显示面板的制作方法

文档序号:29137566发布日期:2022-03-05 02:11阅读:77来源:国知局
显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示领域,尤其涉及一种显示面板。


背景技术:

2.显示面板随着使用时间增长,内部材料性能会逐渐变差,从而导致显示亮度降低、显示不均等异常现象的发生,以至影响显示面板的显示性能。
3.因此,现有显示面板存在长时间使用后亮度衰减和亮度均一性差的问题,需要改进。


技术实现要素:

4.本发明提供一种显示面板,以提高显示面板的显示亮度和亮度均一性。
5.为解决以上问题,本发明提供的技术方案如下:
6.本发明提供一种显示面板,其包括:
7.像素定义层,包括阵列分布的发光开口;
8.发光层,设于所述发光开口内;
9.感光元件,设于所述像素定义层之上,且所述感光元件在所述像素定义层上的投影位于所述发光开口之外。
10.可选的,在本发明的一些实施例中,所述感光元件包括第一感光电极、第二感光电极和位于所述第一感光电极和所述第二感光电极之间的光敏层,所述第一感光电极、所述光敏层、所述第二感光电极在所述像素定义层上依次层叠设置。
11.可选的,在本发明的一些实施例中,所述第一感光电极为透明电极,所述第二感光电极为高反射电极。
12.可选的,在本发明的一些实施例中,所述第一感光电极靠近所述光敏层的表面为凹凸表面。
13.可选的,在本发明的一些实施例中,所述显示面板还包括第二感光电极引线,所述第二感光电极引线与所述第二感光电极同层设置且与所述第二感光电极连接。
14.可选的,在本发明的一些实施例中,所述显示面板还包括平坦层,所述平坦层设于所述像素定义层之上且与所述感光元件连接。
15.可选的,在本发明的一些实施例中,所述平坦层远离所述像素定义层的表面不低于所述光敏层远离所述像素定义层的表面。
16.可选的,在本发明的一些实施例中,所述显示面板还包括分别设于所述发光层两侧的第一发光电极和第二发光电极,所述第二发光电极设于所述显示面板的出光侧;所述第二发光电极设于所述第二感光电极之上且与所述第二感光电极绝缘。
17.可选的,在本发明的一些实施例中,所述显示面板还包括感光电路,所述感光电路连接所述第一感光电极。
18.可选的,在本发明的一些实施例中,所述显示面板还包括驱动电路层,所述感光电
路设于所述驱动电路层内。
19.可选的,在本发明的一些实施例中,所述感光元件环绕所述发光开口设置。
20.可选的,在本发明的一些实施例中,所述感光元件存在环形开口,所述环形开口露出所述像素定义层。
21.本发明提供了一种显示面板,该显示面板包括:像素定义层,包括阵列分布的发光开口;发光层,设于所述发光开口内;感光元件,设于所述像素定义层之上所述发光开口之外。本发明通过在显示面板的发光开口的斜上方设置感光元件,感光元件能够更好的感测发光层向上发射出的光线,并将光信号转换成电信号进行反馈,进而对显示面板的发光亮度进行补偿,解决了现有显示面板存在长时间使用后亮度衰减和亮度均一性差的问题。
附图说明
22.下面结合附图,通过对本技术的具体实施方式详细描述,将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
23.图1为本发明实施例提供的显示面板的俯视结构示意图;
24.图2为本发明实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图;
25.图3为本发明实施例提供的阵列基板在aa’方向上的第一种剖视图;
26.图4为本发明实施例提供的阵列基板在aa’方向上的第二种剖视图;
27.图5为本发明实施例提供的阵列基板在bb’方向上的第一种剖视图;
28.图6为本发明实施例提供的阵列基板在bb’方向上的第二种剖视图;
29.图7为本发明实施例提供的阵列基板在bb’方向上的第三种剖视图;
30.图8为本发明实施例提供的显示面板的亮度补偿系统的示意图;
31.图9为本发明实施例提供的阵列基板的第一种制备方法的流程示意图;
32.图10为本发明实施例提供的阵列基板的第二种制备方法的流程示意图;
33.图11为本发明实施例提供的阵列基板的第一种制备方法的结构示意图;
