一种5G大功率低互调宽带负载的制作方法

一种5g大功率低互调宽带负载
技术领域
1.本发明涉及移动通信设备技术领域，尤其涉及一种5g大功率低互调宽带负载。


背景技术：

2.随着5g移动通信的快速发展，通信系统中载波数量和功率不断增加的同时，对设备的互调要求也越来越高，作为通信系统中的功率吸收装置，低互调负载正变得越来越重要。目前常见的低互调负载中，一种是线缆绕组式负载，其原理是通过线缆的自然衰落来实现负载特性；另一种是电阻式负载，电阻材料放置于不同波段的射频电路结构中形成相应频率的负载。
3.针对较为常见的线缆绕组式负载，线缆一端通常连接到接头上，通过接头和外部通信系统连接。传统的负载设计是线缆直接与接头焊接，接头通常包括外壳和线缆内芯，线缆内芯跟线缆焊接后，再压接到接头外壳。但接头由于需要在低温、潮湿、空气中含盐比较多的使用环境中，为保证接头外观良好、防止氧化并能满足盐雾测试的要求，通常采用电镀三元合金在接头表面形成三元合金电镀层。但线缆在与具有三元合金电镀层的接头焊接时，会出现融锡不充分，焊接不牢的情况，最终导致三阶互调指标不良，影响负载的使用效果。


技术实现要素：

4.为克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种5g大功率低互调宽带负载，连接器和同轴电缆连接稳定，保证负载的三阶互调指标在各个频段上都有良好表现。
5.为了达到以上目的，本发明采用的技术方案是：一种5g大功率低互调宽带负载，包括壳体、同轴线缆和连接器，其中所述壳体内限定形成腔体；所述同轴线缆盘绕在腔体内，且一端与连接器连接，所述同轴线缆用于传输和吸收入射功率；所述连接器用于接收外部的入射功率，所述连接器包括同轴设置的连接头和转接头，所述连接头穿过壳体并与壳体固定连接，且所述连接头位于腔体内的端部与转接头连接，所述同轴线缆的线缆内芯穿过转接头与连接头焊接固定，所述同轴线缆的浸锡编织层与转接头焊接固定。
6.本发明的有益效果在于：分体式的连接头和转接头，连接头与电缆内芯焊接，转接头和浸锡编织层焊接，连接稳定，保证三阶互调指标在各个频段上均有良好表现。
7.进一步来说，所述连接头与线缆内芯的焊接部分、转接头与浸锡编织层的焊接部分均通过电镀银形成镀银层。两个焊接处均电镀银形成镀银层，可以充分融锡，提高焊接稳定性。
8.进一步来说，所述连接头包括一体成型的接头内芯和外壳，所述接头内芯设置在外壳内且和外壳同轴设置，所述外壳固定在壳体上，所述接头内芯与外壳的内壁间留有间隙，所述接头内芯和线缆内芯焊接。连接头采用由接头内芯和外壳组成的一体结构，外壳和壳体固定，实现充分接地，通过接头内芯与线缆内芯固定，实现功率传输。
9.进一步来说，所述接头内芯包括位于腔体内部的内连接部，所述内连接部自其靠
近转接头的端部开设有供线缆内芯插入的固定槽，线缆内芯插入固定槽内并焊接固定在固定槽内。固定槽在固定线缆内芯的同时，增大与线缆内芯的接触面积，保证功率的传输。内连接部上还开设有与固定槽导通的灌锡口一，焊锡从灌锡口一导入，实现焊接。
10.进一步来说，所述转接头包括依次连接且同轴设置的连接部和焊接部，连接部套设在连接部外且与连接头螺纹连接，可快速装卸转接头。所述焊接部开设有供同轴线缆穿过的通道，且所述焊接部和浸锡编织层焊接，所述连接部上开设有与通道连通的保护腔。保护腔有效保护同轴线缆，避免转动发生折断等情况。
11.进一步来说，所述连接部的外壁为多边形结构，优选为六边形，便于从各个角度着力转动连接部。
