封装方法、封装结构及显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种封装方法、封装结构及显示装置。


背景技术：

2.相关技术中，对显示器件进行封装后，进行弯折时，容易产生封装结构中的无机层断裂或者无机层从显示器件上剥落的情形，造成封装结构的失效。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种封装方法、封装结构及显示装置，以改善封装结构的可拉伸性和耐弯折性的力学性能，提高封装结构的可靠性。
4.根据本技术的一个方面，本技术实施例提供了一种封装方法，包括以下步骤：
5.采用原子层沉积工艺在待封装器件外侧形成包覆所述待封装器件的第一无机层；
6.采用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第一无机层上沉积第二无机层；
7.在所述第二无机层上形成有机层；
8.重复上述形成所述第二无机层、形成所述有机层的步骤，以形成包括所述第一无机层、多层所述第二无机层和至少一层所述有机层的封装结构。
9.在其中一个实施例中，所述采用原子层沉积工艺在待封装器件外侧形成包覆所述待封装器件的第一无机层具体包括：
10.采用原子层沉积工艺在所述待封装器件外侧形成包覆所述待封装器件的金属氧化层；
11.采用原子层沉积工艺在所述金属氧化层上形成含硅层，以形成包括所述金属氧化层、所述含硅层的所述第一无机层。
12.在其中一个实施例中，所述金属氧化层的厚度为1纳米至5纳米；和/或
13.所述含硅层的厚度为5纳米至50纳米。
14.在其中一个实施例中，所述金属氧化层包括三氧化二铝、氧化镁或者氧化钛中的一种或几种。
15.在其中一个实施例中，所述含硅层包括氮氧化硅、二氧化硅、氮化硅中的一种或几种。
16.在其中一个实施例中，所述在所述第二无机层上形成有机层具体包括：
17.采用喷墨列印工艺在所述第二无机层上喷涂有机溶液；
18.采用热固化工艺和/或光固化工艺固化位于所述第二无机层上的所述有机溶液，形成所述有机层。
19.在其中一个实施例中，所述在所述第二无机层上形成有机层之前包括：
20.采用第一预设工艺对所述第二无机层背离所述待封装器件的一侧表面进行图案化处理，以形成第一结构。
21.在其中一个实施例中，所述第一预设工艺包括镭射工艺。
22.在其中一个实施例中，所述第一结构包括水波纹结构、多边形结构中的一种或几种。
23.在其中一个实施例中，所述第一结构中的凹陷部分在第一方向上的宽度为50微米至200微米。
24.在其中一个实施例中，所述在所述第二无机层上形成有机层之后包括：
25.采用第二预设工艺对所述有机层背离所述待封装器件的一侧表面进行粗糙处理，以形成第二结构。
26.在其中一个实施例中，所述第二预设工艺包括光刻工艺或镭射工艺。
27.在其中一个实施例中，所述第二结构包括凹坑状结构、网格状结构、棱形结构中的一种或几种。
28.在其中一个实施例中，所述第二结构中的凹陷部分在第一方向上的宽度为30微米至80微米。
29.在其中一个实施例中，所述第二无机层的材料包括氮氧化硅、二氧化硅、氮化硅中的一种或几种。
30.在其中一个实施例中，所述第二无机层的厚度为800纳米至1200纳米。
31.在其中一个实施例中，所述有机层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯。
32.在其中一个实施例中，所述有机层的厚度为1000纳米至15000纳米。
33.根据本技术的另一个方面，本技术实施例提供了一种封装结构，采用如上述所述的封装方法制作得到。
34.根据本技术的又一个方面，本技术实施例提供了一种显示装置，包括显示器件和上述所述的封装结构；
35.其中，所述显示器件包括有机发光二极管器件或量子点发光二极管器件。
36.基于本技术实施例的封装方法、封装结构及显示装置，通过采用原子层沉积工艺在待封装器件外侧形成包覆待封装器件的第一无机层，得到第一无机层与待封装器件之间优良的结合界面，不仅可以在弯折时防止第一无机层断裂或者从待封装器件上剥落，而且提高了阻水氧能力，随后采用等离子体增强化学气相沉积工艺在第一无机层上沉积第二无机层，此时，不仅可以保护待封装器件不被等离子体损伤，还可以减少第一无机层的成膜时间。如此，提高了封装结构的使用寿命以及可靠性。
