一种用于电脑电源的负离子发生装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及离子发生器领域，尤其涉及一种用于电脑电源的负离子发生装置。
【背景技术】
[0002]随着人们生活水平的提高，人们对室内环境与空气的要求也越来越高，实践证明，清新的空气中负离子的含量较高，因此，人们选择产生负离子来提高空气的清洁程度。在用电设备中，诸如室内设置的电脑机箱以及电源等设备，除了用负离子发生装置来清洁空气，也通过负离子发生装置除尘，防止长时间使用造成的损伤。
[0003]现有技术中的离子产生装置一般通过水或者空气为介质产生负离子，如中国专利《一种负离子水发生器》公开了一种离子发生装置，该装置包括产生离子的升压器、电阻器、正负极引出线等设备。该技术的缺点是，在使用过程中，水流量或者空气流量不能根据离子的产生或者气流的变化而控制，离子产出量不能被控制。
[0004]鉴于上述缺陷，本发明创作者经过长时间的研宄和实践终于获得了本创作。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种用于电脑电源的负离子发生装置，用以克服上述技术缺陷。
[0006]为实现上述目的，本发明提供一种用于电脑电源的负离子发生装置，其包括气泵、空气通道、密封与缓冲组件以及离子产生组件，其中，所述的密封与缓冲组件设置在离子产生组件以及空气通道的外围，其将空气通道以及离子产生组件进行密封；
所述的气泵通过气管座与空气通道、密封与缓冲组件连接，并且为空气通道、密封与缓冲组件以及离子产生组件提供气流；
所述的密封与缓冲组件、气管座和设置在空气通道末端的离子发射腔围成反应装置容纳腔，所述的反应装置容纳腔内部设置有气体通道容纳体，在气体通道容纳体中设置有空气腔；
所述的空气通道包括第一空气通道、第二空气通道和第三空气通道，三条空气通道均从空气腔中流出空气，流入离子发射腔；所述的第一空气通道和第二空气通道设置在气体通道容纳体的上、下两侧，用以调节离子发射腔中离子的发射角度；
第三空气通道设置在气体通道容纳体的中间，在第三通道容纳体的上侧设置所述的离子产生组件，包括磁性负极组件以及电源变压器；离子产生组件设置在负极容纳腔中，在离子反应组件下侧设置有铜板，铜板下侧设置有与磁性负极组件磁性连接的磁性放电针；在所述的负极容纳腔中设置有第一高压腔和第二高压腔，在两个高压腔的作用下，所述的负极容纳腔能够沿铜板水平移动，用以调节离子发射腔中的离子浓度；
在所述的第一空气通道上设置有集气腔，其两端分别设置有第一控制阀和第二控制阀，集气腔通过第一连接气管与第一高压腔连接；调节第一控制阀和第二控制阀的控制压力，第一高压腔的气体压力改变，负极容纳腔沿铜板水平移动。
[0007]进一步地，所述的第一通道包括空气腔、第一输入管、集气腔、第一输出管以及离子发射腔，上述各结构依次连接，其中，在所述的第一输入管上设置有所述的第一控制阀，在第一输出管中设置有第二控制阀；所述的第二高压腔通过第二连接气管与第一空气通道上的第一输出管连接；
并且，所述的第二连接气管与第一输出管的连接位置设置在第二控制阀的后侧； 在所述的集气腔的上端还设置有溢流阀。
[0008]进一步地，所述的第二空气通道包括空气腔、第二输入管、第二输出管以及离子发射腔，上述各结构依次连接；
在所述的第二输入管上设置有第三控制阀；
若第二控制阀的控制压力大于第三控制阀的控制压力，则离子发射腔的离子发射的角度向下偏移，若第二控制阀的控制压力小于第三控制阀的控制压力，则离子发射腔的离子发射的角度向上偏移。
[0009]进一步地，第三空气通道包括空气腔、设置在气体通道容纳体中间的反应管道、离子发射腔，上述各结构依次连接。
[0010]进一步地，在所述的第一高压腔与负压容置腔之间设置第一反推板，其与所述的负压容置腔连接为一体，并且，第一反推板与第一高压腔的上壁以及铜板连接，用以将第一高压腔封闭；
在所述的第二高压腔与负压容置腔之间设置第二反推板，其与所述的负压容置腔连接为一体，并且，第二反推板与第二高压腔的上壁以及铜板连接，用以将第二高压腔封闭。
[0011]进一步地，在所述的第一控制阀控制压力较大，第二压力控制阀的控制压力较小，同时关闭溢流阀时，所述的第一高压腔的压力高于第二高压腔的压力，在压差的作用下，所述的第一反推板推动负压容置腔向靠近离子发射腔的一侧运动，产生的离子聚集在离子发射腔处，离子发射腔的离子浓度大；
在所述的第一控制阀的控制压力较小，溢流阀开始时，集气腔的压力小于第一输出管的压力时，第一高压腔的压力小于第二高压腔的压力，在第二反推板的作用下，负压容置腔向远离离子发射腔的一侧移动，产生的离子经过反应通道进入离子发射腔，此时，离子发射腔的离子浓度较低。
[0012]进一步地，所述的铜板上侧的中间部分设置有轨道，在所述的第一反应推板和第二反应推板的作用下，磁性负极组件以及电源变压器沿着所述的导轨运动；
所述的轨道为具有刻痕的轨道，导轨两侧设置凹槽，用以限制导轨的运动轨迹。
