专利名称：半导体加速度传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及包括半导体加速度传感器的半导体器件，该半导体加速度传感器用诸如硅的半导体晶体的压力电阻效应而将位移转变成电信号。
图4展示出由由日本未审特许公开平1-302167公开的用微切削加工制造的半导体加速度传感器。悬梁21在支承体24附近由腐蚀形成的槽23，因而在此形成薄的部分22。在构成桥式电路的传感器的顶表面上形成压敏电阻器2。
悬梁的末端加有砝码4。
如
图10所示，日本审查的实用新案公开平3-20780公开了用电镀法制成的金属砝码的实例。
而且，图15展示了日本未审查的特许公开平5-312827公开的半导体加速度传感器。悬梁传感器元件1在支承体24附近由腐蚀形成的槽23，因而，形成了薄的部分22。构成桥式电路的传感器顶表面上形成有压敏电阻器2c、2d和2e。用作参考电阻器的压敏电阻器2b和2d位于支承体24上。用于检测薄部分22的形变量的可变电阻器的压敏电阻器2a和2c设置成垂直于参考电阻器。
设置接收加速度的悬梁的传感器元件1时，压敏电阻器2a和2c的阻值增大。压敏电阻器2a和2c之间的电阻值之差，以及参考电阻器2c与2f之间的电阻值之差引起相应于加速度的电压。该电压叠加到通过布线116而在外部设置的半导体集成电路衬底110上，它进行诸如将极小电压放大和温度补偿的信号处理。
而且，图16展示了日本未审特许公开平6-331647所公开的用微切削加工制成的悬梁传感器元件1的实例。本例中，传感器元件1的悬梁周围边框113上形成有诸如检测电路和EEPROM的信号处理电路，以补偿传感器的输出特性。
如图4所示，普通半导体加速度传感器中，构成桥式电路的表面上设置有检测加速度用的一组压敏电阻器。
加速度传感器中，除检测轴方向以外的其它方向的灵敏度应降低。上述的典型传感器结构，不测试灵敏度降低的其它轴方向。
传感器固定至底座上时，从传感器的斜角，砝码的重力中心与传感器元件之间偏差和其它因素得出其它轴向的灵敏度。
日本未审查的实用新案公开昭61-102871(见图5)所公开的传感器中，传感器元件的悬梁21端部的上下表面上均设置有砝码4，所以两个砝码的重力中心与悬梁的重力中心在厚度方向是完全重合的。砝码4的传感器元件1的重力中心的这种重合对其位置关系是非常重要。
加砝码4的方法中，砝码4必须位于有压敏电阻器的传感器元件的重力中心。但是，由于传感器元件上的扭应力增大和除检测轴外的其它方向也检测到了加速度，而使砝码4的位置偏差损坏了特性。这是加速度传感器的其它轴的灵敏特性。检测轴以外的其它方向中的加速度检测引起错误动作。
如上所述，就加速度传感器的特性而言，传感器元件不应受扭应力等因素的影响。
此外，普通加速度传感器中，用粘接等方式将砝码连接到传感器元件的端部。这样出现的主要问题是，增加了制造工艺步骤和传感器元件与砝码的重力中心之间出现位置偏差。因此，很重要的一点是如何减少砝码与传感器之间的位置偏差。
再来看半导体加速度传感器的另一方案。为提高传感器的功能性，必须将用作信号处理的半导体集成电路衬底110连到传感器的输出端。
通常，加速度传感器输出的电加速度位置引起的电压为几毫伏。因此，应与放大电路111连接。而且，由于由压力敏电阻器构成的应变敏感部分会出现温度变化，因此，必须有温度补偿电路。
通常，传感器元件1和信号处理用的半导体集成电路彼此相邻设置，并用布线使其连在一起。这种情况下，由于拾取很小信号，因而可能通过布线116而将噪声叠加到信号上。
本发明的目的是减少这类噪声。而且，本发明还打算用半导体集成电路衬底110作支承件24，而不需用普通的支承件24的材料，从而使生产成本降低。
日本来审查的特许公开昭4-6471中所公开的实例，由于加速度而引起的悬梁传感器元件1的压敏电阻器的电压变化加到半导体集成电路衬底110，在另一端设置有砝码4并装有放大电路111，在半导体集成电路衬底110中进行信号处理。悬梁2和半导体集成电路衬底110经凸点3相互连接。本例示于图17中。该方法中，由于半导体集成电路衬底110处理极小的高频信号，同样会出现噪声。
