用于双分裂变压器的低压箔式线圈引出线结构的制作方法

1.本实用新型涉及变压器技术领域，具体涉及一种用于双分裂变压器的低压箔式线圈引出线结构。


背景技术：

2.变压器是利用电磁感应的原理来改变交流电压的转换装置，是电力系统变电部分的核心部件。随着风力发电、光伏发电等新能源的兴起，分裂式绕组变压器的应用越来越广泛。分裂式绕组变压器是指每相由一个高压绕组与两个或多个电压和容量均相同的低压绕组构成的多绕组电力变压器。分裂变压器正常的电能传输仅在高、低压绕组之间进行，而在故障时则具有限制短路电流的作用。其中，较为常用的是低压绕组双分裂的轴向分裂变压器，其按照绕组导体结构的不同一般可以分为线绕绕组和箔式绕组。
3.目前，国内大多数生产厂家对于双分裂变压器低压箔式线圈引出线的方式，一般采用单侧双头的出线方式(如图1所示)。这种接线方式需要将引线从线圈的一侧引至另一侧，从而加大了引线的放置空间，而且引线与箱壁的距离相对较近，在变压器运行时会产生较大的杂散损耗；此外，要是引线布局不合理的话，还可能会引起油箱局部过热现象，从而导致绝缘液体老化等质量问题。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种用于双分裂变压器的低压箔式线圈引出线结构，用以克服现有技术中存在的上述问题。本实用新型的用于双分裂变压器的低压箔式线圈引出线结构将设置于上、下低压绕组内外两侧的联结板从低压绕组的内部引出至低压绕组的上端，对比于原来的单侧双头的出线方式，减少了变压器器身与箱壁的距离，缩小了变压器的体积，安装更加方便，而且降低了低压引线引起的杂散损耗，提高了变压器的运行寿命。
5.本实用新型的技术方案：用于双分裂变压器的低压箔式线圈引出线结构，包括铁心、用于支撑铁心的夹件、低压绕组和高压绕组，所述低压绕组和高压绕组均套设于铁心上，所述高压绕组套设于低压绕组的外侧；所述低压绕组沿轴向分裂成对称分布的上低压绕组和下低压绕组；所述上低压绕组的内侧和外侧分别设有一个上低压绕组联结板；所述下低压绕组的内侧和外侧分别设有一个下低压绕组联结板；所述上低压绕组联结板和下低压绕组联结板均向上引出至所述低压绕组的上端，下低压绕组联结板与上低压绕组之间通过绝缘隔开；所述上低压绕组联结板和下低压绕组联结板相对设置。
6.与现有技术相比，本实用新型的用于双分裂变压器的低压箔式线圈引出线结构将设置于上、下低压绕组内外两侧的联结板从低压绕组的内部引出至低压绕组的上端，对比于原来的单侧双头的出线方式，减少了变压器器身与箱壁的距离，使得变压器的内部结构更加紧凑，缩小了变压器的体积，安装更加方便，而且为变压器引线加工提供了便利，有效降低了低压引线引起的杂散损耗，同时避免了油箱局部过热现象，为变压器的可靠运行提供了保障，提高了变压器的运行寿命；此外，双分裂变压器采用双侧单头的出线方式，提高
了器身的美观度，降低了生产成本。
7.作为优化，前述的用于双分裂变压器的低压箔式线圈引出线结构中，所述高压绕组沿轴向分裂成对称分布的上高压绕组和下高压绕组。由此，高、低压绕组均采用轴向分裂式结构，从而使得高、低压绕组工作于完全对称的磁场中，两路二次侧电气参数完全对称平衡，满足了高质量的电能需求，二次侧供电质量得到保障。
8.作为优化，前述的用于双分裂变压器的低压箔式线圈引出线结构中，所述低压绕组可以由铜箔或铝箔绕制而成。此时，低压绕组的匝间电容沿绕组分布均匀，电位梯度小，抗冲击电压能力强。
9.作为优化，前述的用于双分裂变压器的低压箔式线圈引出线结构中，所述上低压绕组联结板和下低压绕组联结板为铜排；所述上低压绕组联结板包括第一内接部和第一外接部，所述第一内接部沿轴向焊接于所述上低压绕组上；所述下低压绕组联结板包括第二内接部和第二外接部，所述第二内接部沿轴向焊接于所述下低压绕组上。铜排与低压绕组之间通过焊接连接，便于操作、生产效率高且生产成本低，同时铜排具有高抗腐蚀性和抗短路的能力。
10.进一步的，所述第一内接部和第一外接部之间设有第一折弯部，且第一内接部和第一外接部平行设置；所述第二内接部和第二外接部之间设有第二折弯部，且第二内接部和第二外接部平行设置。折弯部的设计能够起到避障的作用，从而可以充分利用变压器内部的空间，减小变压器的整体体积，而且具有一定的美观性。
11.进一步的，所述第一内接部的长度大于上低压绕组的高度；所述第二内接部的长度大于低压绕组的整体高度。由此，使得第一内接部能够由上向下伸入到上低压绕组的底端，第二内接部能够由上向下伸入到下低压绕组的底端，从而增大了内接部与低压绕组的接触面积。
12.作为优化，前述的用于双分裂变压器的低压箔式线圈引出线结构中，所述低压绕组的两端和中部均设有绝缘带。从而，保证了上、下低压绕组之间的绝缘性能。
附图说明
