一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统的制作方法

1.本实用新型属于太阳能单晶硅片清洗领域，尤其是涉及一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统。


背景技术：

2.金刚线切割硅片后需对硅片进行清洗，随着光伏行业提速增效的大势所向，清洗工艺提速势在必行，而清洗时间缩短后，必然需要提升药剂用量以保证品质。药剂量的增加会对漂洗能力造成压力，容易产生漂洗不干净的情况。
3.目前太阳能单晶硅片清洗中，普遍存在双氧水化学品槽产生泡沫导致硅片漂片的情况，随着补液时间明显漂片越来越严重。漂片后会产生不同程度的自损，同时人员处理漂片会造成极大的时间浪费，影响生产效率使产出受到较大影响，为改善漂片需要加大硅片清洗溢流量，造成极大资源浪费。


技术实现要素：

4.本实用新型要解决的问题是提供一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统，防止清洗过程中硅片漂片情况的产生。
5.为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统，包括：清洗回路，所述清洗回路包括依次设置的上料槽、清洗剂槽、第一漂洗槽、化学品槽、第二漂洗槽和慢提拉槽，所述第一漂洗槽至少设置有两个，用于防止漂片的产生。
6.进一步的，还包括：溢流回路，所述溢流回路包括依次设置的快热槽、慢提拉槽、所述第二漂洗槽、所述第一漂洗槽和所述上料槽。
7.进一步的，所述第二漂洗槽与所述第一漂洗槽之间通过三储水箱连通；
8.所述第一漂洗槽与所述上料槽之间通过一储水箱连通。
9.进一步的，所述溢流回路中纯水的溢流速度为15l/min。
10.进一步的，所述清洗剂槽包括一槽和二槽，所述一槽和所述二槽内可盛放有相同的清洗剂，用于清洗硅片表面的金属离子和硅泥。
11.进一步的，所述第一漂洗槽包括三槽和四槽，所述三槽和所述四槽内均可盛放用于漂洗硅片表面残留的化学试剂或有机溶剂的纯水。
12.进一步的，所述三槽与所述四槽之间通过二储水箱连通。
13.进一步的，所述化学品槽包括五槽，所述五槽用于清洗去除硅片表面的残存有机物。
14.进一步的，所述第二漂洗槽包括：六槽、七槽和八槽，所述六槽、所述七槽和所述八槽内均可盛放用于漂洗残留的化学试剂、金属离子或有机溶剂的纯水。进一步的，所述慢提拉槽包括：九槽，所述九槽内可盛放纯水，所述九槽在所述快热槽的加热下漂洗并在加热的纯水中缓慢提升所述硅片。
15.由于采用上述技术方案，具有以下优点：
16.可以完全杜绝漂片的产生，减少硅片自损；不产生漂片，不需要人员停机处理泡沫，有效增加了产出，提高了生产效率；降低生产成本，不用为防止漂片增加清洗溢流量，减少水资源浪费；
17.能够有效清洗硅片表面的残留清洗剂，降低硅片表面的清洗剂或杂质的残留量，防止漂片，提高清洗效果和清洗效率，减少清洗硅片时水的消耗量。清洗质量和经济效益获得明显提高。通过对清洗系统的调整，可减少药液污染，保证产品的清洗质量，且易于实现，适于广泛推广。
附图说明
18.图1是本实用新型改善前硅片清洗槽分布以及溢流结构示意图；
19.图2是本实用新型一种实施例的防止硅片清洗漂片系统的示意图。
20.图中：
21.1、一槽
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
2、二槽
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
3、三槽
22.4、四槽
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
5、五槽
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
6、六槽
23.7、七槽
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
8、八槽
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
9、九槽
24.10、上料槽
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
11、快热槽
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
12、纯水进水管
25.13、一储水箱
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
14、二储水箱
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
15、三储水箱
具体实施方式
26.下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步说明：
27.在目前太阳能单晶硅片清洗中，原硅片清洗工艺三槽为清洗剂槽，硅片经过清洗剂槽清洗后由四槽漂洗后进入五槽化学品槽清洗，因只经过四槽一次漂洗清洗剂残留较多，如此累积清洗剂带入五槽越来越多，清洗剂和五槽中的双氧水发生皂化反应越来越剧烈产生大量泡沫，并在双氧水化学品槽产生泡沫，硅片表面附着有大量泡沫，增大了水对硅片的浮力，导致硅片漂片的情况，随着补液时间明显漂片越来越严重。漂片后会产生不同程度的自损，同时人员处理漂片会造成极大的时间浪费，影响生产效率使产出受到较大影响，为改善漂片需要加大硅片清洗溢流量，造成极大资源浪费。
