304b和304a隔离；采样管多晶硅栅极和被采样管多晶硅栅极相连接共同形成完整的闭环形多晶硅栅极109 ;多晶硅栅极109横跨采样管和被采样管源区211和212、衬底P型阱303b和303a以及源区的N型漂移区302b和302a，采样管源区宽度W为I微米?100微米，采样管和被采样管源区的N型漂移区302b和302a之间的宽度S为5微米?100微米，高耐压缓冲区210高度D为5微米?50微米，宽度L比采样管和被采样管源区的N型漂移区302b和302a之间的宽度S大2微米?20微米，采样管和被采样管源区211和212、衬底P型阱303b和303a以及源区的N型漂移区302b和302a均经过圆化处理，成形为圆化形状提高耐压能力。
[0028]如图6所示，本发明采样管实施例，包括:P型衬底硅基板101上部的N型漂移区102，第一 N+有源区106和衬底P型阱103通过P+有源区108引出用金属连在一起形成源区202，N型漂移区102包住整个源区202将衬底P型阱103和P型衬底硅基板101隔离，场氧隔离105形成在N型漂移区102上部，第一 P型掺杂区104位于N型漂移区102上部，N型漂移区102用第二 N+有源区107引出形成漏区201，源区202下方形成有第二 P型掺杂104a，场氧隔离105、第一 P型掺杂区104和第二 P型掺杂104a上方覆盖有多晶硅109，该多晶硅用第一金属111引出形成源区多晶硅栅极，场氧隔离105上覆盖有多晶硅110用第二金属112和第二 N+有源区107连在一起形成漏区多晶硅场板，在第一金属111旁侧具有第三金属113，第三金属113与源区多晶硅栅极109连在一起。
[0029]如图7所示，采用两个本发明采样管实施例所示的结构共用漏区201形成采样管加被采样管的结构。
[0030]如图8所示，本发明图5中B-B位置剖视结构，第一 P型掺杂区104位于N型漂移区102和P型衬底硅基板101上部，即第一 P型掺杂区和P型衬底硅基板101有竖直方向有重叠区域，竖直方向是指从P型衬底娃基板101至第一金属111所不的方向；第一 P型掺杂区104位于P型衬底硅基板101上部部分的宽度为O为O微米?100微米，即第一 P型掺杂区和P型衬底硅基板101有竖直方向重叠区域的宽度为O微米?100微米。
[0031]以上通过【具体实施方式】和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种隔离型高耐压场效应管具有电流采样功能，包括结构相同的一个采样管(301)和至少一个被采样管(302)，其特征在于:采样管(301)在被采样管(302)周边的源区(202)处分离形成，采样管(301)和被采样管(302)共用漏区(201)和多晶硅场栅极(109)，采样管源区(211)和被采样管源区(212)之间在靠近多晶硅栅极(109)的位置具有高耐压缓冲区(210)，高耐压缓冲区(210)由硅基板P型衬底组成，高耐压缓冲区(210)横跨多晶硅栅极(109)，将采样管和被采样管源区(211和212)、衬底P型阱(303b和303a)、P型掺杂区(304b和304a)彼此隔离；采样管多晶硅栅极和被采样管多晶硅栅极相连接共同形成完整的闭环形多晶硅栅极(109);多晶硅栅极(109)横跨采样管和被采样管源区(211和212)、衬底P型阱(303b和303a)以及源区的N型漂移区(302b和302a)离。
2.如权利要求1所述的隔离型高耐压场效应管，其特征在于:所述采样管或被采样管包括: P型衬底硅基板(101)上部的N型漂移区(102)，第一 N+有源区(106)和衬底P型阱(103)通过P+有源区(108)引出用金属连在一起形成源区(202)，N型漂移区(102)包住整个源区(202)将衬底P型阱(103)和P型衬底硅基板(101)隔离，场氧隔离(105)形成在N型漂移区(102)上部，第一 P型掺杂区(104)位于N型漂移区(102)上部，N型漂移区(102)用第二 N+有源区(107)引出形成漏区(201)，源区(202)下方形成有第二 P型掺杂(104a)，场氧隔离(105)、第一P型掺杂区(104)和第二P型掺杂(104a)上方覆盖有多晶硅(109)，该多晶硅用第一金属(111)引出形成源区多晶硅栅极，场氧隔离(105)上覆盖有多晶硅(110)用第二金属(112)和第二N+有源区(107)连在一起形成漏区多晶硅场板，在第一金属(111)旁侧具有第三金属(113)，第三金属(113)与源区多晶硅栅极(109)连在一起。
3.如权利要求2所述的隔离型高耐压场效应管，其特征在于:第一P型掺杂区(104)位于N型漂移区(102)和P型衬底硅基板(101)上部，第一 P型掺杂区(104)位于P型衬底硅基板(101)上部部分的宽度为(O)为O微米?100微米。
4.如权利要求1所述的隔离型高耐压场效应管，其特征在于:采样管和被采样管源区(211和212)、衬底P型阱(303b和303a)以及源区的N型漂移区(302b和302a)均经过圆化处理，成形为圆化形状。
5.如权利要求1所述的隔离型高耐压场效应管，其特征在于:采样管源区宽度(W)为I微米?100微米。
6.如权利要求1所述的隔离型高耐压场效应管，其特征在于:采样管和被采样管源区的N型漂移区(302b和302a)之间的宽度(S)为5微米?100微米。
7.如权利要求5所述的隔离型高耐压场效应管，其特征在于:高耐压缓冲区(210)高度(D)为5微米?50微米，宽度(L)比采样管和被采样管源区的N型漂移区(302b和302a)之间的宽度(S)大2微米?20微米。
【专利摘要】本发明公开了一种具有电流采样功能的隔离型高耐压场效应管，包括：结构相同的一个采样管和至少一个被采样管，采样管在被采样管多指状阵列结构周边的源区处分离形成，采样管和被采样管共用漏区和多晶硅场栅极，采样管源区和被采样管源区之间在靠近多晶硅栅极的位置具有高耐压缓冲区，高耐压缓冲区由硅基板P型衬底组成，高耐压缓冲区横跨多晶硅栅极，将采样管和被采样管的源区、衬底P型阱、P型掺杂区隔离；多晶硅栅极横跨采样管和被采样管的源区、衬底P型阱以及源区的N型漂移区。本发明在保持采样管和被采样管的高耐压前提下能减小集成面积，增大被采样管的有效面积，能增大器件的采样比。
【IPC分类】H01L29-80, H01L29-06
【公开号】CN104752518
【申请号】CN201310753318
【发明人】苏庆, 苗彬彬, 金锋
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月31日