37.本技术实施例的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术实施例的实践了解到。
附图说明
38.图1为相关技术一实施例中封装结构的结构示意图；
39.图2为相关技术一实施例中封装结构的膜层示意图；
40.图3为本技术一实施例中封装结构的结构示意图；
41.图4为本技术一实施例中封装方法的流程示意图；
42.图5为本技术一实施例中第一无机层和第二无机层结合在一起的局部放大示意图；
43.图6为本技术一实施例中第一无机层和第二无机层的沉膜结界放大示意图；
44.图7为水氧入侵本技术一实施例中的封装结构的示意图；
45.图8为水氧入侵本技术另一实施例中的封装结构的示意图；
46.图9为本技术另一实施例中封装方法的流程示意图；
47.图10为本技术一实施例中第一结构的结构示意图；
48.图11为本技术又一实施例中第一结构的结构示意图；
49.图12为本技术又一实施例中封装方法的流程示意图；
50.元件符号简单说明：
51.10：玻璃基板
52.20：显示器件
53.30：无机阻挡层
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31：第一子无机层
54.32：第二子无机层
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33：第三子无机层
55.34：第四子无机层
56.40：有机缓冲层
57.100：基板
58.101：待封装器件
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102：阴极层
59.200：第一无机层
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210：金属氧化层
60.220：含硅层
61.300：第二无机层
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310：第一结构
62.400：有机层
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410：第二结构
63.a：凹陷
64.p1：第一路径
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p2：第二路径
65.d1、d2：宽度
具体实施方式
66.为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术实施例的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术实施例。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术实施例能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此，本技术实施例不受下面公开的具体实施例的限制。
67.可以理解，本技术所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种专业名词，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。但除非特别说明，这些专业名词不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个专业名词与另一个专业名词区分。举例来说，在不脱离本技术的范围的情况下，第一结构与第二结构为不同的结构。在本技术实施例的描述中，“多个”、“若干”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
68.在本技术实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以
是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术实施例中的具体含义。
69.在本技术实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征水平高度。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征水平高度。
