一种静电夹盘的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体加工设备领域，特别涉及一种静电夹盘。
【背景技术】
[0002]在集成电路制造工艺工程中，特别是等离子体刻蚀、物理气相沉积、化学气相沉积等工艺工程中，需要固定、支撑以及传送被加工处理的器件。为了放置被加工处理的器件在加工过程中出现移动或错位现象，通常采用静电夹盘(Electro Static Chunk, ESC)来固定、支撑被加工处理的器件。
[0003]静电夹盘利用静电引力来固定晶片等被加工处理器件。由于静电夹盘采用静电引力的方式而非传统的机械方式来固定被加工处理器件，因此，可以减少传统机械方式中因压力、碰撞等机械原因而对被加工器件所造成的不可修复的损伤，而且能够减少因机械碰撞而产生的颗粒污染。
[0004]在将静电夹盘用于等离子体加工工艺时，射频电源产生的射频功率经位于静电夹盘下方的阴极基座馈入等离子体处理装置的反应腔。然而，在阴极基座的设计中，不可避免地会引入一些非对称的结构，如一些控温的水道，这些非对称结构导致入射到反应腔内不同区域的射频功率的分布不均匀，导致被处理器件表面上方的电磁场分布不均匀，由于电磁场的不均匀分布，导致反应腔内的等离子体分布不均匀，从而导致反应腔内不同区域的工艺参数具有不同的值，进而导致被处理的晶片等被加工处理的器件的不均匀处理，从而降低了产品的生产良率。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明提供了一种静电夹盘，以改善反应腔内的晶片等被加工处理的器件处理的均匀性，从而提高产品的生产良率。
[0006]为了达到上述发明目的，本发明采用了如下技术方案:
[0007]—种静电夹盘，包括，设置于所述静电夹盘内部的N块相互独立的导体块，每个导体块连接一个位于所述静电夹盘外部的阻容网络，所述阻容网络具有至少一个可变电容，所述阻容网络的一端接地,其中，N ^ 2, N为整数，所述静电夹盘由绝缘材料制成。
[0008]较优地，所述导体块均匀分布在所述静电夹盘内。
[0009]较优地，所述N块导体块的材质和尺寸相同。
[0010]较优地，所述导体块的材质为金属材料。
[0011]较优地，所述金属材料为铝、铜中的至少一种。
[0012]较优地，所述阻容网络为高阻滤波器。
[0013]较优地，所述N个阻容网络的结构相同。
[0014]较优地，所述绝缘材料包括碳化硅、氮化铝、三氧化二铝中的至少一种。
[0015]相较于现有技术，本发明具有以下有益效果:
[0016]本发明实施例提供的静电夹盘，用于在半导体加工过程中借助于静电引力固定如晶圆等被加工器件。由于在静电夹盘的内部设置有多个导体块，且一个导体块与一个阻容网络连接。当反应腔内某一区域的电磁场强度较大时，通过调节与该区域相对应的阻容网络上的可变电容，由于阻容网络接地，所以通过阻容网络可以将一部分射频能量释放掉，从而使该区域的电磁场强度与其它区域的电磁场强度达到基本相同的目的，从而实现反应腔内被加工处理器件表面的电磁场的均匀分布，因而能够实现对被加工处理器件的均匀处理，有利于提闻广品的生广良率。
【附图说明】
[0017]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本发明实施例的静电夹盘的截面结构示意图；
[0019]图2是本发明实施例的静电夹盘的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0021]静电夹盘用于在半导体加工过程中借助于静电引力固定被加工器件。在静电夹盘的内部设置有一电极，该电极用于与静电夹盘外部的直流电源连接。通过直流电源给电极施加电压，实现从静电夹盘上夹持或释放被加工器件。
[0022]在使用过程中，将静电夹盘放置于反应腔内，被加工处理器件放置在静电夹盘的表面上。由射频电源产生射频功率，射频功率经静电夹盘下方的阴极基座上的输入口馈入反应腔内，在射频功率的作用下，在反应腔内产生等离子体，直流电源将高压直流电压施加到静电夹盘内部的电极上产生静电引力，从而实现静电夹盘将被加工处理器件夹持。等被加工处理器件被夹持固定后，等离子体工艺处理在反应腔内进行。等处理完成后，关闭射频电源，通过直流电源对电极施加反向的直流电压来使晶圆从静电夹盘上释放。
[0023]如【背景技术】部分所述，现有的静电夹盘下方的阴极基座由于存在不对称的结构设计，使得射入反应腔内射频功率分布不均匀，导致反应腔内的靠近被加工器件表面上方的电磁场分布不均匀，从而导致被加工处理器件的不均匀处理，如出现被加工处理器件的一边高一边低的现象，降低了产品的生产良率。
[0024]为了提高被加工处理器件的处理的均匀性，需要改善反应腔内的电磁场的分布均匀性。
[0025]基于此，本发明提供了一种静电夹盘。结合图1和图2对本发明提供的静电夹盘进行详细描述。
[0026]图1是本发明实施例提供的静电夹盘的截面图，如图1所示，该静电夹盘100由阴极基座200支撑。在该阴极基座200上设置有射频功率的输入口 201。在使用过程中，由射频电源