技术特征：
1.三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成包括交替叠置的电介质层和牺牲层的叠层结构，并形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；经由所述沟道孔去除所述牺牲层的朝向所述沟道孔的一部分，以形成第一沟槽；在所述第一沟槽内依次形成阻挡层和电荷捕获层；以及在所述沟道孔的侧壁上形成隧穿层，以覆盖所述电荷捕获层和所述阻挡层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第一沟槽内依次形成阻挡层和电荷捕获层的步骤包括：在所述第一沟槽的内壁上形成所述阻挡层；以及在形成有所述阻挡层的所述第一沟槽内形成所述电荷捕获层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第一沟槽内依次形成阻挡层和电荷捕获层的步骤包括：在所述沟道孔的侧壁和所述第一沟槽的内壁上依次形成所述阻挡层和所述电荷捕获层；以及去除所述阻挡层和所述电荷捕获层的位于所述沟道孔的侧壁上的部分。4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，在所述第一沟槽内依次形成阻挡层和电荷捕获层的步骤还包括：去除所述阻挡层的位于所述第一沟槽的内壁上的并且朝向所述沟道孔的一部分，以形成第二沟槽。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述沟道孔的侧壁上形成隧穿层，以覆盖所述电荷捕获层和所述阻挡层的步骤包括：在所述第二沟槽内形成所述隧穿层。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第一沟槽内依次形成阻挡层和电荷捕获层的步骤包括：在所述第一沟槽的朝向所述沟道孔的表面依次形成所述阻挡层和所述电荷捕获层，使得所述阻挡层和所述电荷捕获层与相邻的所述电介质层相接触。7.三维存储器，其特征在于，包括：衬底；叠层结构，位于所述衬底上，包括交替叠置的电介质层和栅极层；沟道结构，贯穿所述叠层结构，包括：电介质芯部；围绕所述电介质芯部的隧穿层；以及依次位于所述隧穿层外侧的电荷捕获层和阻挡层；其中，所述电荷捕获层包括多个电荷捕获部分，所述阻挡层包括多个阻挡部分，所述电荷捕获部分和所述阻挡部分位于相邻的所述电介质层之间。8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述阻挡部分至少部分包围所述电荷捕获部分，所述隧穿层向所述阻挡层的方向延伸至相邻的所述电介质层之间，并与所述阻挡部分共同环绕所述电荷捕获部分。9.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述电荷捕获部分和所述阻挡部分
沿所述电介质芯部的径向方向由内向外依次位于所述隧穿层的表面，并均与相邻的所述电介质层相接触。10.根据权利要求7至9中任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述阻挡层和所述栅极层接触的表面与所述隧穿层和所述电介质层接触的表面之间具有预定的距离。11.根据权利要求7至9中任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氧化硅，所述电荷捕获层的材料包括氮化硅，所述隧穿层的材料包括氧化硅。
技术总结
本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成包括交替叠置的电介质层和牺牲层的叠层结构，并形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；经由沟道孔去除牺牲层的朝向沟道孔的一部分，以形成第一沟槽；在第一沟槽内依次形成阻挡层和电荷捕获层；以及在沟道孔的侧壁上形成隧穿层，以覆盖电荷捕获层和所述阻挡层。该三维存储器及其制备方法能够有效地抑制每个栅极层对应的电荷捕获层中的电荷扩散，从而提高电荷捕获层的存储可靠性，进而提高制备完成后的三维存储器的存储保持特性。提高制备完成后的三维存储器的存储保持特性。提高制备完成后的三维存储器的存储保持特性。
技术研发人员：刘小欣 夏志良 霍宗亮
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.06.07
技术公布日：2021/9/14