70.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
71.除非另有定义，本技术所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本技术中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
72.目前，由于显示装置中的显示器件容易受到空气中的水分和氧气等成分的侵蚀，因此通常需要采用封装结构对显示器件进行封装，防止水分和氧气的侵入，延长显示期间的使用寿命。
73.图1示出了相关技术一实施例中封装结构的结构示意图，图2示出了相关技术一实施例中封装结构的膜层示意图；为了便于说明，仅示出了与相关技术实施例相关的部分。
74.相关技术中，通常在玻璃基板10上沉积单层或者多层薄膜来封装显示器件20。如图1所示，该封装结构包括玻璃基板10、设置在玻璃基板10上的显示器件20以及依次层叠设置在显示器件20上的无机阻挡层30、有机缓冲层40、无机阻挡层30。其中，无机阻挡层30具有一定的水氧阻隔能力，可以将显示器件20与外界空气隔离，有机缓冲层40具有一定的折弯性，可以将显示器件20柔性显示。
75.本技术发明人注意到，膜层越多，其水氧阻隔能力越强。但是，如若膜层越多其封装结构越厚则会导致透光率降低、可弯折性差，影响显示装置的使用。由此，相关技术中通常都是通过pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强化学气相沉积法)工艺沉积得到如图2所示的膜层，以在满足水氧阻隔能力的同时，不影响显示装置的使用。例如，以图2为例，层叠在显示器件20上方的无机阻挡层30包括依次通过pecvd工艺沉积得到的第一子无机层31和第二子无机层32，第一子无机层31的厚度一般为6000埃至12000埃，第二子无机层32的厚度一般为150埃至300埃，通过喷墨打印层叠在前述无机阻挡层30上方的有机缓冲层40的厚度一般为8微米至12微米，层叠在有机缓冲层40上方的无机阻挡层30包括依次通过pecvd工艺沉积得到的第三子无机层33和第四子无机层34，第三子无机层33的厚度一般为150埃至300埃，第四子无机层34的厚度一般为6000埃至12000埃。
76.本技术发明人进一步研究发现，由于采用pecvd工艺进行沉积操作，等离子体具有腐蚀效果，该过程中产生的等离子体会对显示器件20产生损伤。进而，在进行弯曲、卷曲或者折叠动作时，产生的弯曲应力会使得无机阻挡层30断裂或者无机阻挡层30从显示器件20上剥落，其可信赖性无法得到保证。
77.基于此，本技术实施例通过改进封装方法，进而避免产生前述所注意到的一些问
题。下面结合一些实施例的相关描述，对本技术实施例提供的封装方法及封装结构进行相关说明。
78.图3为本技术一实施例中封装结构的结构示意图；图4为本技术一实施例中封装方法的流程示意图；为了便于说明，仅示出了与本技术实施例相关的部分。
79.请参照图3，本技术实施例提供的封装结构包括设置在基板100上的待封装器件101以及依次层叠设置在待封装器件101上的第一无机层200、第二无机层300、有机层400和第二无机层300。在一些实施例中，基板100的材料可以采用低温多晶硅、低温多晶氧化物、铟镓锌氧化物等，可以根据实际需要进行选择，本技术实施例对此不作具体限定。
80.请参照图4，并结合参考图3，本技术实施例提供了一种封装方法，该封装方法包括以下步骤：
81.s401、采用原子层沉积工艺在待封装器件101外侧形成包覆待封装器件101的第一无机层200；
82.具体地，原子层沉积(ald，atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。在一些实施例中，可以采用原子层沉积工艺在待封装器件101外侧形成包覆待封装器件101的金属氧化层210，再采用原子层沉积工艺在金属氧化层210上形成含硅层220，以形成包括金属氧化层210、含硅层220的第一无机层200。由于原子层沉积的自限制特征，其沉积过程是通过活性前驱体物质与活性基体材料表面化学反应来驱动的，这样得到的沉积薄膜是由于前驱体与基体材料间的化学反应形成的。也就是说，形成包覆待封装器件101的金属氧化层210时，金属氧化层210沉膜的致密性很高，可以与待封装器件101表面紧密结合在一起且不受待封装器件101表面结构的影响，得到厚度均匀的金属氧化薄膜，降低在弯折过程中，第一无机层200从待封装器件101表面剥落或者断裂的情形。又由于每一次原子层沉积仅形成为一个原子层厚度的薄膜，可以达到精准的膜厚控制。可选地，可以采用低压原子沉积工艺进行沉积操作，以便于更为精准的进行膜厚控制。当金属氧化层210以及含硅层220厚度较薄时，两者的晶界并不明显，具有优异的阻水能力。