12.进一步来说，所述同轴线缆的另一端焊接固定有低互调片式负载，所述低互调片式负载接地。低互调片式负载用于吸收功率，低互调片式负载的工作频率是dc-6(ghz),采用此低互调片式负载可以有效吸收同轴线缆衰减不掉的信号，保证本负载的工作频带从0hz开始，扩展了工作频带宽度。同时由于低互调片式负载能吸收部分功率，也避免了盘绕过多的同轴线缆，节约了空间，降低了成本。
13.进一步来说，所述腔体内还固定有绕线柱和线缆挡板，所述绕线柱固定在壳体的底板上，所述线缆挡板固定在绕线柱上端面，所述同轴线缆盘绕在绕线柱上，且位于底板和线缆挡板之间。绕线柱和线缆挡板设置，便于同轴线缆盘绕。
14.进一步来说，还包括散热装置，所述散热装置包括上散热片和下散热片，所述上散热片固定在壳体的上端开口处，所述下散热片固定在壳体的下端面并与壳体的底板抵接。上下两个散热片，从上下两侧对负载进行散热，保证负载在长时间工作下的散热。
15.进一步来说，所述上散热片和壳体之间设置有密封两者连接处的第二密封圈，所述连接器和壳体之间设置有密封两者连接处的第一密封圈。壳体的开口处均设置有密封圈，第一密封圈和第二密封圈提高了负载的防水性，避免负载在使用过程中进入水分，影响使用。
附图说明
16.图1为本发明实施例的立体结构示意图；
17.图2为本发明实施例的剖视图；
18.图3为本发明实施例的爆炸图；
19.图4为本发明实施例中连接器与同轴线缆的连接状态剖视图；
20.图5为图4中a处放大图；
21.图6为本发明实施例中连接头的立体结构示意图；
22.图7为本发明实施例中连接头的剖视图；
23.图8为本发明实施例中转接头的立体结构示意图；
24.图9为本发明实施例中转接头的剖视图；
25.图10为本发明实施例中同轴线缆的立体结构示意图。
26.图中：
27.1、壳体；11、腔体；2、同轴线缆；21、线缆内芯；22、浸锡编织层；23、介质层；3、连接器；31、连接头；311、接头内芯；3111、内连接部；3111a、固定槽；3111b、灌锡口一；3112、外连
接部；312、外壳；3121、连接盘；32、转接头；321、连接部；3211、保护腔；322、焊接部；3221、通道；3222、灌锡口二；4、低互调片式负载；5、绕线柱；6、线缆挡板；61、线缆让位槽；71、上散热片；72、下散热片；81、第二密封圈；82、第一密封圈。
具体实施方式
28.下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
29.参见附图1所示，本发明的一种5g大功率低互调宽带负载，包括壳体1、同轴线缆2和连接器3。壳体1内限定形成腔体11，同轴线缆2盘绕在腔体11内，且一端与连接器3连接，同轴线缆2用于传输和吸收入射功率。同轴线缆2采用rg-402射频线缆。连接器3贯穿壳体1并与壳体1固定连接，连接器3用于接收外部的入射功率。
30.参见附图3所示，壳体1包括一体成型的底板和侧壁，底板和侧板之间限定形成腔体11，连接器3固定在一个侧壁上，侧壁上开设有供连接其穿过的通孔。
31.参照附图10所示，同轴线缆2包括自内而外依次同轴设置的线缆内芯21、介质层23和浸锡编织层22，为了便于同轴线缆2的连接，切割同轴线缆2，让介质层23的端部延伸出浸锡编织层22，线缆内芯21的端部延伸出介质层23。线缆内芯21、介质层23和浸锡编织层22形成阶梯结构。
32.参照附图2和4所示，连接器3包括同轴设置的连接头31和转接头32，连接头31和转接头32均采用黄铜材质，连接头31和转接头32可拆卸连接。连接头31穿过壳体1，且连接头31位于腔体11内的端部与转接头32连接。转接头32上开设有供同轴线缆2穿过的通道3221，同轴线缆2的线缆内芯21穿过通道3221与连接头31焊接固定，同轴线缆2的浸锡编织层22与转接头32焊接固定。连接头31和转接头32分别与线缆内芯21、浸锡编织层22焊接的部分电镀银形成镀银层。镀银层可以充分融锡，提高同轴线缆2焊接的稳定性，保证三阶互调指标在各个频段上都有良好的表现。
