技术特征：
1.一种薄膜晶体管，包括基板以及位于所述基板上的金属氧化物有源层和源、漏极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：阻氢层，位于所述基板与所述金属氧化物有源层之间；在所述基板上，所述金属氧化物有源层的正投影位于所述阻氢层的正投影内，且所述阻氢层的投影面积与所述金属氧化物有源层的投影面积的比例大于1且小于或等于1.3。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻氢层的边缘与所述金属氧化物有源层的边缘的间距大于2um且小于或等于4um。3.根据权利要求1-2中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻氢层至少包括一层金属阻氢层，用于遮挡照射至所述金属氧化物有源层的光线。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻氢层还包括氧化物半导体阻氢层，所述氧化物半导体阻氢层与所述金属阻氢层层叠设置；在所述基板上，所述金属氧化物有源层的正投影与所述金属阻氢层的正投影重叠，并位于所述氧化物半导体阻氢层的正投影内；所述氧化物半导体阻氢层的投影面积与所述金属氧化物有源层的投影面积的比例大于1且小于或等于1.3。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体阻氢层的材料包括氧化锡或氧化镓。6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体阻氢层位于所述金属阻氢层远离所述金属氧化物有源层的一侧。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：栅极，其中，所述栅极为一个，所述栅极位于所述金属氧化物有源层远离所述阻氢层的一侧，且位于所述源、漏极之间；或者，所述栅极为一个，且为所述阻氢层；或者，所述栅极为两个，一所述栅极位于所述金属氧化物有源层远离所述阻氢层的一侧，且位于所述源、漏极之间，另一所述栅极为所述阻氢层。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻氢层包括底边阻氢层和侧边阻氢层，所述底边阻氢层与所述基板接触，所述底边阻氢层与所述侧边阻氢层的延伸方向不同，且二者相交。9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板包括氧化硅层和氮化硅层，所述氮化硅层位于所述氧化硅层远离所述金属氧化物有源层的一侧。10.一种显示装置，包括：驱动单元和显示单元，所述驱动单元与所述显示单元电连接；其特征在于：所述驱动单元包括如权利要求1-9中任一项所述的薄膜晶体管。
技术总结
本公开涉及一种薄膜晶体管和显示装置，薄膜晶体管包括基板以及位于所述基板上的金属氧化物有源层和源、漏极，所述薄膜晶体管还包括：阻氢层，位于所述基板与所述金属氧化物有源层之间；在所述基板上，所述金属氧化物有源层的正投影位于所述阻氢层的正投影内，且所述阻氢层的投影面积与所述金属氧化物有源层的投影面积的比例大于1且小于或等于1.3。本公开方案有利于降低氢离子对金属氧化物有源层的迁移率的影响。迁移率的影响。迁移率的影响。
技术研发人员：何佩杰 郑浩旋
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2022.03.10
技术公布日：2022/6/28