器件处理方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体芯片制造工艺领域，尤其涉及一种器件处理方法。
【背景技术】
[0002]对于某器件，尤其对于垂直双扩散金属-氧化物半导体(VerticalDouble-diffused Metal Oxide Semiconductor,简称 VDMOS)器件来说，其正向导通压降的大小通常与硅基片背面的半导体和背面金属的接触电阻的大小有关。进一步的，当半导体表面的粗糙度过低时，会降低半导体和背面金属的粘附性，导致两者之间的接触电阻较大，进而导致器件的正向导通压降偏大。
[0003]在现有的器件处理方法中，在硅基片背面的表面内形成器件的背面结构和位于所述背面结构表面上的背面金属之前，需对硅基片的背面进行减薄处理和腐蚀清洗处理。对于减薄过程，通常采用切入式减薄。具体的，在减薄过程中，由于减薄机台的特性，会导致硅基片背面表面的某些区域粗糙度较低，进一步的，现有器件处理方法中的腐蚀清洗过程通常采用较快的腐蚀速率，这就致使减薄处理导致的粗糙度本来就较低的区域将更加光滑，进而增大了该区域表面与背面金属的接触电阻，最终导致器件正向导通压降的增大。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种器件处理方法，用于解决现有器件处理方法导致器件的正向导通压降较大的问题。
[0005]本发明提供一种器件处理方法，包括:
[0006]通过切入式减薄工艺，对硅基片的背面进行减薄处理；
[0007]利用腐蚀液，对所述硅基片的背面进行腐蚀清洗处理，其中，所述腐蚀液中氢氟酸:硝酸:醋酸的体积比为(0.7?0.9):(67.9?69.9):31，所述腐蚀清洗处理的时长为预设的时长；
[0008]根据预设的背面工艺流程，形成位于所述硅基片的背面的表面内的背面结构和位于所述背面结构表面上的背面金属。
[0009]本发明提供的器件处理方法，通过在对硅基片的背面进行减薄处理后，利用氢氟酸:硝酸:醋酸的体积比为一定比例的腐蚀液，对硅基片的背面进行腐蚀清洗处理的技术方案，有效提高硅基片背面表面的粗糙度，进而有效减小器件的正向压降，提高器件的正向特性。
【附图说明】
[0010]图1为本发明实施例一提供的一种器件处理方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0011]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0012]图1为本发明实施例一提供的一种器件处理方法的流程示意图，如图1所示，所述方法包括:
[0013]101、通过切入式减薄工艺，对硅基片的背面进行减薄处理。
[0014]具体的，在实际应用中，在进行器件的背面工艺流程之前，通常需要先形成器件的正面结构。则相应的，在101之前，所述方法还可以包括:
[0015]根据预设的正面工艺流程，形成位于所述硅基片的正面的表面内和表面上的正面结构；
[0016]在所述正面结构的表面上形成保护膜。
[0017]其中，所述保护膜的作用是为了在进行背面工艺时，防止对已经形成的器件正面结构造成破坏。可选的，所述保护膜可以为蓝膜。
[0018]102、利用腐蚀液，对所述硅基片的背面进行腐蚀清洗处理，其中，所述腐蚀液中氢氟酸:硝酸:醋酸的体积比为(0.7?0.9):(67.9?69.9):31，所述腐蚀清洗处理的时长为预设的时长。
[0019]具体的，腐蚀液的作用原理包含两个反应步骤，可以分别通过以下两个化学方程式表不:
[0020]Si+4HN03=Si02+2H20+4N02 ;Si02+6HF=H2SiF6+2H20。
[0021]其中，Si为硅的化学式，HNO3为硝酸的化学式，S12为二氧化硅的化学式，H2O为水的化学式，NO2为二氧化氮的化学式，HF为氢氟酸的化学式，H2SiF6为氟硅酸的化学式，所述氟硅酸又称硅氟氢酸。具体的，所述腐蚀液中的所述醋酸能够作为缓冲溶液发挥缓冲作用，其化学表达式为CH3C00H。
[0022]在传统的腐蚀液中，氢氟酸:硝酸:醋酸的体积比通常为1:5:5。相应的，这种传统的腐蚀液的腐蚀速率较快，通常可以达到10微米/分钟(μ m/min),因此，不利于对基片背面的表面粗糙度进行有效控制。