[0013]进一步地，所述的密封与缓冲组件包括一气囊，气囊的内部为中空的，在气囊的末端设置有一开口，开口的两侧与离子发射腔的两侧连接。
[0014]进一步地，所述的气泵的排气端与连接法兰连接，连接法兰的另一端与气管座连接，所述的连接法兰上设置有横向的两个贯通的气管插孔，两个导气管穿过气管插孔进入所述的气管座中，导气管从气管座的气孔输出端再经过导气管进入空气腔中。
[0015]进一步地，所述的气管座为圆柱形结构，其内设置有水平的第一导气孔和第二导气孔，在气管座的上部还设置有径向竖直的第三导气孔，第三导气孔和第一导气孔相通。
[0016]与现有技术相比本发明的有益效果为:本发明的离子发生装置设置有三个空气通道，可以调节发射的离子的角度，还能够调节离子发射的浓度，方便进行控制。
[0017]本发明的离子生成位置能够通过空气通道的压力变化以及高压腔的压力变化进行改变便于调节，提高了离子发生装置的适用性。
[0018]还设置有密封与缓冲组件，将空气通道以及离子产生组件进行密封，防止尘埃等进入空气通道或者负离子通道中，而且，其设置在空气通道的外围，能够避免空气通道的压力过大对侧壁造成损伤。
【附图说明】
[0019]图1为本发明的离子发生装置的结构示意图；
图2为本发明的空气通道与离子发生部件的示意图；
图3为本发明的负极移动部件的结构示意图；
图4为本发明的气管座的剖视结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]以下结合附图，对本发明上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。
[0021]请参阅图1所示，其为本发明的离子发生装置的结构示意图，本发明实施例的离子发生装置包括气泵1、空气通道、密封与缓冲组件4以及离子产生组件，其中，所述的密封与缓冲组件4设置在离子产生组件以及空气通道的外围，其将空气通道以及离子产生组件进行密封，防止尘埃等进入空气通道或者负离子通道中，而且，其设置在空气通道的外围，能够避免空气通道的压力过大对侧壁造成损伤。
[0022]在本发明实施例中，所述的密封与缓冲组件4为一气囊，气囊4的内部为中空的，在气囊的末端设置有一开口，开口的两侧与离子发射腔8的两侧连接。
[0023]在本发明实施例中，气泵I的排气端与连接法兰2连接，连接法兰2的另一端与气管座21连接，所述的连接法兰2上设置有横向的两个贯通的气管插孔，两个导气管22穿过气管插孔进入所述的气管座21中，导气管22从气管座21的气孔输出端再经过导气管22进入空气腔5中。
[0024]请结合图4所示，其为本发明的气管座的剖视结构示意图，气管座21为圆柱形结构，其内设置有水平的第一导气孔23和第二导气孔24，在气管座21的上部还设置有径向竖直的第三导气孔25，第三导气孔25和第一导气孔23相通。
[0025]在本实施例中，气管座21的上端与气囊的空气入口连接，气囊的空气入口端设置有法兰，其与气管座21的上端连接，气管座21上的第三导气孔25与气囊的空气入口连接，并向气囊中充气。同时，气泵经过连接法兰2以及气管座21向空气通道5中提供流动气体，本发明设置气管座结构，能够同时向气囊和空气通道中充气，既保证离子发生装置的密封性、稳定性，还保证离子产生反应的正常发生，并且，提供流动的空气流，便于对离子产生进行控制。
[0026]所述的气管座21的下端与气囊连接，在气囊内部形成密闭空间，形成反应装置容纳腔3，在本实施例中，所述的反应装置容纳腔3由气囊、气管座21和离子发射腔8围成，气囊与离子发射腔8的两侧部连接密封。在本实施例中，反应装置容纳腔3的侧壁为可伸缩的，可以根据气囊内空气量决定，还由其内部设置的气体通道容纳体31决定。
[0027]在所述的反应装置容纳腔3的内部设置有气体通道容纳体31，所述的气体通道容纳体31由塑性材料制成，具有较好的弹性，能够根据气囊内的空气量进行小幅度的伸缩，其前端设置有一伸出端，用以与导气管22连接；在其上下侧为圆桶型，伸出端与上下侧之间为弧形连接端，在后端为弧形部，该结构的设置保证其具有较好的伸缩性。
[0028]在所述的气体通道容纳体31中设置有空气腔5，请结合图2所示，在本实施例中，设置有三条空气通道，三条空气通道具有均从空气腔5中流出空气，最终进入离子发射腔8中。空气第一通道包括空气腔5、第一输入管51、集气腔53、第一输出管55以及离子发射腔8，上述各结构依次连接，其中，在所述的第一输入管51上设置有第一控制阀92，在第一输出管55中设置有第二控制阀93，分别控制空气流量。
[0029]第二空气通道包括空气腔5、第二输入管52、第二输出管56以及离子发射腔8，上述各结构依次连接，在所述的第二输入管52上设置有第三控制阀94，用以控制第二空气通道的空气流量。
[0030]上述的第一、二空气通道将空气直接导入离子发射腔8中，通过空气控制输出的离子发射的浓度，控制简单。第一、二空气通道设置在气体通道容纳体31的上、下两侧，在两个空气通道之间为离子产生组件。
[0031]第三空气通道包括空气腔5、设置在气体通道容纳体31中间的反应管道54、离子发射腔8，上