一种可实现自对准功能的电子元件支架装置及其铸造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子元件中间件及其制作方法技术领域，具体的说是一种可实现自对准功能的电子元件支架装置及其铸造方法。
【背景技术】
[0002]电子元件在连接过程中需要用到钎焊工艺，此种方法需要十分小心的将元件端部与支架对准，其准确性直接影响到电子元件电路板的精确性，对产品的性能也有会直接的影响，现有的钎焊工艺中，不能做到高效率的对准支架与胶头，同时存在着胶头内电子元件的排列密度不大，增加了钎焊后电路板的短路风险。
[0003]为了很好的解决上述问题，本发明提供一种可实现自对准功能的电子元件支架装置及其铸造方法。
【发明内容】
[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种可实现自对准功能的电子元件支架装置及其铸造方法，包括顶端的圆弧状元件头、处于元件头内部的晶片和顶端的支架，其特征在于:所述晶片的上表面一侧与圆弧状元件头相支撑，所述晶片通过金线镶嵌在环氧树脂胶头内部，所述晶片与支架之间形成多条用于切割金线的沟槽。
[0005]所述的一种可实现自对准功能的电子元件支架装置及其铸造方法，其特征在于:所述圆弧状元件头为圆滑弧状结构为环氧树脂材料制成，。
[0006]所述的一种可实现自对准功能的电子元件支架装置及其铸造方法，其特征在于:所述支架表面设有绝缘膜层。
[0007]所述电子元件支架采用物理方法和化学方法相结合的铸造工艺，其中溅射和离子束溅射方法提高了钎焊连接后的准确度和精确性。
[0008]本发明有益效果是:
1)本发明结构简单，操作方便，易于加工；
2)晶片通过金线镶嵌在环氧树脂胶头内部，使电子元件的密度越来越高，钎焊连接后的精度越来越高，可以有效的避免钎焊点之间的短路，同时也可以提高钎焊工艺的生产效率，支脚和环氧树脂摸胶头通过金线镶嵌连接，可以实现微型化的自动相互对准率，减少了电路在钎焊时的误差。
【附图说明】
[0009]图1为本发明环氧树脂胶头元件结构示意图；
[0010]图中:1、环氧树脂胶；2、晶片；3、金线；4、银胶；5、支架。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图，对本发明做以下详细说明: 如图1所示，一种可实现自对准功能的电子元件支架装置及其铸造方法，属于电子元件中间件及其制作方法技术领域，包括顶端的圆弧状元件头、处于元件头内部的晶片和顶端的支架，所述圆弧状元件头为圆滑弧状结构为环氧树脂材料制成，所述晶片的上表面一侧与圆弧状元件头相支撑，所述晶片通过金线镶嵌在环氧树脂胶头内部，所述晶片与支架之间形成多条用于切割金线的沟槽，所述支架表面设有绝缘膜层，所述电子元件支架采用物理方法和化学方法相结合的铸造工艺，其中溅射和离子束溅射方法提高了钎焊连接后的准确度和精确性，与现有技术相比，本发明设计合理，结构简单，晶片通过金线镶嵌在环氧树脂胶头内部，使电子元件的密度越来越高，钎焊连接后的精度越来越高，可以有效的避免钎焊点之间的短路，同时也可以提高钎焊工艺的生产效率，支脚和环氧树脂摸胶头通过金线镶嵌连接，可以实现微型化的自动相互对准率，减少了电路在钎焊时的误差。
【主权项】
1.一种可实现自对准功能的电子元件支架装置及其铸造方法，包括顶端的圆弧状元件头、处于元件头内部的晶片和顶端的支架，其特征在于:所述晶片的上表面一侧与圆弧状元件头相支撑，所述晶片通过金线镶嵌在环氧树脂胶头内部，所述晶片与支架之间形成多条用于切割金线的沟槽。
2.根据权利要求1所述的一种可实现自对准功能的电子元件支架装置及其铸造方法，其特征在于:所述圆弧状元件头为圆滑弧状结构为环氧树脂材料制成。
3.根据权利要求2所述的一种可实现自对准功能的电子元件支架装置及其铸造方法，其特征在于:所述支架表面设有绝缘膜层。
4.根据权利要求2所述的一种可实现自对准功能的电子元件支架装置及其铸造方法，其特征在于:所述电子元件支架采用物理方法和化学方法相结合的铸造工艺，其中溅射和离子束溅射方法提高了钎焊连接后的准确度和精确性。
【专利摘要】本发明公开了一种可实现自对准功能的电子元件支架装置及其铸造方法，包括顶端的圆弧状元件头、处于元件头内部的晶片和顶端的支架，晶片的上表面一侧与圆弧状元件头相支撑，晶片通过金线镶嵌在环氧树脂胶头内部，晶片与支架之间形成多条用于切割金线的沟槽与现有技术相比，本发明设计合理，结构简单，晶片通过金线镶嵌在环氧树脂胶头内部，使电子元件的密度越来越高，钎焊连接后的精度越来越高，可以有效的避免钎焊点之间的短路，同时也可以提高钎焊工艺的生产效率，支脚和环氧树脂摸胶头通过金线镶嵌连接，可以实现微型化的自动相互对准率，减少了电路在钎焊时的误差。
【IPC分类】H01L21-203, H01L21-68
【公开号】CN104733362
【申请号】CN201310708693
【发明人】何玉润
【申请人】西安兴仪科技股份有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2013年12月20日