注入层中的注入离子加热形成气体，产生气泡，气泡在注入层中相互连接，使余质层与薄膜层瞬间整体分离，得到复合薄膜。然而，因为复合薄膜和衬底基板的热膨胀系数相差较大，材料的膨胀强度又与加热温度成线性关系，所以加热温度越高，两种热膨胀系数不同的材料的膨胀差值越大。对键合体加热时，原始基板与衬底基板之间会因膨胀差值而产生作用力，导致键合体会发生弯曲。当加热温度达到分离温度时，余质层与薄膜层会瞬间整体分离，复合薄膜会在短时间内从弯曲状态恢复平坦状态。在复合薄膜恢复平坦状态过程中，因恢复平坦时所产生的力较大，易使复合薄膜发生炸裂，从而降低复合薄膜的成品率，增加复合薄膜的生产成本。

因此，为了解决上述问题，本申请实施例部分提供了一种复合薄膜的制备方法，参见图1，图1是复合薄膜的制备方法的结构示意图。

具体的，参见图2，所述制备方法包括以下步骤：

步骤s11，在原始基板110的第一表面和第二表面上进行离子注入，得到晶圆注入片120；晶圆注入片依次包括第一薄膜层1201、第一注入层1202、余质层1203、第二注入层1204和第二薄膜层1205，注入的离子分布在第一注入层1202和第二注入层1204内。

本申请对离子注入的方式不做特别限定，可以使用现有技术中任意一种离子注入的方式，所注入的离子可以为通过热处理能够生成气体的离子，例如氢离子、氦离子、氩离子、氖离子等，离子的注入剂量可以为1×10¹⁵ions/cm²-1×10¹⁸ions/cm²。

可选的，本步骤中原始基板110可以为铌酸锂、钽酸锂、硅、砷化镓、石英、磷酸钛氧铷以及磷酸钛氧钾中的一种。原始基板110的材质可以根据需要选择，本步骤不做具体限定。以原始基板110为铌酸锂晶圆、注入的离子为氦离子为例，将氦离子注入铌酸锂晶圆的两面中，氦离子的注入能量大于等于50kev，小于等于1000kev，剂量大于等于1×10¹⁶ions/cm²，小于等于1×10¹⁷ions/cm²；通过调整离子注入深度来调整第一薄膜层1201和第二薄膜层1205的厚度。具体地，离子注入的深度越大，所制备的薄膜层的厚度越大；相反，离子注入的深度越小，所制备的薄膜层的厚度越小。本申请实施例得到的第一薄膜层1201和第二薄膜层1205的厚度均大于等于50nm，小于等于3000nm。第一薄膜层1201和第二薄膜层1205的厚度可以不相同，例如：第一薄膜层1201的厚度为900nm,第二薄膜层1205的厚度为600nm；优选地，第一薄膜层1201和第二薄膜层1205的厚度相同，例如：第一薄膜层和第二薄膜层的厚度均为900nm。

步骤s12，将晶圆注入片120的第一薄膜层1201与第一支撑基板130键合，将晶圆注入片120的第二薄膜层1205与第二支撑基板140键合，得到键合体；所述第一支撑基板和第二支撑基板与所述原始基板的热膨胀系数不同，且所述第二支撑基板的热膨胀系数和所述第一支撑基板的热膨胀系数相同。

本申请对键合的方式不做特别限定，可以采用现有技术中任意一种键合的方式，例如，采用表面活化的方式键合，获得键合体。本申请对表面活化的方式也不进行限定，例如可以采用等离子体活化或化学溶液活化等方法。

可选的，本步骤中在离子注入之后，进行键合之前，通常需要对两个相接触的键合面进行清洗，以增强键合效果。第一支撑基板130和第二支撑基板140可以为硅、铌酸锂、钽酸锂、硅、砷化镓、石英、碳化硅、蓝宝石等。优选地，例如，第一支撑基板130和第二支撑基板140的材质均为单层硅。第一支撑基板130和第二支撑基板140厚度相同或相近。例如,第一支撑基板130和第二支撑基板140的厚度均为0.425mm；第一支撑基板130的厚度为0.4mm和第二支撑基板140的厚度为0.425mm；优选地，第一支撑基板130和第二支撑基板140的厚度相同。

