产生的射频功率经阴极基座200后再经过静电夹盘100进入反应腔(图1中未示出)。为了改善反应腔内的电磁场分布的均匀性，本发明实施例在静电夹盘100的内部设置有多个导体块101，并且设置在静电夹盘100内部的每个导体块101与静电夹盘外部的一个阻容网络300连接，如图2所示。图2所示，在静电夹盘内设置有4个导体块101，相适应地，在静电夹盘外部设置有4个阻容网络300与每个导体块101相连接。该阻容网络300中至少包括一个可变电容，并且该阻容网络的一端接地。这样由射频电源产生的射频功率经阴极基座200后分为两路，一路进入反应腔为等离子体加工工艺所利用，一路与静电夹盘100内的导体块101耦合，经阻容网络300释放掉。
[0027]如上所述，由于阴极基座200中存在一些不对称的部件，导致反应腔内不同区域的射频能量分布不均匀，即反应腔内不同区域的电磁场强度分布不均匀。由于在某一区域的总的射频能量一定，当有一部分射频能量释放掉后，剩余在该区域内的射频能量就会减少。通过采用本发明实施例提供的静电夹盘，当反应腔内某一区域的电磁场强度较大时，通过调节与该区域相对应的阻容网络300上的可变电容，将反应腔内相应区域的射频能量释放掉。从而实现该区域的射频能量与其它区域的射频能量达到基本一致，从而使反应腔内不同区域的电磁场强度分布基本均匀，进而实现对被加工处理器件的均匀处理，有利于提闻广品的生广良率。
[0028]需要说明的是，上述所述的阻容网络为高阻抗电路，所以能够实现仅将反应腔内相应区域内的部分射频能量释放掉，而不是将该区域的所有射频能量都释放掉。
[0029]需要说明的是，为了使本发明实施例提供的静电夹盘能够夹持被处理器件，在该静电夹盘的内部还设置有一电极102，该电极与外部的直流电源相连接。
[0030]为了实现本发明的发明目的，制备静电夹盘的材料为绝缘材料，这样才能实现分布在其内部的不同导体块101能够相互独立。为了进一步改善被加工器件表面的电磁场分布的均匀性，本发明实施例采用制作静电夹盘的绝缘材料可以由高电阻率、高导热性和低射频能量损耗的介电质材料制成。该介电质材料可以包括碳化硅、氮化铝、三氧化二铝等。此外，其它的具有高电阻率、高导热、低射频损耗的陶瓷材料也可以被使用。
[0031]需要说明的是，图2所述的静电夹盘内设置有4个导体块。实际上，图2所示仅是示例，不应该理解为是对本发明实施例的限定。实际上，在不脱离本发明构思的前提下，上述所述的导体块的数量不限于4个，只要导体块101的数量在2个以上，即可实现本发明的发明目的。为了使反应腔内的电磁场分布更加均匀，所述导体块101的数量越多越好。这样，与导体块101连接的阻容网络300的可变电容能够充分地调节射频功率在静电夹盘内的微小区域的分布，从而能够调节反应腔内的每一个微小区域的电磁场分布，进而保证被加工处理器件的均匀处理。
[0032]进一步地，上述所的导体块101可以由金属材料制成，所述金属材料可以为铝、铜等良导体材料中的一种或几种。
[0033]为了进一步改善被加工处理器件的均匀处理，每个所述导体块的尺寸和材质均相同。并且，进一步地，所述导体块均匀分布在所述静电夹盘内的不同区域。
[0034]为了方便调节，每个阻抗网络的结构相同。进一步地，为了减少能量的损失，所述阻抗网络可以为高阻滤波器。
[0035]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种静电夹盘，其特征在于，包括，设置于所述静电夹盘内部的N块相互独立的导体块，每个导体块连接一个位于所述静电夹盘外部的阻容网络，所述阻容网络具有至少一个可变电容，所述阻容网络的一端接地，其中，N ^ 2, N为整数，所述静电夹盘由绝缘材料制成。
2.根据权利要求1所述的静电夹盘，其特征在于，所述导体块均匀分布在所述静电夹盘内。
3.根据权利要求1或2所述的静电夹盘，其特征在于，所述N块导体块的材质和尺寸相同。
4.根据权利要求1或2任一项所述的静电夹盘，其特征在于，所述导体块的材质为金属材料。
5.根据权利要求4所述的静电夹盘，其特征在于，所述金属材料为铝、铜中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的静电夹盘，其特征在于，所述阻容网络为高阻滤波器。
7.根据权利要求1或6所述的静电夹盘，其特征在于，所述N个阻容网络的结构相同。
8.根据权利要求1、2、6任一项所述的静电夹盘，其特征在于，所述绝缘材料包括碳化硅、氮化铝、三氧化二铝中的至少一种。
【专利摘要】本发明提供了一种静电夹盘，包括，设置于所述静电夹盘内部的N块相互独立的导体块，每个导体块连接一个位于所述静电夹盘外部的阻容网络，所述阻容网络具有至少一个可变电容，所述阻容网络的一端接地，其中，N≥2，N为整数，所述静电夹盘由绝缘材料制成。当反应腔内某一区域的电磁场强度较大时，通过调节与该区域相对应的阻容网络上的可变电容，由于阻容网络接地，所以通过阻容网络可以将一部分射频能量释放掉，从而使该区域的电磁场强度与其它区域的电磁场强度达到基本相同的目的，从而实现反应腔内被加工处理器件表面的电磁场的均匀分布，因而能够实现对被加工处理器件的均匀处理，有利于提高产品的生产良率。
【IPC分类】H01L21-683
【公开号】CN104733364
【申请号】CN201310718868
【发明人】王洪青, 罗伟艺
【申请人】中微半导体设备(上海)有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2013年12月23日