而且，如图16的顶视图所示，日本未审查的特许公开平6-331647中公开的实例，在传感器元件1的四周形成信号处理电路112。这种情况下，用腐蚀法形成作为传感器元件1的悬梁，而在周围形成的半导体集成电路不被腐蚀。这就是说，制造步骤增加，因此不利于降低制造成本。并且，生产合格率下降。
为克服上述缺陷，本发明的目的是，将传感器元件1和用于信号处理的半导体集成电路衬底110不用布线116的直接接合在一起，以降低噪声的具有高性能，并用半导体集成电路衬底110作支承件24以减少生产成本。
为克服上述缺陷，在半导体晶片的两面上形成压敏电阻器，输出端8和其它元器件的图形，在两面上设置加速度检测装置构成传感器元件使其彼此相对。每一面上的加速度检测装置构成桥式电路，从两面的输出要平均，由此可减少扭应力，使加速度传感器的其它轴的灵敏特性优异。
结果，能解决提高砝码4的固定精度和连接精度的问题。因此，能以高合格率供给价格低廉的半导体加速度传感器。
而且，由于能在半导体衬底的两边(前边和后边)上形成图形，在垂直于加速度检测面的两个侧面上构成砝码，由此，使传感器元件和砝码的重力中心位置相互重合。这种结构能防止从其它轴检测加速度。
而且，为克服上述缺陷，固定传感器元件，使包括压敏电阻器的矩形平行六面体结构直接固定到由半导体晶片构成的半导体集成电路衬底上。按此方式，用半导体集成电路衬底作支承传感器用的支承体24，就能供给抗噪声，高精度；另件数量少和价格低廉的半导体器件。
而且，按本发明，有压敏电阻器的矩形平行六面体传感器元件的面经凸点接到半导体集成电路。这允许容易地检测水平加速度。
图1A-1D是按本发明的半导体加速度传感器的平面图；图2A-2C是说明按本发明的半导体加速度传感器的抽出方法的抽出过程示意图；图3A-3B是说明按本发明的半导体加速度传感器的制造方法的工艺示意图；图4是普通半导体加速度传感器的结构透视图；图5是普通半导体加速度传感器的结构局部示意图；图6是按本发明的半导体加速度传感器的电路图；图7是按本发明的半导体加速度传感器的输出特性曲线图；图8是普通的半导体加速度传感器的输出特性曲线图；图9A-9E是按本发明半导体加速度传感器的平面图；图10A-10C是普通半导体加速度传感器的透视图和局部图；图11A-11C是说明按本发明半导体加速度传感器的制造方法的工艺图；图12是按本发明的半导体加速度传感器的输出特性曲线图；图13是按本发明的半导体加速度传感器的结构透视图；图14是普通半导体加速度传感器的封管透视图；图15是普通半导体加速度传感器的结构透视图；图16是普通半导体加速度传感器的结构顶视图；图17是普通半导体加速度传感器的结构局部示意图；图18C-18C是按本发明的半导体加速度传感器的制造方法的工艺图；图19A-19C是按本发明的半导体加速度传感器的制造工艺图。
以下将详细说明优选实施例。
参见图1用具体方式说明本发明结构。图1A是按本发明的加速度传感器的右视图；图1B是其顶视图；图1C是正视图；图1D是左视图。半导体加速度传感器是从半导体晶片10切割出来的形成有压敏电阻器2，输出端8等的矩形平行六面体结构。该结构体以下称为传感器元件1。压力敏电阻器2，输出端8等的图形构成在传感器元件1的侧面上；布，压敏电阻器2和输出端8位于两个侧面上。本例中，压敏电阻器2是P-型压力敏电阻器2。凸点3用于输出电信号，它形成在输出端8上。本例中，形成金凸点3。传感器元件1的尺寸是，长1为6mm(L1＝4mm，L2＝2mm)，宽W为0.6mm。厚是0.12mm。输出端8上的凸点3的尺寸是0.1×0.08mm，高度为0.1mm。
半导体加速度传感器主要由传感器元件1，用于从传感器元件1取出电信号并支承传感器元件1的基体5，提供敏感度的砝码4和封壳20构成。