参见图3和图4，可选的，第一支撑基板130和第一薄膜层1201之间设置有第一中间层150；和/或，第二支撑基板140和第二薄膜层1205之间设置有第二中间层160；第一中间层150和第二中间层160的厚度均小于5μm。第一中间层150和第二中间层160的材质可以为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、五氧化二钽、石英、氧化铝、金刚石、蓝宝石。具体的，第一中间层150和第二中间层160可以为单层结构，也可以为多层结构，第一中间层150和第二中间层160的层数以及每层的材质可以根据需要选择和设定，本步骤不做具体限定。

可选的，第一中间层150和第二中间层160均为单层结构。可以采用二氧化硅作为第一中间层150和第二中间层160。采用单层硅作为第一支撑基板130和第二支撑基板140；在第一支撑基板130上制备第一二氧化硅层，即第一中间层150；在第二支撑基板140上制备第二二氧化硅层，即第二中间层160；将晶圆注入片120的第一薄膜层1201与第一支撑基板130上的第一二氧化硅层键合，将晶圆注入片120的第二薄膜层1205与第二支撑基板140上的第一二氧化硅层键合，得到键合体。

可选的，第一中间层150和第二中间层160均为多层结构，第一中间层150和第二中间层160的层数可以相同或不同。可以采用依次层叠的二氧化硅层、多晶硅层作为第一中间层150和第二中间层160；采用单层硅作为第一支撑基板130和第二支撑基板140；在第一支撑基板130上依次制备第一多晶硅层和第一二氧化硅层，在第二支撑基板140上依次制备第二多晶硅层和第二二氧化硅层，将晶圆注入片120的第一薄膜层1201与第一支撑基板130的第一中间层150的第一二氧化硅层键合，将晶圆注入片120的第二薄膜层1205与第二支撑基板140的第二中间层160的第二而氧化硅层键合，得到键合体。

步骤s13，将所述键合体进行退火处理，以使第一薄膜层1201和第二薄膜层1205分别与余质层1203分离，得到第一复合薄膜和第二复合薄膜；其中，所述第一复合薄膜包括第一支撑基板130和第一薄膜层1201，所述第二复合薄膜包括第二支撑基板140和第二薄膜层1205。所述第一复合薄膜中的第一薄膜层1201和第二复合薄膜中的第二薄膜层1205的晶向相反。

可选的，本步骤中在退火处理过程中，第一薄膜层1201和第二薄膜层1205分别与余质层1203分离时，所述第一复合薄膜的最高点与最低点的差值小于1mm，所述第二复合薄膜的最高点与最低点的差值小于1mm；所述键合体的最高点与最低点的差值小于1mm。退火温度大于等于100℃，小于等于600℃；退火时间大于等于1min，小于等于48h。键合体需要保温，保温的目的是提升键合体的键合力，使其大于10mpa，并且能够恢复离子注入对第一薄膜层1201和第二薄膜层1205的损伤，使得所获得的第一薄膜层1201和第二薄膜层1205接近铌酸锂晶圆(功能薄膜晶圆)的性质。在热处理过程中，第一注入层1202和第二注入层1204内形成有气泡，例如，氢离子形成氢气，氦离子形成氦气等，随着热处理进展，第一注入层1202和第二注入层1204内的气泡连成一片，最后第一注入层1202和第二注入层1204裂开，将余质层1203分别与第一薄膜层1201和第二薄膜层1205分离，从而使余质层1203由键合体上剥离下来。第一支撑基板130的热膨胀系数和第二支撑基板140的热膨胀系数相同，加热过程中，晶圆注入片120和第一支撑基板130之间产生的作用力与晶圆注入片120和第二支撑基板140之间产生的作用力大小相同，方向相反，避免了键合体发生弯曲，使得余质层1203与第一薄膜层1201及第二薄膜层1205瞬间整体分离时，复合薄膜处于平坦状态，避免复合薄膜发生炸裂。本申请得到的第一复合薄膜和第二复合薄膜，还需对第一薄膜层1201的表面和第二薄膜层1205的表面进行研磨抛光处理。本申请实施例部分还提供一种复合薄膜，所述复合薄膜采用制备方法步骤s11-s13制备而成，参见图5和图6，所述复合薄膜包括第一支撑基板130和第一薄膜层1201或者所述复合薄膜包括第二支撑基板140和第二薄膜层1205。本申请实施例中，复合薄膜结构部分的实施例与制备方法部分的实施例可以相互参见，此处不再赘述。

由上述公开的制备方法可以看出，本申请实施例公开的复合薄膜的制备方法，过程简单，易操作极大程度上改善了制备纳米级复合薄膜的苛刻条件，并且能够同时实现两个纳米级复合薄膜的制备，满足大规模工业化生产的需要，适合大范围推广应用。

