技术特征：
1.一种平面型vdmos器件，其特征在于，包括衬底、外延层、第一栅介质层、栅极、体区、源区、接触体和深体区；所述外延层层叠设置于所述衬底上，所述第一栅介质间隔所述外延层与所述栅极，所述体区设置于所述外延层中，所述源区、所述深体区与所述接触体均设置于所述体区中；其中，所述体区的上表面从所述外延层中露出，所述源区与所述接触体从所述体区中露出，所述接触体接触所述源区侧边设置，所述深体区设置于所述源区与所述接触体下方，包裹所述接触体并与所述接触体和所述源区接触；所述源区、所述接触体、所述体区与所述深体区均为掺杂半导体，所述源区中的掺杂类型为第一掺杂类型，所述接触体为多晶硅接触体且其掺杂类型为与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型，所述体区和所述深体区的掺杂类型均为第二掺杂类型，所述接触体与所述深体区中的掺杂浓度均高于所述体区。2.根据权利要求1所述的平面型vdmos器件，其特征在于，所述接触体嵌入所述体区的深度大于所述源区嵌入所述体区的深度。3.根据权利要求2所述的平面型vdmos器件，其特征在于，所述接触体嵌入所述体区的深度为2μm～3μm。4.根据权利要求2所述的平面型vdmos器件，其特征在于，所述体区的厚度为d，所述接触体嵌入所述体区的深度≤80％d。5.根据权利要求4所述的平面型vdmos器件，其特征在于，所述第一栅介质层的厚度为6.根据权利要求5所述的平面型vdmos器件，其特征在于，还包括第一金属层和包覆所述栅极的第二栅介质层，所述第一金属层整体覆盖所述第二栅介质层、所述源区和所述接触体，且所述第一金属层接触所述源区与所述接触体。7.根据权利要求1～4任一项所述的平面型vdmos器件，其特征在于，还包括第二金属层，所述第二金属层设置于所述衬底远离所述外延层的一侧表面上，所述接触体中的掺杂浓度低于所述源区中的掺杂浓度。8.根据权利要求1～4任一项所述的平面型vdmos器件，其特征在于，所述接触体中的掺杂浓度低于所述源区中的掺杂浓度。9.根据权利要求1～4任一项所述的平面型vdmos器件，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅极。10.根据权利要求1～4任一项所述的平面型vdmos器件，其特征在于，所述栅极的厚度为
技术总结
本实用新型公开了一种平面型VDMOS器件及其制备方法。该平面型VDMOS器件包括衬底层、层叠设置于衬底层上的外延层、层叠设置于外延层上的图案化的第一栅介质层、层叠设置于第一栅介质层上的栅极、以及设置于外延层中的体区、设置于体区中的源区、接触体和深体区；其中，体区的上表面自外延层的上表面暴露，源区的上表面与接触体的上表面自体区的上表面暴露，接触体紧靠源区侧边设置，深体区设置于源区与接触体下方，且紧靠源区与接触体。该平面型VDMOS器件的深体区设置于源区与接触体下方，其中的掺杂原子能够由具有多晶硅接触体经热驱入工艺扩散得到，有效避免了在深体区的制作过程中受到注入能量以及注入剂量的限制。到注入能量以及注入剂量的限制。到注入能量以及注入剂量的限制。
技术研发人员：马万里
受保护的技术使用者：深圳市昭矽微电子科技有限公司
技术研发日：2021.03.12
技术公布日：2022/3/15