33.参照附图6和7所示，连接头31包括一体成型的接头内芯311和外壳312，接头内芯311设置在外壳312内且和外壳312同轴设置，外壳312固定在壳体1上。由于壳体1时接地，与外壳312固定的壳体1也就实现了充分接地，接头内芯311和线缆内芯21焊接。
34.接头内芯311包括位于腔体11内部的内连接部3111和位于腔体11外部的外连接部3112，内连接部3111与线缆内芯21焊接，外连接部3112与外部设备连接。内连接部3111和外连接部3112的外壁与外壳312的内壁之间均留有间隙。外壳312内固定有固定部，内连接部3111和外连接部3112分别固定在固定部的两侧。
35.参见附图7所示，内连接部3111的一端与外壳312固定，另一端延伸出外壳312，延伸出外壳312的内连接部3111自其端部开设有供线缆内芯21插入的固定槽3111a。参见附图5所示，线缆内芯21插入固定槽3111a内并焊接固定在固定槽3111a内。内连接部3111延伸出壳体1，便于线缆内芯21焊接。内连接部3111上开设有与固定槽3111a导通的灌锡口一3111b，焊锡从灌锡口一3111b导入，便于内连接部3111和线缆内芯21焊接。镀银层电镀在内连接部3111表面。
36.固定槽3111a的直径小于介质层23的外径，介质层23的端部能与内连接部3111的端部抵接。将线缆内芯21插入固定槽3111a，当介质层23的端部与内连接部3111抵接，即表
示插接到位，可以开始焊接。
37.参照附图8所示，转接头32包括依次连接且同轴设置的连接部321和焊接部322，连接部321套设在外壳外且与连接头31连接，通道3221开设在焊接部322内，且连接部321上开设有与通道3221连通的保护腔3211，内连接部3111的端部能延伸入保护腔3211内。保护腔3211能保护位于其内的线缆内芯21。
38.参见附图5和9所示，浸锡编织层22与焊接部322焊接，镀银层电镀在焊接部322表面。焊接部322上开设有与通道3221导通的灌锡口二3222，焊锡从灌锡口二3222导入，便于内连接部3111和线缆内芯21焊接。
39.为了便于实现转接头32和连接头31的快速拆装，连接头31和转接头32通过螺纹连接。连接部321上设置有内螺纹，位于腔体11内的外壳312上设置有与内螺纹匹配的外螺纹。
40.组装时，同轴线缆2和连接其组装时，将连接头31固定在壳体1上，实现连接头31接地。同轴线缆2盘绕在腔体11后，同轴线缆2穿过转接头32，将线缆内芯21与连接头31的内连接部3111焊接固定。然后转动转接头32，将转接头32固定在连接头31上，保证转接头32、连接头31和外壳312接地完整。最后将浸锡编织层22与转接头32的焊接部322焊接。由于焊接部322和内连接部3111两个焊点都是电镀银之后的焊接，融锡充分，提高了三阶互调指标，保证了整个负载的三阶互调＜-165dbc(2*43db)，电压驻波＜1.2，功率达到200w。同时线缆延伸出浸锡编织层22的介质层23位于保护腔3211内，延伸出介质层23的线缆内芯21位于固定槽3111a内，有效保护了线缆内芯21，避免折断，提高了稳定性。
41.在一个实施例中，为了便于转动转接头32，实现转接头32和连接头31的快速螺纹连接，连接部321的外壁为多边形结构，可为三角形、四边形、六边形等结构，便于手部着力，从多个角度转动连接头31。参见附图8所示，此时连接部321外壁为六边形结构，便于从多角度施力，转动转接头32。