13.图1是现有技术中双分裂变压器箔式线圈引出线结构的示意图；
14.图2是本技术实施例中的用于双分裂变压器的低压箔式线圈引出线结构的示意图；
15.图3是本技术实施例中的上低压绕组联结板的示意图；
16.图4是本技术实施例中的下低压绕组联结板的示意图。
17.附图中的标记为：1-铁心；2-夹件；3-低压绕组，301-上低压绕组，302-下低压绕组，303-上低压绕组联结板、3031-第一内接部、3032-第一外接部、3033-第一折弯部，304-下低压绕组联结板、3041-第二内接部、3042-第二外接部、3043-第二折弯部；4-高压绕组，401-上高压绕组，402-下高压绕组；5-绝缘带。
具体实施方式
18.下面结合附图和实施例对本技术作进一步的说明，但并不作为对本技术限制的依据。
19.参见图2至图4，本技术的用于双分裂变压器的低压箔式线圈引出线结构，包括铁心1、用于支撑铁心1的夹件2、低压绕组3和高压绕组4，所述低压绕组3和高压绕组4均套设于铁心1上，所述高压绕组4套设于低压绕组3的外侧；所述低压绕组3沿轴向分裂成对称分布的上低压绕组301和下低压绕组302；所述上低压绕组301的内侧和外侧分别设有一个上低压绕组联结板303；所述下低压绕组302的内侧和外侧分别设有一个下低压绕组联结板304；所述上低压绕组联结板303和下低压绕组联结板304均向上引出至所述低压绕组3的上端，下低压绕组联结板304与上低压绕组301之间通过绝缘隔开(由于低压绕组3比较低，进行绝缘处理比较简单，处理完成后的低压绕组3的尺寸几乎不受影响)；所述上低压绕组联结板303和下低压绕组联结板304相对设置。
20.实施例：
21.本实施例中，所述高压绕组4沿轴向分裂成对称分布的上高压绕组401和下高压绕组402；所述上低压绕组301和下低压绕组302匝数相同，绕向相反；所述上高压绕组401和下高压绕组402匝数相同，绕向相反。由此，高、低压绕组均采用轴向分裂式结构，从而使得高、低压绕组工作于完全对称的磁场中，两路二次侧电气参数完全对称平衡，满足了高质量的电能需求，二次侧供电质量得到保障。
22.本实施例中，所述低压绕组3由铜箔绕制而成，每层铜箔之间设置多个绝缘撑条。此时，低压绕组3的匝间电容沿绕组分布均匀，电位梯度小，抗冲击电压能力强。
23.参见图3和图4，本实施例中，所述上低压绕组联结板303和下低压绕组联结板304通过铜排折弯成型；所述上低压绕组联结板303包括第一内接部3031和第一外接部3032，所述第一内接部3031沿轴向焊接于所述上低压绕组301上；所述下低压绕组联结板304包括第二内接部3041和第二外接部3042，所述第二内接部3041沿轴向焊接于所述下低压绕组302上(设于内、外两侧的第一内接部3031分别与上低压绕组301的铜箔的始端和末端焊接连接，设于内、外两侧的第二内接部3041分别与下低压绕组302的铜箔的始端和末端焊接连接)。铜排与低压绕组3之间通过焊接连接，便于操作、生产效率高且生产成本低，同时铜排具有高抗腐蚀性和抗短路的能力。
24.进一步的，所述第一内接部3031和第二内接部3041呈弧形结构，由此，使得铜排的内接部可以与低压绕组3的内、外侧相伏贴，在低压绕组3绕制完成后，铜排不会超出低压绕组3的圆弧，从而可以在一定程度上降低制造成本，同时使得低压绕组3的外观更加美观。
25.进一步的，所述第一内接部3031和第一外接部3032之间设有第一折弯部3033，且第一内接部3031和第一外接部3032平行设置；所述第二内接部3041和第二外接部3042之间设有第二折弯部3043，且第二内接部3041和第二外接部3042平行设置。折弯部的设计能够起到避障的作用，从而可以充分利用变压器内部的空间，减小变压器的整体体积，而且具有一定的美观性；可以根据变压器的实际情况设计折弯角度。
26.进一步的，所述第一内接部3031的长度大于上低压绕组301的高度；所述第二内接部3041的长度大于低压绕组3的整体高度。由此，使得第一内接部3031能够由上向下伸入到上低压绕组301的底端，第二内接部3041能够由上向下伸入到下低压绕组302的底端，从而增大了内接部与低压绕组3的接触面积，而且此时电阻相对更小，从而提升了传导性，降低了损耗。
27.本实施例中，所述低压绕组3的两端和中部均设有绝缘带5。从而，保证了上、下低
压绕组之间的绝缘性能。绝缘带5可以采用玻璃纤维带等玻璃纤维制品。
28.上述对本技术中涉及的实用新型的一般性描述和对其具体实施方式的描述不应理解为是对该实用新型技术方案构成的限制。本领域所属技术人员根据本技术的公开，可以在不违背所涉及的实用新型构成要素的前提下，对上述一般性描述或/和具体实施方式(包括实施例)中的公开技术特征进行增加、减少或组合，形成属于本技术保护范围之内的其它的技术方案。