现在参见图2和3说明制造方法。在半导体晶片10上构成压敏电阻器2和输出端8的图形。构成切割划线、并在输出端8部分上形成金凸点3。在半导体晶片的两面上进行以上步骤。不用说，图2A所示的图形形成中也可形成放大电路，温度补偿电路和其它电路。
之后，用切割机参照划线切出元件。由于每个元件上形成有凸点3，它固定到切割机的工作台上。本例中用蜡固定。当然，顶部可用粘接材料覆盖。如图2B所示，从半导体晶片取出有压敏电阻器2的输出端8的传感器元件1。
提供敏感度的砝码4加到传感器元件1上。本例中，砝码4由硅制成，它最好用与传感器元件1用的材料有相同热膨胀系数的材料如硅制造。需要提高敏感度时，也可用诸如钼的金属。最好用热膨胀系数接近硅的热膨胀系数的粘接材料。
这种状态下，结构放在基体5上。为了从传感器元件1的两个侧面100取出电信号的布线6。在基体5上面形成布线6。本例中，用陶瓷作基体。用金做布线。传感器元件1用粘接剂(未画出)固定到基体5上。本例中，基体5的布线和传感器元件1经各向异性的导电膜而相互连接。各向异性导电膜是其中分散小导电颗粒的粘接剂。置于电极之间的有导电颗粒的各向异性导电膜用热压焊法使其电连接，而保证相邻电极之间绝缘。同时，粘接后达到了机械连接。按此方式，凸点3与外引出端8之间经导电颗粒而实现导电。由于该方法使传感器1在图2C和3D所示阶段中无机械应力，因此是优异的。
传感器元件1连到基体5上的结构安装在电路板上。电路板上设置有从传感器元件1的两个侧面100提取信号的电路，并消除了因扭应力而产生的位错。因此本例的结构封壳20有衬底的功能。用陶瓷制造封壳20。如图3E所示，电路板上形成用于消除其它轴敏感度的电阻器2。
本例的制造方法中，为了获得有优异性能的半导体加速度传感器，制造工艺中重要的问题是，如何将砝码4放置在传感器元件1的重力中心，和如何在传感器元件1中使切割面与具有压敏电阻器2的侧面有高度的垂直性。为提高制造稳定性和合格率，必须消除由于重力中心的位置偏差和其它因素造成的扭应力。
发明中，用以下将要说明的电路消除扭应力的影响。
以下参见图6说明本例中用的消除扭应力的电路结构。
由传感器元件1的两侧面上形成的两个桥式电路的输出a和b经电阻器6而互连，信号由输出端8e输出。同样地，输出c和d经电阻器6而互连，信号从输出端8f输出。每个输出信号8e和8f构成为由电阻器6构成的平均部件4使从两个桥式电路输出的信号平均，由此消除扭应力造成的压力敏电阻器2的阻值变化。就各个电阻器的电阻值而言，压敏电阻器2的电阻值为1kΩ，电阻器6的电阻值是10kΩ。即，误差变化量下降1/10。为消除加速度传感器中的扭应力影响，最好设定电阻器6的电阻值是压敏电阻器2的电阻值的5倍以上。
关于电信号的流动，传感器元件1中产生的电信号加到电路板，该电路板往基体5的电极与封装壳关联。电路板设置有电阻器2，本例中电阻器2是片式电阻器。电信号最后经片式电阻器加到封装壳的输出端8。
下面将说明本例的输出结果。图7表示出本例的输出结果。有标记“0”的曲线表示加速度传感器转动时所获得的数据。加速度传感器接收到平均加速度时获得在0°，180°，和360°的最大输出电压。假设作为控制轴的X轴是正弦曲线。另一方面，有标记“△”的Z轴敏感性曲线表示加速度传感器用压力敏电阻器的侧面对着重力方向转动时获得的数据。理想情况下，Z轴敏感度不应引起任何输出。在180°和360°的检测轴的输出敏感度是2V，而当加速度传感器用有压敏电阻器2的面对着平均加速度方向转动时获得的数据是输出敏感度为20mV，它是检测轴输出敏感度的1％，这表示其它轴敏感度特性优异。
图8是不进行本例的电路处理获得的值，若其它轴敏感度值为10％，这表示本发明的电路处理有效。
关于其它轴的敏感度特性，以在角度检测为基础进行图像处理的装置中，如在仿真装置中，检测不必要的方向中的加速度会出问题，如会出现图像斜移的错误动作。在气袋之类的救生装置中也会出现其它轴敏感度特性差引起的错误动作。