为了使本申请的方案更清楚，本申请实施例进一步公开了具体示例。

实施例1

1)清洗两片4英寸，厚度为0.5mm的具有光滑面的硅晶圆，采用pecvd(包括但不限于溅射、蒸发、电镀)在两片硅晶圆光滑面表面分别沉积一层2.5μm的sio2中间层，并采用cmp工艺平坦化，改善sio2粗糙度小于0.5nm，表面平坦度小于1nm。

2)准备4英寸的铌酸锂晶圆，采用离子注入的方法，将氦离子从铌酸锂晶圆的上下两个表面分别注入铌酸锂晶圆中，剂量均为4×10¹⁶ions/cm²。形成具有第一薄膜层、第一注入层、余质层、第二注入层以及第二薄膜层五层结构的铌酸锂晶圆，其中第一薄膜层和第二薄膜层的厚度均为1100nm。

3)对步骤1)中一片硅晶圆上的sio2中间层的工艺面和步骤2)中第一薄膜层的工艺面进行清洗，采用等离子体键合的方法，将清洗后的铌酸锂晶圆的第一薄膜层的工艺面与硅晶圆的sio2中间层的工艺面进行键合；再对步骤1)中另一片硅晶圆上的sio2中间层的工艺面和步骤2)中第二薄膜层的工艺面进行清洗，采用等离子体键合的方法将清洗后的铌酸锂晶圆的第二薄膜层的工艺面与硅晶圆的sio2中间层的工艺面进行键合，形成键合体。

4)将键合体放在氮气氛围中进行保温，保温温度为400℃，保温时间3h，直至第一薄膜层、第二薄膜层分别与余质层分离，对第一薄膜层和第二薄膜层分别进行抛光减薄至900nm，同时得到两个相同的第一铌酸锂复合薄膜和第二铌酸锂复合薄膜。第一铌酸锂复合薄膜和第二铌酸锂复合薄膜的结构均由层叠的铌酸锂、二氧化硅、硅衬底组成。

其中，在保温过程中键合体基本不发生弯曲，键合体的最高点与最低点的差值接近于零；第一薄膜层、第二薄膜层分别与余质层分离时，第一铌酸锂复合薄膜和第二铌酸锂复合薄膜基本不发生弯曲，第一铌酸锂复合薄膜和第二铌酸锂复合薄膜的最高点和最低点的差值接近于零。

实施例2

1)清洗两片4英寸，厚度为0.5mm的具有光滑面的硅晶圆，采用热氧化方式在其中一片硅片上制备500nm厚度的sio2中间层，改善sio2粗糙度小于0.5nm，表面平坦度小于1nm；

2)准备4英寸的铌酸锂晶圆，采用离子注入的方法，将氦离子从铌酸锂晶圆的上下两个表面分别注入铌酸锂晶圆中，剂量均为8×10¹⁶ions/cm²。形成具有第一薄膜层、第一注入层、余质层、第二注入层以及第二薄膜层五层结构的铌酸锂晶圆，其中第一薄膜层和第二薄膜层的厚度均为900nm。

3)对步骤1)中制备的硅晶圆上的sio2中间层的工艺面、另一片硅晶圆的工艺面、步骤2)中第一薄膜层的工艺面和第二薄膜层的工艺面进行清洗，采用等离子体键合的方法将清洗后的硅晶圆上的sio2中间层的工艺面与第一薄膜层的工艺面键合，将另一片硅晶圆的工艺面与第二薄膜层的工艺面键合，形成键合体。

4)将键合体放在大气环境下进行保温，保温温度为500℃，保温时间6h，直至第一薄膜层、第二薄膜层分别与余质层分离，对第一薄膜层和第二薄膜层分别进行抛光减薄至700nm，同时得到第一铌酸锂复合薄膜和第二铌酸锂复合薄膜。

第一铌酸锂复合薄膜由依次层叠的铌酸锂、二氧化硅、硅衬底组成；第二铌酸锂复合薄膜由依次层叠的铌酸锂、硅衬底组成。

其中，在保温过程中键合体的最高点与最低点的差值小于1mm；第一薄膜层、第二薄膜层分别与余质层完成分离时，制备得到的第一铌酸锂复合薄膜最高点与最低点的差值小于1mm，第二铌酸锂复合薄膜的最高点与最低点的差值小于1mm。

