技术特征：
1.一种功率半导体器件的封装架构，适用于功率器件的散热，其特征在于，包括封装容器和部分嵌入所述封装容器顶端的散热器，所述封装容器内设有散热组件，所述散热组件能够夹持或包裹功率器件，且能够与功率器件导通，并与所述散热器接触，其中：功率器件工作时产生的热量，通过所述散热组件以热传导的方式传递至所述散热器，以对功率器件进行降温或散热。2.根据权利要求1所述的封装架构，其特征在于，所述封装容器外部无功率器件的引脚。3.根据权利要求1所述的封装架构，其特征在于，所述散热组件包括金属导热片、金属连接件、第一金属基板和第二金属基板，所述第一金属基板和第二金属基板分别嵌入所述封装容器底部，并留有伸出段，且所述第一金属基板和第二金属基板相邻并不接触；功率器件安装在所述第二金属基板顶面上，且通过所述金属导热片与所述散热器的底面接触；所述金属连接件一端与所述第一金属基板连接，另一端与功率器件连接。4.根据权利要求3所述的封装架构，其特征在于，所述散热组件还包括在所述金属导热片上、下面设置的焊接层或烧结层，用以所述金属导热片分别与所述散热器的底面和功率器件的固定。5.根据权利要求4所述的封装架构，其特征在于，所述金属导热片底面的焊接层或烧结层设置有豁口，所述豁口将所述金属导热片底面的焊接层或烧结层分为第一层和第二层，所述第二层的长度至少与所述所述金属导热片的长度或直径相同；所述金属连接件的一端与所述第一层连接，通过所述第一层与功率器件导通。6.根据权利要求4所述的封装架构，其特征在于，还包括覆铜陶瓷基板所述覆铜陶瓷基板衬垫在所述第二层与所述金属导热片之间，用以增加功率器件向所述金属导热片的传导热量。7.根据权利要求1所述的封装架构，其特征在于，所述金属导热片为导热铜垫或导热铜片。8.根据权利要求1所述的封装架构，其特征在于，所述封装容器以塑料制成。
技术总结
本发明的功率半导体器件的封装架构，属于半导体功率器件安装结构的技术领域，至少解决现有技术中以无引脚方式设置的结构，使功率器件的散热效率低的技术问题。包括封装容器和部分嵌入所述封装容器顶端的散热器，所述封装容器内设有散热组件，所述散热组件能够夹持或包裹功率器件，且能够与功率器件导通，并与所述散热器接触，其中：功率器件工作时产生的热量，通过所述散热组件以热传导的方式传递至所述散热器，以对功率器件进行降温或散热。以对功率器件进行降温或散热。以对功率器件进行降温或散热。
技术研发人员：徐贺 朱楠 史经奎 邓永辉 梅营
受保护的技术使用者：致瞻科技（上海）有限公司
技术研发日：2022.01.12
技术公布日：2022/5/30