技术特征：
1.一种激光发射装置，其特征在于，包括外壳、谐振腔、激光工作介质、被动调q元件和泵浦源，所述谐振腔、所述激光工作介质、所述被动调q元件和所述泵浦源均安装在所述外壳内，所述谐振腔包括反射镜和输出镜，所述反射镜、所述被动调q元件、所述激光工作介质和所述输出镜沿光路依次设置，所述泵浦源用于发出激光，为激光工作介质提供能量，所述泵浦源包括半导体激光器、反射元件、温度控制结构和绝热板，所述半导体激光器包括半圆环件和若干根巴条，若干根所述巴条以半圆周排布的方式封装在所述半圆环件上，所述反射元件具有反射腔，所述激光工作介质夹持在所述反射腔与所述半圆环件之间，所述温度控制结构包括热沉、半导体制冷器和散热器，所述热沉设置在所述反射元件上，所述半圆环件设置在所述热沉面向所述反射腔的侧面上，所述半导体制冷器设置在所述热沉背离所述反射腔的侧面上，所述散热器设置在半导体制冷器上，所述绝热板设置在所述反射元件与所述外壳之间。2.如权利要求1所述的激光发射装置，其特征在于，若干根所述巴条分成两组，两组所述巴条一前一后封装在半圆环件内，每组所述巴条设置有24根。3.如权利要求2所述的激光发射装置，其特征在于，若干根所述巴条以波长为805nm、808nm、810nm三波长混装的封装形式封装在半圆环件内。4.如权利要求1所述的激光发射装置，其特征在于，所述巴条的发光面距离所述激光工作介质的外表面的距离为1mm。5.如权利要求1所述的激光发射装置，其特征在于，所述反射镜的曲率半径为-5000mm，所述输出镜的曲率半径为-3000mm，所述反射镜任一端面的镀膜指标为hr@1064nm，所述输出镜一端面的镀膜指标为1064nm增透膜，另一端面的镀膜指标为pr@1064nm，透过率为30％。6.如权利要求1所述的激光发射装置，其特征在于，所述激光工作介质为nd:yag晶体棒，所述nd:yag晶体棒的长度为45mm，直径为4mm，所述nd:yag晶体棒两端面的镀膜指标为ar@1064nm。7.如权利要求1所述的激光发射装置，其特征在于，所述被动调q元件采用cr
4+
：yag晶体，所述被动调q元件两端面的镀膜指标为ar@1064nm，初始透过率为30％。8.如权利要求1所述的激光发射装置，其特征在于，所述激光发射装置还包括用于调整谐振腔的光路的光楔对，所述光楔对位于所述反射镜和所述被动调q元件之间，所述光楔对包括第一光楔和第二光楔，所述第一光楔和所述第二光楔的斜面对齐紧靠在一起。9.如权利要求8所述的激光发射装置，其特征在于，所述第一光楔和所述第二光楔的楔角角度均为10分。10.如权利要求1所述的激光发射装置，其特征在于，所述激光发射装置还包括光束整形透镜组，所述光束整形透镜组位于所述输出镜的输出光路上，所述光束整形透镜组包括第一透镜和第二透镜，所述第一透镜和所述第二透镜的曲率相同，凹凸方向相反。
技术总结
本实用新型适用于激光器领域，公开了激光发射装置，包括外壳、泵浦源和沿光路依次设置的反射镜、被动调Q元件、激光工作介质、输出镜，泵浦源包括半导体激光器、反射元件、温度控制结构和设置在反射元件与外壳之间的绝热板，半导体激光器包括半圆环件和若干根巴条，若干根巴条以半圆周排布的方式封装在半圆环件上，激光工作介质夹持在反射元件的反射腔与半圆环件之间，温度控制结构包括设置在反射元件上的热沉、设置在热沉上的半导体制冷器和设置在半导体制冷器上的散热器，半圆环件设置在热沉面向反射腔的侧面上，该激光发射装置能够有效的对半导体激光器进行温度控制，保证了激光发射装置的可靠性、和稳定性。装置的可靠性、和稳定性。装置的可靠性、和稳定性。
技术研发人员：关鹏 张普 陈旭光 朱香平 赵卫
受保护的技术使用者：广东粤港澳大湾区硬科技创新研究院
技术研发日：2021.07.05
技术公布日：2022/3/18