技术特征：
1.一种gan基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上外延生长n型gan层；在所述n型gan层上外延生长多量子阱层；采用脉冲方式间隔性地向反应室通入mg源，在所述多量子阱层上形成预处理层，所述预处理层为mg金属层；在所述预处理层上外延生长p型gan层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用脉冲方式通入mg源时，控制通入mg源的时间与停止通入mg源的时间之比为3:1至10:1。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，通入mg源的总时间为60s至1000s。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通入mg源时，控制反应室内的温度为700℃至800℃。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通入mg源时，控制反应室内压力为200torr至600torr。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通入mg源的mg浓度为1
×
10
19
cm-3
至1
×
10
21
cm-3
。7.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上外延生长n型gan层之前，包括：在所述衬底上生长aln缓冲层；在纯氢气的气氛下对所述aln缓冲层进行热处理，热处理的温度为1100℃至1200℃。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在纯氢气的气氛下对所述aln缓冲层进行热处理之后，包括：在生长温度为1000℃至1100℃，生长压力为100torr至500torr的条件下，生长三维gan缓冲层。9.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述预处理层上外延生长p型gan层包括：向反应室通入mg源，在生长温度为600℃至800℃，生长压力为200torr至500torr的条件下，生长第一p型gan层；在生长温度为700℃至1000℃，生长压力为100torr至500torr的条件下，在所述第一p型gan层生长电子阻挡层；向反应室通入mg源，在生长温度为800℃至1000℃，生长压力为200torr至600torr的条件下，在所述电子阻挡层上生长第二p型gan层；在生长温度为850℃至1000℃，生长压力为100torr至300torr的条件下，在所述第二p型gan层上生长p型接触层。10.一种gan基发光二极管外延片，其特征在于，所述gan基发光二极管外延片包括依次层叠在衬底(10)上的n型gan层(21)、多量子阱层(30)、预处理层(40)和p型gan层(50)；所述预处理层(40)采用脉冲方式间隔性地向反应室通入mg源形成，所述预处理层(40)为mg金属层。
技术总结
本公开提供了一种GaN基发光二极管外延片的制备方法和外延片，属于光电子制造技术领域。该GaN基发光二极管外延片的制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上外延生长n型GaN层；在所述n型GaN层上外延生长多量子阱层；采用脉冲方式间隔性地向反应室通入Mg源，在所述多量子阱层上形成预处理层，所述预处理层为Mg金属层；在所述预处理层上外延生长p型GaN层。本公开实施例能改善在p型GaN层中掺杂Mg时，因Mg的记忆效应导致掺杂浓度较低的问题，提升发光二极管芯片的发光效率。极管芯片的发光效率。极管芯片的发光效率。
技术研发人员：洪威威 陆香花 肖云飞 李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2022.03.25
技术公布日：2022/8/1