技术特征：
1.一种提高取光率的紫外光发光二极管封装结构，其特征在于，其包含:一基板；一紫外光led芯片，设置于该基板上；一抗反射层，覆盖于该紫外光led芯片上；一光学镀膜，设置于该基板上并位于该紫外光led芯片的周围；以及一光学元件，封设于该基板上，该光学元件具有一间隔空间，该间隔空间覆盖该紫外光led芯片及该抗反射层，该光学元件与该紫外光led芯片及该抗反射层之间具有一间隔，该间隔空间为充填空气或真空；其中，该紫外光led芯片向上并侧向发出紫外光，向上的紫外光透射该抗反射层并通过该间隔空间，且向上的紫外光向上透射该光学元件，侧向的紫外光经该光学镀膜反射而通过该间隔空间，以使侧向的紫外光透射该光学元件。2.如权利要求1所述的提高取光率的紫外光发光二极管封装结构，其特征在于，其中该光学元件的一第一宽度为该紫外光led芯片的一第二宽度的至少五倍。3.如权利要求1所述的提高取光率的紫外光发光二极管封装结构，其特征在于，其中该光学元件的材料选自于石英。4.如权利要求1所述的提高取光率的紫外光发光二极管封装结构，其特征在于，其中该光学元件的表面进一步涂布氧化硅或硅。5.如权利要求1所述的提高取光率的紫外光发光二极管封装结构，其特征在于，其中该基板为一导电基板或一非导电基板。6.如权利要求1所述的提高取光率的紫外光发光二极管封装结构，其特征在于，其中一铝层为一全覆盖铝部或多个环形铝部，该些个环形铝部的反射强度由内向外递减。7.如权利要求6所述的提高取光率的紫外光发光二极管封装结构，其特征在于，其中该光学镀膜为包含一绝缘层与该铝层的组合。
技术总结
本实用新型是有关提高取光率的紫外光发光二极管(ultraviolet light emitting diode，紫外光LED)封装结构，其设置紫外光LED芯片于基板上并藉由抗反射膜增加向上出光率，并藉由光学元件聚光，且因无胶体填充在紫外光LED芯片与光学元件之间，而避免紫外光LED芯片所产生的紫外光使胶体变质，而劣化，进而避免出光效率降低。出光效率降低。出光效率降低。
技术研发人员：叶志庭 潘锡明 庄峰辉
受保护的技术使用者：宏齐科技股份有限公司
技术研发日：2021.05.06
技术公布日：2022/2/7