之后，将说明为改善其它轴敏感性和简化制造工艺而采用的构形。
以下将用具体方式说明砝码形成在垂直于接收加速度的表面上的本发明的构形。首先，关于制造方法，半导体加速度传感器是从半导体晶片10切割出来的，并形成有压敏电阻器2，输出端8等的矩形平行六面结构。在传感器元件1的侧面上构成压力敏电阻器2，输出端8等的图形。本发明中，在半导体10的两个表面上形成要成为压敏电阻器2、凸点3和砝码4的金属。用切割机切割出传感器元件1。传感器元件1构成为某侧面上形成有压敏电阻器，输出端8和砝码4的构形。砝码和用作输出端8的凸点3的形成方法相同。尽管金是用镀金法形成的，但也能用适当的焊接法形成金。
参见图9说明本发明的构形。图9B是顶视图，9D和9E是侧视图，9A和9C是正视图。
关于传感器元件1的尺寸，长为10mm(传感器部分为7mm，支承件为3mm)，宽W是0.6mm，厚0.25mm。关于两个侧面上形成的砝码的形状，长为4mm，宽为0.2mm，高为0.02mm。砝码重2.4mg。注意，硅悬梁部分重1.8mg，用作砝码的金凸点重0.6mg。
发明中，压敏电阻器是P型压敏电阻器2。输出端8上形成用于输出电信号的凸点3。
以下参见图11说明按本发明的切割方法。半导体晶片的两个表面上有凸点，用切割机切割元件有切屑。固定边上切屑特别明显本发明中，为减少切屑而制成了切割夹具201，如图11A所示。夹具是有槽的平板。如图11B所示，输出端8的金凸点和砝码部分插入槽中的状态下能有效地固定。用蜡将半导体晶片10固定到切割夹具201。由于用该方法固定半导体晶片，可在无切屑的情况下切割传感器元件。在以后的工艺步骤中，不用努力，本方法就能极有效的安装砝码。而且，作为检测部分的压力敏电阻器形成在对着加速度方向的侧面上，所提供的构形的优点是不受其它轴的影响。
用本发明的加速度传感器，用加速度为30G测试输出电压特性。图12表示出测得的输出电压特性。加速度为30G测得的输出电压是0.15mV/G。用放大电路放大该电压，该传感器能用作气袋用的碰撞检测传感器。
本方法能容易地制成加速度传感器，用该方法能使砝码形成在接收加速度的两个侧面上。
之后，将说明实施例，实施例中用半导体集成电路衬底110作支承件制造半导体加速度传感器。
以下参见图13说明实施例。
图13是按本发明的半导体加速度传感器的透视图。
图13所示的半导体加速度传感器的构形，是用压敏电阻器2、输出端8等构成的从半导体晶片10切割出的矩形平行六面体。该体以后称作传感器元件。砝码4粘到传感器元件1。与支承件24构成电接触的凸点3形成在输出端8上。凸点3是金凸点或焊料突点。参见图19详细说明制造方法。图19A中，半导体晶片10的表面上构成压敏电阻器2和输出端8的图形。之后，切割半导体晶片10，使压敏电阻器2和输出端8处于同一平面中。因此，获得图19B中的矩形平行六面体传感器元件1。最后，如图19C所示，砝码粘接到矩形平行六面体传感器元件1上。可用切割机切割出半导体晶片10。最好沿确定传感器元件1的外形的划线进行切割，并以划线为标准切割出半导体晶片10。半导体传感器1设置于半导体晶片10中。
本例中，制造用于低加速度的元件。低加速度是指1至2G(1G＝9.8m/S2)。整个元件的尺寸是，长为9mm，(L1＝6mm，L2＝3mm)，宽W为0.6mm，高Z是0.1mm。而且，低加速度用的加速度传感器用于地震检测和仿真等。
形成有砝码4的传感器元件1固定到由半导体集成电路衬底110构成的支承件24上。由于形成有砝码4的传感器元件1的输出电压小，半导体集成电路衬底110具有诸如放大电路111的信号处理功能。半导体集成电路衬底10上形成的引出端使传感器元件1固定到半导体集成电路衬底110，并使传感器元件1的输出端8的凸点3与半导体集成电路衬底110电接触。传感器元件1中响应加速度的悬梁和固定部分构成。为避免扭应力的影响，可将基体连接到固定部分使其加强。本例中，用增强的基体138。为牢固地固定增强基体138，在半导体集成电路衬底110的固定区域中事先形成金的图形。关于连接方法，用各方异性导电膜120实现电连接。各向异性导电膜是其中分散有小导电颗粒的粘接剂。经热压焊，电极间的导电颗粒实现电连接，而确保相邻电极之间绝缘。而且，当加入粘接剂时机械连接起作用。按本方法获得传感器元件1的输出端8的凸点3与作为支承件24的半导体集成电路衬底10的引出端之间的导电。