[0023]在本实施例的所述腐蚀液中，降低了氢氟酸的配比，从而降低了腐蚀液的腐蚀速率，同时，提高了硝酸的配比，从而提高了氧化速率。
[0024]相应的，本实施例中的所述腐蚀液的腐蚀速率可以达到1.2 μ m/min，能够有效提高硅基片背面的半导体表面的粗糙度，使得硅基片背面的半导体和背面金属的粘附性更好，从而降低基片背面和背面金属的接触电阻，进而有效减小器件的正向导通压降。
[0025]再具体的，在采用本实施例中所述的腐蚀液，对硅基片背面进行腐蚀清洗处理的过程中，处理的时长可以为100?120秒。
[0026]103、根据预设的背面工艺流程，形成位于所述硅基片的背面的表面内的背面结构和位于所述背面结构表面上的背面金属。
[0027]具体的，在形成位于所述硅基片的背面的表面内的背面结构，并形成位于所述背面结构表面上的背面金属后，则需要去除之前形成在所述正面结构表面上的保护膜，则相应的，在103之后，所述方法还可以包括:
[0028]去除覆盖在所述正面结构表面上的保护膜。
[0029]其中，去除所述保护膜的具体方法在此不再详细阐述。
[0030]本实施例提供的器件处理方法，通过在对硅基片的背面进行减薄处理后，利用氢氟酸:硝酸:醋酸的体积比为一定比例的腐蚀液，对硅基片的背面进行腐蚀清洗处理的技术方案，有效提高硅基片背面表面的粗糙度，进而有效减小器件的正向压降，提高器件的正向特性。
[0031]需要说明的是，在本实施例中，并未对所述器件的器件结构进行限制，相应的，也未对所述器件的正面工艺流程和背面工艺流程进行限制。在实际应用中，凡涉及硅基器件工艺流程中腐蚀清洗处理的方法，均可采用本实施例提供的所述器件处理方法。
[0032]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种器件处理方法，其特征在于，包括: 通过切入式减薄工艺，对硅基片的背面进行减薄处理； 利用腐蚀液，对所述硅基片的背面进行腐蚀清洗处理，其中，所述腐蚀液中氢氟酸:硝酸:醋酸的体积比为(0.7?0.9):(67.9?69.9):31，所述腐蚀清洗处理的时长为预设的时长； 根据预设的背面工艺流程，形成位于所述硅基片的背面的表面内的背面结构和位于所述背面结构表面上的背面金属。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述腐蚀清洗处理的时长为100?120秒。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述通过切入式减薄工艺，对硅基片的背面进行减薄处理之前，还包括: 根据预设的正面工艺流程，形成位于所述硅基片的正面的表面内和表面上的正面结构； 在所述正面结构的表面上形成保护膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据预设的背面工艺流程，在所述硅基片的背面的表面内的背面结构和位于所述背面结构表面上的背面金属之后，还包括: 去除覆盖在所述正面结构表面上的保护膜。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述保护膜为蓝膜。
【专利摘要】本发明提供一种器件处理方法，包括：通过切入式减薄工艺，对硅基片的背面进行减薄处理；利用腐蚀液，对所述硅基片的背面进行腐蚀清洗处理，其中，所述腐蚀液中氢氟酸：硝酸：醋酸的体积比为（0.7～0.9）：（67.9～69.9）：31，所述腐蚀清洗处理的时长为预设的时长；根据预设的背面工艺流程，形成位于所述硅基片的背面的表面内的背面结构和位于所述背面结构表面上的背面金属。通过本发明提供的器件处理方法，能够有效提高基片表面的粗糙度，进而有效减小器件的正向压降，提高器件的正向特性。
【IPC分类】H01L21-306, H01L21-336
【公开号】CN104637805
【申请号】CN201310572265
【发明人】赵圣哲
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月13日