34.图12为本发明实施例提供的阵列基板的第二种制备方法的结构示意图。
具体实施方式
35.下面将结合本发明的具体实施方案,对本发明实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显而易见的,下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本发明一部分实施方案和/或实施例,而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本发明中的实施方案和/或实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例,都属于本发明保护范围。
36.本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明和理解本发明,而非用以限制本发明。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
[0037]
针对现有显示面板存在长时间使用后亮度衰减、亮度均一性差的问题,本发明提供一种显示面板可以解决这个问题。
[0038]
在一种实施例中,请参照图1至图7,图1示出了本发明实施例提供的显示面板的俯视结构示意图,图2示出了本发明实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图,图3示出了本发明实施例提供的显示面板在aa’方向上的第一种剖视图,图4示出了本发明实施例提供的显示面板在aa’方向上的第二种剖视图,图5示出了本发明实施例提供的显示面板在bb’方向上的第一种剖视图,图6示出了本发明实施例提供的显示面板在bb’方向上的第二种剖视图,图7示出了本发明实施例提供的显示面板在bb’方向上的第三种剖视图。如图所示,本发明实施例提供的显示面板包括:
[0039]
像素定义层141,像素定义层141包括阵列分布的发光开口101;
[0040]
发光层152,设于发光开口101内;
[0041]
感光元件130,设于像素定义层141之上,且感光元件130在像素定义层141上的投影位于发光开口101之外。
[0042]
本发明实施了通过在显示面板的发光开口的斜上方设置感光元件,感光元件能够更好的感测发光层向上发射出的光线,并将光信号转换成电信号进行反馈,进而对显示面板的发光亮度进行补偿,解决了现有显示面板存在长时间使用后亮度衰减和亮度均一性差的问题。
[0043]
在一种实施例中,请参照图2,显示面板10包括阵列基板100、发光层152和第二发光电极153,第二发光电极153覆盖阵列基板100和发光层152,感光元件130设于阵列基板100内。
[0044]
阵列基板100包括薄膜晶体管层120,薄膜晶体管层120设于衬底110上。薄膜晶体管层120包括发光电路121和感光电路122,发光电路121与第一发光电极151电连接,感光电路122与感光元件130电连接。具体的,薄膜晶体管包括在衬底上依次层叠设置的半导体有缘层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层、源漏极层、第三绝缘层。其中,半导体有缘层包括发光电路121内薄膜晶体管的有缘区和感光电路122内薄膜晶体管的有缘区,栅极层包括发光电路121内薄膜晶体管的栅极和感光电路122内薄膜晶体管的栅极,源漏极层包括发光电路121内薄膜晶体管的源漏极和感光电路122内薄膜晶体管的源漏极。第一发光电极151通过贯穿第三绝缘层的过孔与发光电路121内薄膜晶体管的源极或漏极连接,感光元件130通过贯穿第三绝缘层环绕像素定义层141的过孔与感光电路122内薄膜晶体管的源极或漏极连接。
[0045]
