技术特征：
1.一种发光器件(100)，其特征在于，包括：基板(10)；发光器件层(20)，所述发光器件层(20)位于所述基板(10)的一侧且包括多个间隔设置的像素单元；第一阴极金属层(30)，所述第一阴极金属层(30)位于所述发光器件层(20)远离所述基板(10)的一侧；金属抑制层(50)，所述金属抑制层(50)位于所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧，且所述金属抑制层(50)开设有第一开口(52)；第二阴极金属层(60)，所述第二阴极金属层(60)位于所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧并至少部分位于所述第一开口(52)内，所述第二阴极金属层(60)与所述第一阴极金属层(30)导通，所述第二阴极金属层(60)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于各所述像素单元在所述第一阴极金属层(60)上的正投影之间。2.根据权利要求1所述的发光器件(100)，其特征在于，还包括金属覆盖层(40)；所述金属覆盖层(40)位于所述金属抑制层(50)和所述第一阴极金属层(30)之间，所述金属覆盖层(40)开设有与所述第一开口(52)连通的第二开口(42)，所述第二阴极金属层(60)位于所述第一开口(51)和所述第二开口(52)共同形成的容纳空间内并与所述第一阴极金属层(30)导通。3.根据权利要求2所述的发光器件(100)，其特征在于，所述金属抑制层(50)包括多个金属抑制单元(51)，相邻的两个金属抑制单元(51)之间形成所述第一开口(52)；所述金属覆盖层(40)包括多个金属覆盖单元(41)，相邻的两个金属覆盖单元(41)之间形成所述第二开口(42)；所述第二阴极金属层(60)包括多个阴极金属单元(61)，每个阴极金属单元(61)填充于一个所述容纳空间内。4.根据权利要求3所述的发光器件(100)，其特征在于，每个所述金属抑制单元(51)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影与一个对应的金属覆盖单元(41)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影重合。5.根据权利要求3所述的发光器件(100)，其特征在于，每个所述像素单元在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于一个对应的金属抑制单元(51)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影内。6.根据权利要求1所述的发光器件(100)，其特征在于，所述第一阴极金属层(30)的厚度大于等于5nm，所述第二阴极金属层(60)的厚度大于等于5nm。7.根据权利要求2所述的发光器件(100)，其特征在于，所述金属抑制层(50)的厚度大于等于3nm，所述金属覆盖层(40)的厚度大于等于3nm且小于等于100nm。8.一种发光器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板(10)；在所述基板(10)的一侧形成包括多个间隔设置的像素单元的发光器件层(20)；在所述发光器件层(20)远离所述基板(10)的一侧形成第一阴极金属层(30)；在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成具有第一开口(52)的金属抑制层(50)；
在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成至少部分位于所述第一开口(52)内的第二阴极金属层(60)；其中，所述第二阴极金属层(60)与所述第一阴极金属层(30)导通，所述第二阴极金属层(60)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于各所述像素单元在所述第一阴极金属层(60)上的正投影之间。9.根据权利要求8所述的发光器件的制造方法，其特征在于，在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成具有第一开口(52)的金属抑制层(50)，包括：在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成金属覆盖层(40)，并在所述金属覆盖层(40)上开设第二开口(42)；在所述金属覆盖层(40)远离所述第一阴极金属层(30)的一侧形成金属抑制层(50)，并在所述金属抑制层(50)上开设连通于所述第二开口(42)的第一开口(52)。10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1
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7任一项所述的发光器件(100)。
技术总结
本发明实施例所提供的发光器件、发光器件的制造方法以及显示面板，发光器件包括基板、发光器件层、第一阴极金属层、金属抑制层以及第二阴极金属层，金属抑制层与发光器件层所包括的像素单元的在第一阴极金属层上的正投影对应，通过金属抑制层能够抑制第二阴极金属层蒸镀到像素单元靠近金属抑制层的一侧，以实现发光器件的发光区域对应较薄的第一阴极金属层，这样可以改善发光器件的视角色偏。此外，第二阴极金属层至少部分位于金属抑制层对应的第一开口内且与第一阴极金属层导通，能够实现发光器件的非发光区域对应较厚的第二阴极金属层，从而减少发光器件因薄化第一阴极金属层而带来的压降升高的问题，进而避免发光器件的性能异常。性能异常。性能异常。
技术研发人员：苏圣勋 刘强 李灏 刘亚伟 杜哲
受保护的技术使用者：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
技术研发日：2021.06.17
技术公布日：2021/9/17