28.为改善此种情况，在本实用新型的一种实施例中，如图2所示，一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统，包括：清洗回路和溢流回路，其中清洗回路与溢流回路存在部分重叠且路径相反。
29.在本实施例中，清洗回路包括依次设置的上料槽10、清洗剂槽、第一漂洗槽、化学品槽、第二漂洗槽和慢提拉槽，在对硅片的清洗过程中，硅片由上料槽10依次通过清洗剂槽、第一漂洗槽、化学品槽、第二漂洗槽和慢提拉槽后清洗完成。溢流回路包括依次设置的快热槽11、第二漂洗槽、第一漂洗槽和上料槽，其中第二漂洗槽与第一漂洗槽之间通过三储水箱连通；第一漂洗槽与上料槽10之间通过一储水箱连通，经纯水进水管12中的纯水依次通过快热槽11、慢提拉槽、第二漂洗槽、第一漂洗槽和上料槽，满足清洗时纯水的溢流和补充。
30.改善前的溢流结构为纯水分别连通快热槽11和第二漂洗槽，其中纯水进水管12连
通第二漂洗槽的回路中溢流速度为10l/min，纯水进水管12连通快热槽11的回路中溢流速度为15l/min，通过加快溢流速度，来提高4 的漂洗能力，防止漂片的产生，但是还是容易造成漂片产生；本实施例在改进后，纯水进水管12仅连通快热槽11，通过快热槽11给慢提拉槽进行预加热，且溢流回路中纯水的溢流速度为15l/min，仅增加了第一漂洗槽的数量，就可以防止漂片的产生，同时可以满足清洗硅片的溢流需求，同时改进后不用增加清洗溢流量，减少水资源浪费，更加符合节能环保的绿色生产理念。
31.为杜绝漂片的产生，第一漂洗槽至少设置有两个，硅片经过清洗剂槽清洗后由至少两个第一漂洗槽漂洗后清洗剂残留基本漂洗干净，进入化学品槽基本无反应，不会产生泡沫造成漂片；同时本实施例中，以30天为周期进行整体系统的换液和清洗。
32.如图2所示中，清洗剂槽包括一槽1和二槽2，一槽1和二槽2内设置有相同的清洗剂，本实施例中，一槽1和二槽2为清洗剂槽，清洗剂可采用：氢氧化钾、氢氧化钠、无机碱、表面活性剂和有机溶剂等，通过一槽1和二槽2的设置，达到清洗硅片表面的金属离子和硅泥的作用；原硅片清洗工艺中共设置有三个清洗剂槽，在本实施例中为防止硅片漂片，将三槽3设置为漂洗槽，因此可适当增加清洗剂槽中一槽1和二槽2中清洗剂的浓度，增强清理强度，满足清洗需求。
33.如图2所示中，本实施例中，共设置有两个第一漂洗槽，第一漂洗槽包括三槽3和四槽4，三槽3和四槽4内设置有纯水，用于漂洗残留的化清洗剂和/或有机溶剂等，通过改变三槽3为第一漂洗槽，硅片经过清洗剂槽清洗后由三槽3和四槽4漂洗后清洗剂残留基本漂洗干净，进入五槽5基本无反应，不会产生泡沫造成漂片，从而从根源上杜绝了漂片的产生。
34.同时三槽3和四槽4之间通过二储水箱连通，受到高度限制，漂洗过程中需要持续流动的活水，因为整体高度已经较高，因此三槽3和四槽4之间不通过高度落差溢流，直接通过储水箱和泵实现纯水的流动。
35.如图2所示中，化学品槽包括五槽5，五槽5用于清洗去除硅片表面的残存有机物，本实施例中化学品槽的主要采用：双氧水和氢氧化钾等。
36.如图2所示中，第二漂洗槽包括：六槽6、七槽7和八槽8，六槽6、七槽7和八槽8内均设置有纯水，六槽6、七槽7和八槽8依次高度升高设置，通过高度差实现溢流，用于漂洗残留的化学试剂、金属离子和/或有机溶剂等。
37.如图2所示中，慢提拉槽包括：九槽9，九槽9内设置有纯水，同样九槽9高度高于八槽8设置，通过高度差实现溢流，用于漂洗并在高温纯水缓慢提升硅片，有利于硅片的后续烘干。
38.本实用新型的一种实施例的工作过程：
39.首先，将装载有硅片的花篮放置于装有清洗剂的一槽1内，对硅片进行清洗剂溶液清洗，清洗硅片表面的金属离子和硅泥，清洗剂主要采用氢氧化钾、氢氧化钠、无机碱、表面活性剂和有机溶剂等；
40.经一槽1和二槽2两个清洗剂槽清洗完毕后，将硅片放置于第一漂洗槽的三槽3中，对硅片进行纯水溢流清洗后再经四槽4进行纯水溢流清洗，漂洗残留的清洗剂和/或有机溶剂，防止有残留有机物进入五槽5内发生反应，产生泡沫造成漂片；
41.经第一漂洗槽漂洗完毕后，将硅片放置于化学品槽五槽5中，对硅片进行清洗去除硅片表面的残存有机物；
42.经化学品槽清洗完毕后，将硅片放置于第二漂洗槽内，对硅片进行纯水漂洗，硅片依次经过六槽6、七槽7和八槽8的纯水漂洗，漂洗残留的化学试剂、金属离子和/或有机溶剂，防止硅片上有残留；
43.经第二漂洗槽漂洗完毕后，将硅片放置于慢提拉槽九槽9中，对硅片进行漂洗并在高温纯水缓慢提升硅片；慢提拉后，将硅片放置于烘箱内，将硅片烘干，清洗完毕。
44.硅片清洗过程中，溢流回路中纯水以15l/min的溢流速度依次经由快热槽、九槽9、八槽8、七槽7、六槽6、三储水箱，再由泵抽送至四槽4，再经二储水箱由泵抽送至三槽3，最后经一储水箱由泵抽送至上料槽10中，满足清洗时纯水的溢流和补充。
45.改善后清洗工艺三槽由清洗剂槽改造为纯水漂洗槽，硅片经过清洗剂槽清洗后由三槽和四槽漂洗后清洗剂残留基本漂洗干净，进入五槽基本无反应，不会产生泡沫造成漂片，同时增加清洗机槽浓度防止硅片清洗脏污，降低纯水进水溢流降低水资源浪费。
46.以上对本实用新型的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。