阵列基板100包括感光元件130,感光元件130包括第一感光电极131、第二感光电极135、以及位于第一感光电极131和第二感光电极135之间的光敏层。第一感光电极131、光敏层和第二感光电极135在像素定义层141上依次层叠设置。光敏层可以是pin型光电二极管或pn型光电二极管中的任意一种。在一种实施方案中,如图2至图7所示,光敏层为pin型光电二极管,包括p型半导体层、n型半导体层、以及位于p型半导体层和n型半导体层之间的本征层(i型层);当第一感光电极131为阳极且第二感光电极135为阴极时,层132、层133、层134分别依次为p型半导体层、本征层、n型半导体层。本发明实施例以光敏层为pin型光电二极管且第一感光电极131为阳极第二感光电极135为阴极做具体的解释说明,第一感光电极131通过贯穿第三绝缘层环绕像素定义层141的过孔与感光电路122内薄膜晶体管的源极或漏极连接。
[0046]
第一感光电极131为透明电极,透明电极一方面为光敏层提供阳极电信号,另一方
面用于透过显示面板的发光开口101内的发光层发出的光线,以使显示面板发出的光线从光敏层的下侧被光敏层获取,提高了感光元件130的光电转换效率。第一感光电极131的材料为透明导电材料,包括但不限于铝掺杂的氧化锌(azo)、氧化铟锡(ito)、氟掺杂的氧化锡(fto)。进一步的,第一感光电极131靠近光敏层的表面为凹凸不平的粗糙表面,凹凸表面降低了第一感光电极131对射入感光元件130的显示光线的反射率,从而进一步提高了感光元件130的光电转换效率。
[0047]
第二感光电极135为不透明的电极,不透明电极一方面为光敏层提供阴极电信号;另一方面起到遮光层的作用,避免了外界光线射入感光元件130对感光元件130的性能产生不良影响,提高了感光元件130的性能;再一方面作为反光层,使从显示面板的发光层发出的光线到达第二感光电极135时,被第二感光电极135反射回光敏层内,从而进一步提高了感光元件130的光电转换效率。第二感光电极135的材料为高反射率的导电材料,包括但不限于金属银(ag)、金属钼(mo)、金属铝(al)。
[0048]
阵列基板100还包括第二感光电极引线,第二感光电极引线与第二感光电极135同层设置且与第二感光电极135连接。如图1所示,第二感光电极引线包括第二感光电极分引线136和第二感光电极总引线137,每一条第二感光电极分引线136连接位于其同一列的第二感光电极135,所有的第二感光电极分引线136横向连接于同一条第二感光电极总引线137;也可以是每一条第二感光电极分引线136连接位于其同一行的第二感光电极135,所有的第二感光电极分引线136纵向连接于同一条第二感光电极总引线137;还可以是每一条第二感光电极分引线136连接不同行或不同列的第二感光电极135,所有的第二感光电极分引线136连接于同一条第二感光电极总引线137;第二感光电极引线也可以为网格状结构,每一个第二感光电极135均与第二感光电极引线的网格线连接。
[0049]
阵列基板100还包括平坦层142,如图2至图7所示,平坦层142设于像素定义层141上,且与感光元件130同层设置。平坦层142用于平坦化光敏层所在的阵列基板平面,为第二感光电极135和第二感光电极引线的制备提供一个平坦的基底,从而避免第二感光电极135和第二感光电极引线出现断线的风险。进一步的,平坦层142远离像素定义层142的表面与光敏层远离像素定义层141的表面平齐或基本平齐,通常平坦层142远离像素定义层142的表面不低于光敏层远离像素定义层141的表面;从而使第二感光电极引线与第二感光电极135位于同一平面或基本位于同一平面,更进一步避免第二感光电极135和第二感光电极引线可能出现的断线风险,提高阵列基板的光电转换性能。
[0050]
阵列基板100还包括电极绝缘层143,如图2至图7所示,电极绝缘层143设于第二感光电极135上,覆盖第二感光电极135、第二感光电极引线、平坦层142,用于隔绝第二感光电极135和显示面板的第二发光电极,避免感光元件130和显示面板的第二发光电极电连接。电极绝缘层143包括对应于发光开口101的绝缘层开口,绝缘层开口露出第一发光电极151且覆盖发光开口101。在一种实施方案中,如图5和图6所示,平坦层142围绕感光元件130设置,且填充素定义层141上、感光元件130和发光开口101以外的区域,电极绝缘层143还覆盖感光元件130的侧边。在另一种实施方案中,如图4和图7所示,平坦层142填充素定义层141上、感光元件130和发光开口101以外的区域,平坦层142还覆盖感光元件130的侧边,电极绝缘层143仅设于第二感光电极135和平坦层142上。
[0051]