42.在一个实施例中，为了限定转接头32与连接头31之间的距离，连接部321的内壁设置有凸环，当凸环与外壳312的端部抵接时，无法再转动转接头32，表示转接头32旋转到位，完成与连接头31的装配。
43.在一个实施例中，参见附图6所示，外壳312的外壁沿其周向设置有连接盘3121，连接盘3121与壳体1抵接并通过螺栓与壳体1固定连接。为了提高防水效果，连接盘3121与壳体1之间还设置有第一密封圈82，连接盘3121上开设有供第一密封圈82嵌入的第一嵌设槽。第一密封圈82环绕通孔设置，实现连接器3和壳体1间的密封。
44.在一个实施例中，参见附图2和3所示，同轴线缆2的另一端还连接有低互调片式负载4，低互调片式负载4与同轴线缆2焊接固定，且低互调片式负载4接地。为了实现低互调片式负载4的接地，只要低互调片式负载4与接地的壳体1连接即可。低互调片式负载4的工作频率是dc-6(ghz),采用此低互调片式负载4可以有效吸收同轴线缆2衰减不掉的信号，保证本负载的工作频带从0hz开始，扩展了工作频带宽度。同时由于低互调片式负载4能吸收部分功率，也避免了盘绕过多的同轴线缆2，节约了空间，降低了成本。
45.壳体1内还固定有绕线柱5，绕线柱5固定在腔体11的中心位置，同轴线缆2盘绕在绕线柱5上，便于同轴线缆2快速固定在腔体11内。
46.绕线柱5通过螺栓和底板固定连接，绕线柱5采用铝材料，便于导热，将同轴线缆2产生的热量导入了壳体1，进行散热。
47.参见附图1和3所示，壳体1的上端开口处固定有上散热片71，上散热片71盖合在开口处并与壳体1的侧壁通过螺栓固定连接。上散热片71用于散热，包括与壳体1固定连接并的横板和与横板固定连接的若干散热鳍片，散热鳍片垂直设置在横板上，多个散热鳍片平行且间隔设置。上散热片71的设置，可对壳体1内产生的热量进行快速散热。
48.散热片和壳体1之间设置有密封两者连接处的第二密封圈81，第二密封圈81的设置，提高了负载的防水性能。侧壁的上端面开设有供第二密封圈81嵌入的第二嵌设槽。
49.参见附图2和3所示，绕线柱5上端还固定有位于同轴线缆2上方的线缆挡板6，线缆挡板6与上散热片71的横板抵接。线缆挡板6一方面对同轴线缆2起到限位作用，将同轴线缆2限定在线缆挡板6和底板之间。同时线缆挡板6起到热传导作用，将同轴线缆2产生的热量传导到上散热片71上，通过上散热片71进行快速散热。
50.参照附图3所示，线缆挡板6上还还开设有线缆让位槽61，同轴线缆2从线缆让位槽61伸出与连接其连接。
51.在一个实施例中，为了便于低互调片式负载4能的固定，低互调片式负载4能也可固定在线缆挡板6上，即当同轴线沿绕线柱5盘绕完成后，直接将低互调片式负载4能固定在线缆挡板6上，再将线缆挡板6固定在绕线柱5上，实现快速转配。由于线缆挡板6通过绕线柱5与壳体1连接，此时线缆挡板6也是接地状态，即低互调片式负载4能也是接地。
52.在一个实施例中，壳体1的下端还固定有下散热片72，下散热片72的结构和上散热片71的结构相同，对壳体1在上下两侧进行散热，保证负载在长时间工作下的散热。
53.本负载采用的分体式的连接头31和转接头32，两者可快速拆卸。同时，连接头31与电缆内芯焊接，转接头32和浸锡编织层22焊接，两个焊接处均电镀银形成镀银层，可以充分融锡，保证三阶互调指标在各个频段上均有良好表现。
54.以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。