以下参见图18说明具体的固定方法。图18包括左边的正视图，和右边的侧视图。图18A中，各向异性膜120粘接到半导体集成电路衬底110的输出端8。此时，各向异性导电膜110可用于将增强基体固定到设置于半导体集成电路中的区域112中。
图18B中，从上面安装传感器元件1，传感器元件1的凸点3对着半导体集成电路衬底10的引出端8，从传感器元件1上面加用作凸点5的约100kgf/cm的砝码。在200℃进行回流，同时加砝码，使各向异性导电膜120完全固定，并获得传感器元件1与半导体集成电路之间的电连接。图18C展示出所获得的电连接状态。
其它的固定方法中有熔化焊料凸点3的固定方法，而且，用金-金共晶连接的方法中连接是有效的。
用焊料凸点3的情况下，传感器元件1的输出端8的凸点3对着半导体集成电路衬底110。事先将基体瞬时固定到半导体集成电路衬底110的区域中。用200℃回流将焊料部分熔化，达到电和机械连接。
用共晶连接时，在500℃热压而实现共晶连接。
如图14所示，这样制成的半导体集成电路衬底110封装在外壳115中。为实现与外引线30的电导通，用粘接实现布线116连接。外壳115用陶瓷、塑料等制成。本例中用适于表面贴装的外壳115。最后，表面上设置盖。本例用玻璃盖，以允许进行激光微调(半导体集成电路衬底10有微调电路)。在某些例子中注入油以改善抗冲击性能和频率特性。
本例用矩形平行六面体传感器元件1。结果，用固定到半导体集成电路衬底110的传感器元件能容易地检测水平加速度。在车辆、仪器的气袋系统中传感器用于检测冲击。上述结构的最大优点是，由于传感器对着检测方向，因此不需要考虑安装方法的麻烦了。
关于传感器元件1的特性，与传感器元件连到用于信号处理的外部半导体集成电路衬底110的常规方法相比，减小了噪声。而且，用于信号处理的半导体集成电路衬底110装入外壳115中使其尺寸减小。
本发明的半导体加速度传感器中，信号处理用的半导体集成电路衬底110用作支承体24，而不像普通传感器那样另需额外的支承件，并且经凸点3使支承体连到传感器元件1。结果，用尺寸作用使噪声减小和价格降低。本发明的半导体加速度传感器安装在车辆中时，用作救生用的气袋操作传感器，获得所要求的性能，传感器具有实用性。
具有上述结构的本发明的半导体加速度传感器有以下优点<1>，即使收到了扭应力加速度传感器也能将其消除；因而能制成高精度的其它轴敏感度特性优异的传感器。
<2>由于消除了扭应力的影响，能简化制造工艺，降低制造成本。
<3>用半导体集成电路衬底为支承件，降低了价格。
<4>由于经凸点实现传感器元件与半导体集成电路衬底之间的电连接，能减少噪声。而且，由于用半导体集成电路衬底作支承件，减少了振动影响。
<5>能制成高精度器件。
<6>由于传感器元件是矩形平行六面体，因此，加速度检测方向平行于半导体集成电路衬底的表面，能容易地检测水平加速度。
<7>由于在后面的工艺步骤中不加砝码，因此能按高的位置精度制造有砝码的元件。
<8>砝码能安装在重力中心附近的传感器元件中。
权利要求
1.一种半导体加速度传感器，包括具有检测物理量变化用的变形敏感部分的元件体，支承至少一端固定的元件体用的支承件，使元件体与支承体相互连接用的连接装置，其特征是，所述元件体的各相对面中设置有所述变形敏感部分。
2.按权利要求1的半导体加速度传感器，其特征是，所述变形敏感部分是压敏电阻器。
3.按权利要求1的半导体加速度传感器，其特征是，所述元件体的端部设置有砝码。
4.按权利要求1的半导体加速度传感器，其特征是，在输出端上设置有凸点，该凸点位于所述元件体的两个相对面上。