在一种实施例中,如图1和图2所示,感光元件130环绕发光开口101设置。感光元件
130环绕发光开口101的设置方式,使得显示面板的发光开口内的发光层向周围发射发出的光线均能够被感光元件130获取,提高感光元件130的光电转换效率。在其他实施例中,感光元件130也可以使非环绕设置,在此不做限定。
[0052]
在一种实施例中,如图1、图5至图7所示,感光元件130存在环形开口103,一方面,环形开口103的存在留出的感光元件130的空白区域,为后续显示面板的第二发光电极的制备留出了引出位置,避免了第二发光电极与感光元件130短接的风险。另一方面,在环形开口103内不设置感光元件130的膜层,从而露出像素定义层141,同样的,在环形开口103内不设置平坦层142,使得像素定义层141在环形开口103处形成像素定义层台阶,像素定义层台阶起到过渡段差的作用,在后续显示面板制程中,避免了第二发光电极由于电极绝缘层143和第一发光电极层151之间段差太大而出现爬坡困难,以至导致第二发光电极断线的风险。在一种实施方案中,如图5所示,电极绝缘层143设置于像素定义层141上覆盖环形开口103,进一步的,电极绝缘层143可以覆盖发光开口101外围像素定义层141的侧边。在另一种实施方案中,如图6所示,环形开口103内未设置电极绝缘层143,即在环形开口103所在的位置,电极绝缘层143仅覆盖平坦层142和感光元件130的侧边,露出像素定义层141。
[0053]
发光层152,设于像素定义层141的发光开口101内,用于发出显示光线。发光层152的上表面略低于像素定义层141的上表面。
[0054]
第二发光电极153,设于电极绝缘层143上,覆盖电极绝缘层143、像素定义层141、以及发光层152。
[0055]
相应的,本发明实施例还提供一种亮度补偿系统,该亮度补偿系统对本发明实施例提供的任意一种显示面板进行亮度补偿。请参照图8,图8示出了本发明实施例提供的显示面板的亮度补偿系统。如图所示,该亮度补偿系统包括:发光电路121、感光电路122、发光驱动芯片ic1、电光还原芯片ic2、以及亮度补偿芯片ic3;其中,电光还原芯片ic2和亮度补偿芯片ic3可以集成为一个芯片。
[0056]
具体的,结合本发明实施例提供的阵列基板100和显示面板,显示面板的发光层152发射的光线照射到感光元件130,感光元件130对获取到的显示光线进行光电转换,产生电流信号;电流信号传输到感光电路122,在感光电路122的驱动下,电流信号进一步传输至电光还原芯片ic2;光还原芯片ic2将获取的电流信号还原为光强信号,从而侦测对应的发光层152的发光强弱,并其侦测到的发光强度传输给亮度补偿芯片ic3;亮度补偿芯片ic3通过将该发光强度与发光曲线做对比,经过算法处理得到对应的补偿值,并将该补偿值传输给发光驱动芯片ic1;发光驱动芯片ic1对对应的子像素进行补偿,从而实现对显示面板的亮度补偿。本发明实施例提供的亮度补偿系统,利用本发明实施例提供的显示面板,解决了现有显示面板显示亮度低、亮度均一性差的问题,而且可以实现随时校准、实时补偿。
[0057]
同时,本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法。在一种实施例中,请参照图9和图11,图9示出了本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的第一种流程示意图,图11示出了本发明实施提供的阵列基板的制备方法的第一种结构示意图。如图9和图11所示,本发明实施例提供的阵列基板的制备方法包括:
[0058]
s91、在衬底上制备薄膜晶体管层和第一发光电极,薄膜晶体管层包括发光电路和感光电路。
[0059]
具体的,如图11中(a)所示,在衬底110上依次层叠设置半导体有缘层、第一绝缘
层、栅极层、第二绝缘层、源漏极层、第三绝缘层。其中,半导体有缘层图案化处理,形成发光电路的薄膜晶体管的有缘区和感光电路的薄膜晶体管的有缘区;栅极层图案化处理,形成发光电路的薄膜晶体管的栅极和感光电路的薄膜晶体管的栅极;源漏极层图案化处理,形成发光电路的薄膜晶体管的源漏极和感光电路的薄膜晶体管的源漏极。在薄膜晶体管层120上制备第一发光电极151。
