技术特征：
1.一种低cd电触头增强相材料，其特征在于，所述增强相材料元素组成为ti和cd，其元素摩尔比为2:1，属于ti/cd金属间化合物的一种。2.根据权利要求1所述的一种低cd电触头增强相材料，其特征在于，所述增强相材料元素为ti2cd颗粒，为类球形，颗粒尺寸为1
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50μm。3.权利要求1或2任一项所述的低cd电触头增强相材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：s1:按摩尔比称取ti粉、cd粉；s2:将步骤s1中ti粉、cd粉末充分混合，得到均匀混合粉末；s3:将步骤s2中混合物粉末在惰性气体保护下烧结，以一定升温速率加热到设定温度并保温一段时间；s4:将步骤s3中烧结的样品取出，磨粉过筛即可得到低cd电触头增强相材料。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中所述ti粉的纯度大于90％，粒径为1
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100μm；cd粉的纯度大于90％，粒径为1
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200μm；ti:cd摩尔比为(2
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2.9):(1
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1.75)。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤s3中所述惰性气体为ar气或n2气，升温速率为3
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30℃/min，设定温度为300
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1200℃，保温时间为0.5
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4h。6.一种低cd银基复合电触头材料，其特征在于，由权利要求1或2所述的低cd电触头增强相材料制备得到。7.根据权利要求6所述的低cd银基复合电触头材料，其特征在于，ag基占所述低cd银基复合电触头材料质量百分比为50％
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95％，增强相材料占所述低cd银基复合电触头材料质量百分比为5％
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50％。8.一种权利要求6或7所述的低cd银基复合电触头材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：s1:按质量百分比称取ag粉、所制备的ti2cd粉、介质液体和研磨球；s2:将步骤s1中称量的粉末、介质液体和研磨球在球磨机中进行混合，将球磨后混合物干燥，得到混合料；s3:将步骤s2中的混合料置于可通电模具中，通过调节电流大小控制模具温度；s4:将步骤s3中的混合粉在惰性气体保护下通过动态压烧技术制备复合块体材料。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中所述ag粉纯度大于90％，粒径为1
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100μm；ti2cd粉纯度大于90％，粒径为1
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50μm；介质液体包含酒精、丙酮和去离子水，其中酒精、丙酮纯度均大于95％，去离子水电阻率为1
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5μs/cm；研磨球直径1
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8mm；研磨球:介质液体:粉料质量比为(1
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3):(0.5
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3):1；步骤s3中通电电流大小为6
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24a，升温速率为5
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25℃/min，模具温度为300
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800℃。10.权利要求6或7所述的低cd银基复合电触头材料在制备低压开关中的应用。
技术总结
本发明公开了一种低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法，属于电触头材料技术领域，所述低Cd电触头增强相材料元素组成为Ti和Cd，其元素摩尔比为2:1，属于Ti/Cd金属间化合物的一种，上述Ti2Cd用于制备Ag/Ti2Cd复合电触头材料，复合电触头材料中Cd含量比同组分Ag/CdO中Cd含量降低38％以上，具有显著减毒作用，该复合电触头在实际应用过程中表面接触电阻小、温升低、抗材料损失能力强，具有优异的抗电弧侵蚀性能。产业化后可大规模适用于军事电子电气装备、航空航天等继电器、接触器中，未来可有效推动低压开关电触头材料的低Cd化、低毒化进程。低毒化进程。低毒化进程。
技术研发人员：丁健翔 张凯歌 夏欣欣 程宇泽 汪恬昊 丁宽宽 张培根 杨莉 陈立明 冉松林 柳东明 张世宏 孙正明
受保护的技术使用者：安徽工业大学
技术研发日：2021.09.15
技术公布日：2021/12/7