实施例3

1)准备两片4英寸，厚度为0.5mm的具有光滑面的硅晶圆作为第一支撑基板和第二支撑基板；

2)准备4英寸的铌酸锂晶圆，采用离子注入的方法，将氢离子从铌酸锂晶圆的上下两个表面分别注入铌酸锂晶圆中，剂量为3×10¹⁷ons/cm²。形成具有第一薄膜层、第一注入层、余质层、第二注入层以及第二薄膜层五层结构的铌酸锂晶圆，其中第一薄膜层和第二薄膜层的厚度均为600nm。

3)对步骤1)中一片硅晶圆的工艺面和步骤2)中第一薄膜层的工艺面进行清洗，采用等离子体键合的方法，将清洗后的铌酸锂晶圆的第一薄膜层的工艺面与硅晶圆的工艺面进行键合；再对步骤1)中另一片硅晶圆的工艺面和步骤2)中第二薄膜层的工艺面进行清洗，采用等离子体键合的方法将清洗后的铌酸锂晶圆的第二薄膜层的工艺面与硅晶圆的工艺面进行键合，形成键合体。

4)将键合体在氩气氛围下进行保温，保温温度为550℃，保温时间3h，直至第一薄膜层、第二薄膜层分别与余质层分离，对第一薄膜层和第二薄膜层分别进行抛光减薄至500nm，同时得到两个结构相同的第一铌酸锂复合薄膜和第二铌酸锂复合薄膜。

第一铌酸锂复合薄膜和第二铌酸锂复合薄膜的结构均由层叠的铌酸锂、硅衬底组成。

其中，在保温过程中键合体基本不发生弯曲，键合体的最高点与最低点的差值接近于零；第一薄膜层、第二薄膜层分别与余质层分离时，第一铌酸锂复合薄膜和第二铌酸锂复合薄膜基本不发生弯曲，第一铌酸锂复合薄膜和第二铌酸锂复合薄膜的最高点和最低点的差值接近于零。

实施例4

1)准备两片4英寸，厚度为0.5mm的具有光滑面的硅晶圆作为第一支撑基板和第二支撑基板；

2)准备4英寸的铌酸锂晶圆，采用离子注入的方法，将氢离子从铌酸锂晶圆的上下两个表面分别注入铌酸锂晶圆中，剂量分别为8×10¹⁶ions/cm²和4×10¹⁷ions/cm²。形成具有第一薄膜层、第一注入层、余质层、第二注入层以及第二薄膜层五层结构的铌酸锂晶圆，其中第一薄膜层和第二薄膜层的厚度均为900nm和1300nm。

3)对步骤1)中一片硅晶圆的工艺面和步骤2)中第一薄膜层的工艺面进行清洗，采用等离子体键合的方法，将清洗后的铌酸锂晶圆的第一薄膜层的工艺面与硅晶圆的工艺面进行键合；再对步骤1)中另一片硅晶圆的工艺面和步骤2)中第二薄膜层的工艺面进行清洗，采用等离子体键合的方法将清洗后的铌酸锂晶圆的第二薄膜层的工艺面与硅晶圆的工艺面进行键合，形成键合体。

4)将键合体在大气氛围下进行保温，保温温度为550℃，保温时间3h，直至第一薄膜层、第二薄膜层分别与余质层分离，对第一薄膜层进行抛光减薄至600nm，对第二薄膜层进行抛光减薄至900nm，同时得到结构相同，厚度不同的第一铌酸锂复合薄膜和第二铌酸锂复合薄膜。

第一铌酸锂复合薄膜和第二铌酸锂复合薄膜的结构均由层叠的铌酸锂、硅衬底组成。

其中，在第一薄膜层、第二薄膜层分别与余质层完成分离之前，第二键合体的最高点与最低点的差值小于1mm；第一薄膜层、第二薄膜层分别与余质层完成分离时，制备得到的第一铌酸锂复合薄膜最高点与最低点的差值小于1mm第二铌酸锂复合薄膜的最高点与最低点的差值小于1mm。

另外，在上述实施例的基础上，还可以衍生其他的实施例，例如：在各实施例的基础上，将实施例中的功能薄膜层替换为钽酸锂、砷化镓、石英、或者硅；也就是说，本领域技术人员可以根据上述实施例自行组合替换材料以及工艺参数，本申请不做具体限定。

以上结合具体实施方式和范例性实例对本申请进行了详细说明，不过这些说明并不能理解为对本申请的限制。本领域技术人员理解，在不偏离本申请精神和范围的情况下，可以对本申请技术方案及其实施方式进行多种等价替换、修饰或改进，这些均落入本申请的范围内。本申请的保护范围以所附权利要求为准。