[0060]
s92、在第一发光电极上沉积像素定义层,图案化形成对应于感光电路的过孔。
[0061]
具体的,如图11中(b)所示。
[0062]
s93、在像素定义层上制备感光元件的第一感光电极。
[0063]
具体的,如图11中(c)所示,首先,在像素定义层141上沉积第一感光电极的材料薄膜;然后,对第一感光电极的材料薄膜采用碱性脱膜液进行清洗,对第一感光电极材料薄膜的表面进行制绒处理;最后采用刻蚀工艺对第一感光电极材料薄膜进行图案化处理,得到第一感光电极131,第一感光电极131通过贯穿像素定义层141和第三绝缘层的过孔与感光电路连接。第一感光电极131的材料为透明导电材料,包括但不限于铝掺杂的氧化锌(azo)、氧化铟锡(ito)、氟掺杂的氧化锡(fto)
[0064]
s94、在第一感光电极上制备光敏层。
[0065]
具体的,如图11中(d)所示,在第一感光电极131上依次沉积p型半导体层、本征层和n型半导体层,采用刻蚀工艺对p型半导体层、本征层和n型半导体层进行图案化处理,形成光敏层。
[0066]
s95、在像素定义层上制备平坦层。
[0067]
具体的,如图11中(e)所示,在像素定义层141上沉积一层平坦层薄膜,平坦层薄膜的厚度为第一感光电极131和光敏层的厚度之和,或略大于第一感光电极131和光敏层的厚度之和,平坦层薄膜的上表面与光敏层的上表面平齐或基本平齐;通过刻蚀工艺去除光敏层上方的平坦层薄膜,得到图案化后的平坦层142。
[0068]
s96、在平坦层上制备感光元件的第二感光电极。
[0069]
具体的,如图11中(f)所示。第二感光电极135的材料为高反射率的导电材料,包括但不限于金属银(ag)、金属钼(mo)、金属铝(al)。
[0070]
s97、在第二感光电极上制备电极绝缘层。
[0071]
具体的,如图11中(g)所示。
[0072]
s98、图案化形成发光开口。
[0073]
具体的,如图11中(h)所示,采用刻蚀工艺图案化处理电极绝缘层143、平坦层142和像素定义层141,露出第一发光电极151,形成发光开口101。
[0074]
请参照图10和图12,图10示出了本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的第二种流程示意图,图12示出了本发明实施提供的阵列基板的制备方法的第二种结构示意图。如图10和图12所示,本发明实施例提供的阵列基板的制备方法包括:
[0075]
s101、在衬底上制备薄膜晶体管层和第一发光电极,薄膜晶体管层包括发光电路和感光电路。
[0076]
s102、在第一发光电极上沉积像素定义层,图案化形成对应于感光电路的过孔。
[0077]
s103、在像素定义层上制备感光元件的第一感光电极。
[0078]
s104、在第一感光电极上制备光敏层。
[0079]
s105、在像素定义层上制备平坦层。
[0080]
s106、在平坦层上制备感光元件的第二感光电极。
[0081]
s107、图案化处理平坦层和像素定义层,形成发光开口。具体如图12中(g)所示,采用刻蚀工艺去除感光元件130环形区域内的平坦层和像素定义层,以及环形开口处的平坦层,形成发光开口101和环形开口103。
[0082]
s108、在第二感光电极上制备电极绝缘层。
[0083]
具体的,如图12中(h)所示。
[0084]
综上所述,本发明实施例提供了一种显示面板、亮度补偿系统以及阵列基板的制备方法,该显示面板包括:像素定义层,包括阵列分布的发光开口;发光层,设于发光开口内;感光元件,设于像素定义层之上,且所述感光元件在所述像素定义层上的投影位于发光开口之外。本发明通过在显示面板的发光开口的斜上方设置感光元件,感光元件能够更好的感测发光层向上发射出的光线,并将光信号转换成电信号进行反馈,进而对显示面板的发光亮度进行补偿,解决了现有显示面板存在长时间使用后亮度衰减和亮度均一性差的问题。
[0085]
以上对本发明实施例所提供的显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
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