技术特征：
1.一种显示面板，其特征在于，包括相互绑定压合的led芯片和阵列基板；所述led芯片包括：基底；以及第一电极部和第二电极部，突出于所述基底的上表面；其中，所述第二电极部的高度低于所述第一电极部的高度；所述阵列基板包括：衬底层，设有一压合槽；第一像素电极，设于所述压合槽内；第二像素电极，设于所述衬底层的上表面；以及异方性导电膜，设于所述衬底层、所述第一像素电极及所述第二像素电极上；当所述led芯片与所述阵列基板相互绑定压合时，所述第一电极部压合至所述压合槽，且连接至所述第一像素电极；所述第二电极部连接至所述第二像素电极。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极部与所述第一电极部的高度差，与所述第一像素电极与所述第二像素电极的高度差相同；所述第一电极部的高度与所述压合凹槽的深度相同。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述衬底层包括：玻璃基板；遮光层，设于所述玻璃基板上；缓冲层，覆盖所述遮光层，且延伸至所述玻璃基板上；有源层，设于所述缓冲上，且正对着部分所述遮光层；栅极绝缘层，设于所述有源层上；第一金属层，设于所述栅极绝缘层上；介电层，覆盖所述第一金属层，且延伸至所述有源层、所述缓冲层上；第一通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层的表面；第二通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层的表面；第三通孔，设于所述第二通孔且远离所述第一通孔的一侧，所述第三通孔从所述介电层贯穿至所述遮光层的表面；以及第四通孔，设于所述第三通孔且远离所述第一通孔的一侧，所述第四通孔从所述介电层贯穿至所述遮光层的表面；第二金属层，被图案化形成源极走线、漏极走线、vdd走线以及vss走线；其中，所述源极走线通过所述第一通孔连接至所述有源层；所述漏极走线通过所述第二通孔连接至所述有源层，所述漏极通过所述第三通孔连接至所述遮光层；所述vdd走线设于所述第四通孔的底部，连接至所述遮光层，其中所述vdd走线上表面与所述第四通孔的侧壁围成一凹槽；所述vss走线设于所述介电层上且远离所述第一通孔的一侧；以及钝化层，设于所述介电层上，且覆盖所述源极走线和所述漏极走线。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素电极设于所述凹槽内，连接至所述vdd走线，且从所述凹槽的侧壁延伸至底壁形成所述压合槽；
所述第二像素电极设于所述vss走线上，且延伸至部分所述钝化层的表面。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述衬底层包括：玻璃基板；遮光层，设于所述玻璃基板上；缓冲层，覆盖所述遮光层，且延伸至所述玻璃基板上；有源层，设于所述缓冲上，且正对着部分所述遮光层；栅极绝缘层，设于所述有源层上及所述缓冲层上；第一金属层，包括第一栅极和第二栅极，所述第一金属层设于所述栅极绝缘层上；介电层，覆盖所述第一金属层，且延伸至所述有源层、所述缓冲层上；第一通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层的表面；第二通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层的表面；第三通孔，设于所述第二通孔且远离所述第一通孔的一侧，所述第三通孔从所述介电层贯穿至所述遮光层的表面；以及第四通孔，设于所述第三通孔且远离所述第一通孔的一侧，所述第四通孔从所述介电层贯穿至所述第二栅极的表面；第二金属层，被图案化形成源极走线、漏极走线、vdd走线以及vss走线；其中，所述源极走线通过所述第一通孔连接至所述有源层；所述漏极走线通过所述第二通孔连接至所述有源层，所述漏极通过所述第三通孔连接至所述遮光层；所述vdd走线设于所述第四通孔的底部，连接至所述第二栅极，其中所述vdd走线上表面与所述第四通孔的侧壁围成一凹槽；所述vss走线设于所述介电层上且远离所述第一通孔的一侧；以及钝化层，设于所述介电层上，且覆盖所述源极走线和所述漏极走线，所述钝化层设有第五通孔，贯穿至所述vss走线的表面。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素电极设于所述凹槽内，且连接至所述vdd走线，其中所述第一像素电极的上表面与所述凹槽的侧壁，形成所述压合槽；所述第二像素电极通过所述第五通孔连接至所述vss走线，且延伸至所述钝化层的表面。7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述衬底层包括：玻璃基板；第一金属层，设于所述玻璃基板上，且被图案化形成栅极和vdd走线；栅极绝缘层，设于所述玻璃基板上，且覆盖所述栅极；有源层，设于所述栅极绝缘层上，且正对于所述栅极；绝缘层，设于所述栅极绝缘层上，且覆盖所述有源层；第六通孔，从所述绝缘层贯穿至所述有源层的表面；第七通孔，从所述绝缘层贯穿至所述有源层的表面；第二金属层，被图案化形成源极走线、漏极走线、vdd走线以及vss走线；其中，所述源极走线通过所述第六通孔连接至所述有源层；所述漏极走线通过所述第七通孔连接至所述有源层，且延伸至所述vdd走线上；所述vss走线设于所述绝缘层上；以及钝化层，设于所述绝缘层上，且覆盖所述源极走线和部分所述漏极走线。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素电极从所述钝化层的侧壁延伸至所述漏极走线的侧壁，且连接至所述vdd走线，形成所述压合槽；所述第二像素电极设于所述钝化层上，且延伸至部分所述钝化层上。9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述衬底层包括：玻璃基板；第一金属层，设于所述玻璃基板上，被图案化形成第一栅极和第二栅极；栅极绝缘层，设于所述玻璃基板上，且覆盖所述第一栅极；有源层，设于所述栅极绝缘层上，且正对于所述第一栅极；第八通孔，从所述栅极绝缘层贯穿至所述玻璃基板表面；第二金属层，被图案化形成源极走线、漏极走线、vdd走线以及vss走线；所述源极走线和所述漏极走线分别设于所述有源层的两侧，且延伸至所述栅极绝缘层的表面；所述vdd走线设于所述第八通孔的底部，且连接至所述第二栅极，其中所述vdd走线上表面与所述第八通孔的侧壁围成一凹槽；所述vss走线设于所述栅极绝缘层上；以及钝化层，设于所述绝缘层上，且覆盖所述源极走线和部分所述漏极走线；其中，所述第一像素电极从所述钝化层的侧壁延伸至所述vdd走线，所述vdd走线的上表面与所述第八通孔的侧壁围成所述压合凹槽；所述第二像素电极设于所述vss走线上，且延伸至部分所述钝化层上。10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述led芯片包括：外延层，设于所述基底上；p电极，设于所述外延层的p型层上；以及n电极，设于所述外延层的n型层上；其中，所述p电极与所述外延层形成第一电极部，所述n电极与所述外延层形成所述第二电极部。
技术总结
本申请公开了一种显示面板，通过设置LED芯片的P电极与N电极的高度差，与阵列基板的第一像素电极与第二像素电极的高度差相同，使得第一像素电极所受到P电极的力度，与第二像素电极所受到N电极的力度是相同的，从而有利于提高所述LED芯片和阵列基板的绑定良率。提高所述LED芯片和阵列基板的绑定良率。提高所述LED芯片和阵列基板的绑定良率。
技术研发人员：刘念 卢马才 冯铮宇 梅雪茹 柳铭岗
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2021.07.07
技术公布日：2021/10/29