5.按权利要求1的半导体加速度传感器，其特征是，所述变形敏感部分构成桥式电路，从所述元件体的相对面上设置的所述桥式电路中的输出在平均后输出。
6.按权利要求2的半导体加速度传感器，其特征是，在垂直于加速度接收表面的表面上设置有压敏电阻器。
7.按权利要求5的半导体加速度传感器，用于平均桥式电路输出的电阻器的电阻值是构成所述桥式电路的所述压力敏电阻值的电阻值的5倍。
8.一种半导体加速度传感器，包括具有用于检测物理量变化的变形敏感部分的元件体，至少一端固定元件体到其上的支承件，使元件体和支承件相互连接的连接装置，其特征是，在垂直于所述元件体的加速度接收面的表面上设置有砝码。
9.按权利要求8的半导体加速度传感器，其特征是，在垂直于所述元件体的加速度接收面的两个表面中的每个表面上设置有所述砝码。
10.按权利要求8的半导体加速度传感器，其特征是，所述元件体上设置镀敷砝码。
11.按权利要求8的半导体加速度传感器，其特征是，在垂直于加速度接收面的两个侧面中的每个侧面上在不被支承件支承的元件体的悬梁部分设置所述砝码。
12.按权利要求11的半导体加速度传感器，其特征是，所述砝码有5至100μm厚的金属镀膜。
13.半导体加速度传感器的制造方法，包括以下工艺步骤半导体衬底的至少一个表面上形成压敏电阻器；所述半导体衬底的两个表面上形成金属膜；切割衬底形成元件；和元件安装到支承件上，使有压敏电阻器的元件面平行于加速度方向。
14.按权利要求13的半导体加速度传感器的制造方法，包括形成所述支承件的槽，厚的部分插入槽，并固定到所述支承件。
15.按权利要求13的半导体加速度传感器，包括将蜡插入并固定到槽中。
16.一种半导体加速度传感器，包括具有用于检测物理量变化的变形敏感部分的元件体，至少一端固定元件体到其上的支承件，使所述支承件与元件体相互连接的连接装置，其特征是，所述支承件是半导体集成电路衬底。
17.一种半导体加速度传感器，其特征是，一个具有变形敏感部分并由半导体晶片取出的矩形平行六面体，支承从半导体晶片取出的矩形平行六面体用的支承件，使后者固定到前者，所述支承件是用于固定的由半导体集成电路衬底构成，固定矩形平行六面体的至少一端用的固定装置。
18.按权利要求16或17的半导体加速度传感器，包括设置于相对于加速度接收面的两个侧面中的每个侧面上的所述变形敏感部分。
19.一种半导体器件，包括按权利要求16至18中任一项的半导体加速度传感器，包括设置于所述元件体上在所述支承件的相对端的砝码。
20.按权利要求16至18中任一项的半导体加速度传感器，包括作为固定用的所述支承体的所述装置，它将有变形敏感部分并由所述半导体晶片取出的矩形平行六面体结构固定到所述半导体集成电路衬底，它是由各向异性导电膜构成的。
21.按权利要求16至18中任何一项的半导体加速度传感器，它包括作为固定支承件的所述固定装置。用共晶连接将有变形敏感部分并从所述半导体晶片取出的矩形平行六面体结构有效地连接到所述半导体集成电路衬底。
22.按权利要求16至18中的任何一项的半导体加速度传感器，包括作为所述固定支承件的所述固定装置，是用熔化法而将具有所述变形敏感部分的并由所述半导体晶片取出的矩形平行六面体结构有效地连接到所述半导体集成电路衬底。
23.按权利要求16至18中任何一项的半导体加速度传感器，包括所述半导体集成电路衬底，它有固定所述矩形平行六面体结构体的区域。
全文摘要
一种加速度传感器,在传感器元件的两个相对面上有桥式电路,并平均从桥式电路的输出,防止加速度检测中引入扭力、两个侧面上设置有砝码,使它减少接收来自轴的干扰,用半导体集成电路作支承衬底,以减小噪声,提高合格率。
文档编号H01L29/84GK1172250SQ9711322
公开日1998年2月4日 申请日期1997年4月18日 优先权日1996年4月19日
发明者新荻正隆, 齐藤丰, 加藤健二 申请人:株式会社精工电子研究开发中心