83.本技术发明人发现，如果金属氧化物的混合比例过小，其无法达到具有保护层的效果，而如果金属氧化物的混合比例过大，其本身质地坚硬，加上含硅层220后，会使得第一无机层200整体膜质过硬，导致弯曲应力无法释放，容易产生第一无机层200断裂或者剥落的情形。由此，在一些实施例中，可以将金属氧化层210和含硅层220两者的混合比例设置为1：10。具体至一些实施例中，金属氧化层210的厚度为1纳米至5纳米，含硅层220的厚度为5纳米至50纳米。具体至一些实施例中，金属氧化物层包括三氧化二铝、氧化镁或者氧化钛中的一种或几种。可选地，可以将金属氧化物层设置为三氧化二铝层，厚度设置为5纳米，如此，可以通过三氧化二铝的致密性且能与机体紧密结合的特性，得到更好性能的金属氧化物层。具体至另一些实施例中，含硅层220包括氮氧化硅、二氧化硅、氮化硅中的一种或几种，如此，得到优异的阻水氧能力。
84.另外，在执行步骤s401之前，可以在待显示器件上进行覆盖阴极层102的工艺，便于进行封装步骤。在一些实施例中，可通过利用由mg:ag、lif:al、ca、ag和al中的至少一种形成为透明的阴极层102，可以根据实际需求进行选择，本技术实施例对此不作具体限制。
85.s402、采用等离子体增强化学气相沉积工艺在第一无机层200上沉积第二无机层
300；
86.具体地，由于通过原子层沉积工艺沉积形成第一无机层200需要一定的时间(例如，厚度为5纳米的沉膜需要50秒)，因此，在第一无机层200的基础上，再通过等离子体增强化学气相沉积工艺形成第二无机层300，达到所需要的高度。如此，在保证低水氧穿透率的条件下，不仅减少了显示器件的损伤，而且也减少了第一无机层200成膜的时间。由于第一无机层200和第二无机层300之间的比例过小会造成阻水能力降低，比例过大会导致应力上升、膜质异常。由此，在一些实施例中，采用等离子体增强化学气相沉积工艺可以使第二无机层300的厚度为800纳米至1200纳米，可选地，金属氧化层210的厚度为1纳米至5纳米，含硅层220的厚度为5纳米至50纳米。如此，更进一步保证低水氧穿透率。而在另一些实施例中，第二无机层300的材料包括氮氧化硅、二氧化硅、氮化硅中的一种或几种，以得到优异的阻水氧能力。以图5为例，图5示意出第二无机层300为二氧化硅层、第一无机层200包括氧化铝层和氮化硅层的情形，第一无机层200与第二无机层300之间结合紧密且致密，具有优异的阻水氧能力。
87.s403、在第二无机层300上形成有机层400；
88.具体地，由于有机层400具有一定的折弯性，可以将显示器件的柔性显示。在一些实施例中，可以采用喷墨列印工艺在第二无机层300上喷涂有机溶液，再采用热固化工艺和/或光固化工艺固化位于第二无机层300上的有机溶液，形成有机层400。在一些实施例中，有机层400的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯，透光率达到92％且易于机械加工。由于对于整体封装结构而言，如若有机层400的厚度过大，会影响弯折能力，如若有机层400的厚度过小，则有机层400延迟水氧入侵的能力会变薄弱。在一些实施例中，有机层400的厚度可以为1000纳米至15000纳米。如此，结合前述一些实施例中分析的第一无机层200和第二无机层300的厚度控制过程，通过结合设置有机层400的厚度，使得封装结构整体的厚度可控。以图6为例，在图5示意出的情形上，可以看到第一无机层200和第二无机层300的沉膜结界上凹凸不平的表面。在第一无机层200上沉积得到第二无机层300后，可以得到如图7所示的结构，第二无机层300的表面跟随沉膜结界进行变化，也同样呈现出凹凸不平的表面。此时，如图7所示，水氧可从第二无机层300的表面上凹陷a处从上往下沿第一路径p1进入。而在第二无机层300的表面上形成有机层400后，有机层400改变了水氧的入侵路径，如图8所示，使得水氧从第二路径p2释放。因此，通过设置有机层400，可以减缓并改变水氧入侵的路径，且同时可以在弯曲时释放应力。
