技术特征：
1.一种增强型的led结构，其特征在于，包括：第一导电层(1)和在所述第一导电层(1)上外延生长的发光层(2)；所述发光层(2)包括第一侧边(21)，所述第一侧边(21)具有正向的倾斜坡度，所述第一侧边(21)与所述第一导电层(1)的第一表面(11)形成大于90
°
度的夹角，所述第一表面(11)为所述第一导电层(1)的上表面与所述发光层(2)的下表面的未接触区域；所述第一表面(11)上设置有反射部(3)。2.根据权利要求1所述的增强型的led结构，其特征在于，所述反射部(3)包括凸起部(31)及反射层(32)；所述凸起部(31)为干法刻蚀法制备，所述反射层(32)通过真空镀膜技术制备包裹于所述凸起部(31)朝向所述发光层(2)一侧。3.根据权利要求1所述的增强型的led结构，其特征在于，所述反射部(3)为分布式布拉格反射镜或银镜的至少一种。4.根据权利要求1所述的增强型的led结构，其特征在于，所述反射部(3)上半部为柱形或锥形结构的至少一种。5.根据权利要求1所述的增强型的led结构，其特征在于，所述第一侧边(21)与所述第一表面(11)接触处与所述反射部(3)朝向所述发光层(2)一侧距离大于1微米。6.根据权利要求1所述的增强型的led结构，其特征在于，所述第一侧边(21)与所述第一导电层(1)的第一表面(11)夹角范围为120
°‑
180
°
。7.根据权利要求1所述的增强型的led结构，其特征在于，还包括衬底层(4)和第二导电层(5)；所述衬底层(4)连接于所述第一导电层(1)的下表面设置；所述第二导电层(5)在所述发光层(2)的上表面外延生长；所述第二导电层(5)包括第二侧边(51)，所述第二侧边(51)与所述第一侧边(21)的正向倾斜坡度保持一致。8.根据权利要求7所述的增强型的led结构，其特征在于，所述衬底层(4)包括：硅衬底、蓝宝石衬底、钽铝酸锶镧衬底以及镓酸锂衬底的至少一种。9.根据权利要求7所述的增强型的led结构，其特征在于，所述第一导电层(1)为n-gan层，所述第二导电层(5)为p-gan层。10.根据权利要求1所述的增强型的led结构，其特征在于，所述第一侧边(21)与所述第一导电层(1)的第一表面(11)形成的夹角通过干法刻蚀法或湿法刻蚀法制备。
技术总结
本申请示出一种增强型的LED结构，包括：负极导电层和在负极导电层上外延生长的发光层；发光层包括第一侧边，第一侧边具有倾斜坡度，第一侧边与第一导电层的第一表面形成大于90度的夹角，第一表面为第一导电层的上表面与所述发光层的下表面之间的未接触区域；第一表面上设置有反射部。本申请示出的技术方案，能够在MESA台面形成梯形坡度，光在反射部与第一侧边之间相互反射，提升侧向光的出光效率，增大LED的发光效率，增强LED发光的强度。增强LED发光的强度。增强LED发光的强度。
技术研发人员：曹玉飞 褚志强 林潇雄
受保护的技术使用者：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
技术研发日：2022.03.21
技术公布日：2022/6/14