89.s404、重复上述形成第二无机层300、形成有机层400的步骤，以形成包括第一无机层200、多层第二无机层300和至少一层有机层400的封装结构。
90.具体地，在形成了有机层400后，再在有机层400上依次层叠形成第二无机层300、形成有机层400、形成第二无机层300
……
，由此形成了封装结构。例如，可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积得到位于有机层400上的第二无机层300。可以理解的是，可以根据需要所需要形成的膜层数量。例如，图3示意出在待封装器件101上依次层叠设置有第一无机层200、第二无机层300、有机层400、第二无机层300的情形。
91.由此，通过采用原子层沉积工艺在待封装器件101外侧形成包覆待封装器件101的第一无机层200，得到第一无机层200与待封装器件101之间优良的结合界面，不仅可以在弯折时防止第一无机层200断裂或者从待封装器件101上剥落，而且提高了阻水氧能力，随后
采用等离子体增强化学气相沉积工艺在第一无机层200上沉积第二无机层300，此时，不仅可以保护待封装器件101不被等离子体损伤，还可以减少第一无机层200的成膜时间。如此，提高了封装结构的使用寿命以及可靠性。
92.图9示出了本技术另一实施例中封装方法的流程示意图；为了便于说明，仅示出了与本技术实施例相关的部分。
93.请参照图9，并结合参考图3，本技术实施例提供了一种封装方法，该封装方法包括以下步骤：
94.s901、采用原子层沉积工艺在待封装器件101外侧形成包覆待封装器件101的第一无机层200；
95.具体地，上述步骤的具体过程，可参考前述实施例的内容，此处不再赘述。
96.s902、采用等离子体增强化学气相沉积工艺在第一无机层200上沉积第二无机层300；
97.具体地，上述步骤的具体过程，可参考前述实施例的内容，此处不再赘述。
98.s903、采用第一预设工艺对所述第二无机层300背离所述待封装器件101的一侧表面进行图案化处理，以形成第一结构310；
99.具体地，由于第二无机层300的表面具有第一结构310，当在后续步骤中使用喷墨打印技术在第二无机层300上喷涂有机溶液时，有利于有机溶液的铺展。在一些实施例中，第一预设工艺包括镭射工艺。在另一些实施例中，第一结构310包括水波纹结构、多边形结构中的一种或几种，如此，对于有机溶液具有优良的粘附性，更加有利于有机溶液的铺展，得到更为优异的有机层400。具体至一些实施例中，如图10所示，可以将第一结构310设置为仿蝾螈脚掌的六边形结构。具体至另一些实施例中，如图11所示，可以将第一结构310设置为水波纹结构。可选地，第一结构310中的凹陷a部分的宽度为50微米至200微米。以图10为例，仿蝾螈脚掌的六边形结构之间的宽度d2可以设置为50微米至200微米。以图11为例，水波纹结构之间的宽度d1可以设置为50微米至200微米。如此，得到更为有利于有机溶液铺展的结构。需要说明的是，图10和图11为第二无机层300的俯视结构示意图。
100.s904、在第二无机层300上形成有机层400；
101.具体地，上述步骤的具体过程，可参考前述实施例的内容，此处不再赘述。
102.s905、重复上述形成第二无机层300、形成有机层400的步骤，以形成包括第一无机层200、多层第二无机层300和至少一层有机层400的封装结构。
103.具体地，上述步骤的具体过程，可参考前述实施例的内容，此处不再赘述。
104.由此，由于设置了第一结构310，更有利于制作得到有机层400，便于形成所需要的有机层400，对于整体结构而言，除了可以得到更为优异的制程，还可以缩短时间。
105.图12为本技术又一实施例中封装方法的流程示意图；为了便于说明，仅示出了与本技术实施例相关的部分。
106.s1201、采用原子层沉积工艺在待封装器件101外侧形成包覆待封装器件101的第一无机层200；
107.具体地，上述步骤的具体过程，可参考前述实施例的内容，此处不再赘述。
108.s1202、采用等离子体增强化学气相沉积工艺在第一无机层200上沉积第二无机层300；
109.具体地，上述步骤的具体过程，可参考前述实施例的内容，此处不再赘述。
110.s1203、在第二无机层300上形成有机层400；
111.具体地，上述步骤的具体过程，可参考前述实施例的内容，此处不再赘述。
112.s1204、采用第二预设工艺对有机层400背离待封装器件101的一侧表面进行粗糙处理，以形成第二结构410；
113.具体地，由于对有机层400的表面进行了粗糙处理，可以得到疏水性能地表面，可以进一步有效阻碍水汽的穿透。在一些实施例中，第二预设工艺包括光刻工艺或镭射工艺。可选地，可以使用光刻工艺进行制作有机层400。在另一些实施例中，第二结构410包括凹坑状结构、网格状结构、棱形结构中的一种或几种。如此，可以进行得到疏水性能更好的有机层400的表面。具体至一些实施例中，第二结构410中的凹陷a部分的宽度为30微米至80微米。在一些实施例中，为得到优异的膜层力学性能，可以将位于有机层400上方和有机层400下方的第二无机层300对称设置。
114.s1205、重复上述形成第二无机层300、形成有机层400的步骤，以形成包括第一无机层200、多层第二无机层300和至少一层有机层400的封装结构。
115.具体地，上述步骤的具体过程，可参考前述实施例的内容，此处不再赘述。
116.如此，通过在有机层400的表面上设置第二结构410，可以进一步提高整体封装结构的阻水氧能力。
117.需要说明的是，上述阐述的一些技术方案在实际实施过程中可以作为独立实施例来实施，也可以彼此之间进行组合并作为组合实施例实施。上述阐述的一些技术方案为示例性的方案，具体如何进行组合来实施，可以根据实际需要来进行选择，本技术实施例不作具体地限制。另外，在对上述本技术实施例内容进行阐述时，仅基于方便阐述的思路，按照相应顺序对不同实施例进行阐述，如按照实际实施过程中的要求预设的顺序，而并非是对不同实施例之间的执行顺序进行限定。相应地，在实际实施过程中，若需要实施本技术实施例提供的多个实施例，则不一定需要按照本发明阐述实施例时所提供的执行顺序，而是可以根据需求安排不同实施例之间的执行顺序。
118.应该理解的是，虽然图4、图9和图12的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图4、图9和图12中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
119.基于同一发明构思，如图3所示，本技术实施例提供了一种封装结构，采用如上述实施例中的封装方法制作得到。
120.基于同一发明构思，本技术实施例提供了一种显示装置，包括显示器件和上述实施例中的封装结构。在一些实施例中，显示器件包括有机发光二极管器件或量子点发光二极管器件。
121.如此，由于使用了采用上述一些实施例中的封装方法制作得到的封装结构，提高了显示装置的使用寿命与可靠性。
122.需要说明的是，采用上述一些实施例中的封装方法时，可以得到或者形成的一些封装结构或者显示装置，可以参考前述一些实施例中示意出的相关的结构，在此不再赘述。
123.综上所述，本技术实施例提供的封装方法、封装结构以及显示装置中，由于通过采用原子层沉积工艺在待封装器件101外侧形成包覆待封装器件101的第一无机层200，并且将第一无机层200设置为金属氧化物层与含硅层220相结合的结构，得到了优良的结合界面，不仅可以在弯折时防止第一无机层200断裂或者从待封装器件101上剥落，而且提高了阻水氧能力，随后采用等离子体增强化学气相沉积工艺在第一无机层200上沉积第二无机层300，此时，不仅可以保护待封装器件101不被等离子体损伤，还可以减少第一无机层200的成膜时间。将原子层沉积工艺与等离子体增强化学气相沉积工艺相结合使用，还可以调整第一无机层200与第二无机层300整体的厚度。再者，通过设置第一结构310，便于制作以及调整得到有机层400，如此，可以结合调整有机层400的厚度，使得整体封装结构厚度对比于前述一些相关实施例中所示意出的整体封装结构厚度更低。而通过设置第二结构410，可以进一步提高封装结构的阻水氧能力。由此，提高了封装结构的使用寿命以及可靠性。
124.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
125.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。