透明oled光提取的制作方法

文档序号:8491902阅读:617来源:国知局
透明oled光提取的制作方法
【专利说明】透明OLED光提取
[0001 ] 相夫专利申请
[0002] 本专利申请设及W引用方式并入本文的下述美国专利申请;与本申请同日提交的 "MICR0CAV口Y0LEDLIGHTEXTRACTION"(微腔 0LED光提取)(代理人案卷号 7011 抓S002)。
【背景技术】
[0003] 有机发光二极管(0LED)装置包括电致发光有机材料薄膜,该薄膜被夹在阴极和 阳极之间,其中该些电极之一或二者是透明导体。在横跨所述装置施加电压时,电子和空穴 从其各自的电极注入,并且通过中间形成发射激子而在电致发光有机材料中复合。
[0004] 在0LED装置中,超过70 %的生成光通常由于在装置结构内的工艺而损失。在较 高折射率的有机层和氧化铜锡(IT0)层与较低折射率的基板层之间的界面处捕集光的步 骤是该种低提取效率的一个原因。只有相对少量的发射光作为"可用"光能穿过透明电极。 该光中的许多经受内部反射,从而导致光从装置的边缘发射,或在装置内被捕集,并且最终 在重复数次之后因在装置内被吸收而丧失。光提取膜使用内部纳米结构,此纳米结构能够 降低装置内的此类波导损失。
[0005] 有源矩阵0LED(AM0LED)显示器在显示器市场的地位日益凸显。虽然移动AM0LED 显示器几乎全部由所谓的顶部发射架构表示,其中0L邸构建在反射下电极的顶部上,但是 电视机市场将有可能依赖于所谓的底部发射设计,在该设计中,反射性电极沉积在0LED有 机层后。从更好地控制亮度倾斜度、简化制造过程、W及能够在具有较大像素尺寸的情况下 合理实现高孔径比的远景来讲,AM0LED电视的底部发射架构是有吸引力的。然而,用于控 制此类重要的光学参数(诸如光输出禪合(光提取)或环境对比度)的底部发射设计选项 是有限的。

【发明内容】

[0006] 本发明提供了新型发光装置,该发光装置包括基于透明0L邸架构的AM0L邸显示 器,其中层合的纳米结构化光提取膜能够产生轴向光学增益和集成光学增益W及改善的角 亮度和颜色。一般来讲,具有层合亚微米提取器的透明AM0L邸显示器包括;(a)在透明基 板上用于在透明装置两侧上进行光输出禪合的提取器;或化)在反射膜上用于提供背离 底部发射炬巧AM0LED的底侧的光输出禪合的提取器;或(C)在吸光膜上用于提供背离BE AM0LED底侧的输出禪合连同改善的环境对比度的提取器。
[0007] 在一个方面,本发明提供发光装置,该装置包括:具有设置在底板上的上电极和 相对下电极的有机发光二极管(0LED)装置,其中由0L邸装置发出的光可实质上透过上电 极、相对下电极和底板中的每一个;紧邻上电极设置的覆盖层;和邻近覆盖层设置的光提 取膜。光提取膜包括基板、施加于基板的纳米结构层、和设置在纳米结构上方且邻近覆盖层 的回填层,该回填层具有的折射率大于纳米结构的折射率。在一个具体实施例中,基板包括 由0L邸装置发出的光可实质上透过的材料,使得由0L邸装置发出的光能够穿过底板并穿 过基板。在另一个具体实施例中,基板包括可实质上反射由0L邸装置发出的光的材料,使 得由OL邸装置发出的光能够穿过底板。在又一个具体实施例中,基板包括可实质上吸收由 0L邸装置发出的光的材料,使得由0L邸装置发出的光能够穿过底板。
[000引在另一方面,本发明提供:包括发光装置阵列的有源矩阵有机发光二极管 (AM0LED)装置,每个发光装置包括具有设置在底板上的上电极和相对下电极的有机发光二 极管(0LED)装置,其中由0L邸装置发出的光可实质上透过上电极、相对下电极和底板中的 每一个;和紧邻上电极设置的覆盖层。AM0L邸装置还包括设置在发光装置阵列上方的光提 取膜,该光提取膜邻近覆盖层。光提取膜包括基板、施加于基板的纳米结构层、和设置在纳 米结构上方且邻近覆盖层的回填层,该回填层具有的折射率大于纳米结构的折射率。在一 个具体实施例中,基板包括由0L邸装置发出的光可实质上透过的材料,使得由0L邸装置发 出的光能够穿过底板并穿过基板。在另一个具体实施例中,基板包括可实质上反射由0L邸 装置发出的光的材料,使得由0LED装置发出的光能够穿过底板。在又一个具体实施例中, 基板包括可实质上吸收由OLm)装置发出的光的材料,使得由0L邸装置发出的光能够穿过 底板。
[0009] 在另一方面,本发明提供;包括多个发光装置的图像显示装置,每个发光装置具有 在底板上设置有上电极和相对下电极的有机发光二极管(0LED)装置,其中由0L邸装置发 出的光可实质上透过上电极、相对下电极和底板中的每一个;和紧邻上电极设置的覆盖层。 图像显示装置还包括邻近覆盖层设置的光提取膜;和能够激发发光装置中的每一个的电子 电路。光提取膜包括基板、施加于基板的纳米结构层、和设置在纳米结构上方且邻近覆盖层 的回填层,该回填层具有的折射率大于纳米结构的折射率。在一个具体实施例中,基板包括 由0L邸装置发出的光可实质上透过的材料,使得由0L邸装置发出的光能够穿过底板并穿 过基板。在另一个具体实施例中,基板包括可实质上反射由0L邸装置发出的光的材料,使 得由0L邸装置发出的光能够穿过底板。在又一个具体实施例中,基板包括可实质上吸收由 0LED装置发出的光的材料,使得由0LED装置发出的光能够穿过底板。
[0010] 上述
【发明内容】
并非意图描述本发明的每个所公开实施例或每种实施方案。W下附 图和【具体实施方式】更具体地举例说明了示例性实施例。
【附图说明】
[0011] 整个说明书参考附图,在附图中,类似的附图标号表示类似的元件,并且其中:
[0012] 图1A示出包括透明的光提取膜的发光装置的剖视示意图;
[0013] 图1B示出包括反射性光提取膜的发光装置的剖视示意图;
[0014] 图1C示出包括吸收性光提取膜的发光装置的剖视示意图;
[0015] 图2示出用于对照装置和提取器层合装置的效率与亮度的关系;W及
[0016] 图3示出用于对照装置和提取器层合装置的效率与亮度的关系。
[0017] 附图未必按比例绘制。附图中使用的类似标号是指类似组件。然而,应当理解,使 用标号来指代给定附图中的组件并非意图限制在另一附图中W相同标号标记的组件。
【具体实施方式】
[001引本发明描述了新型发光装置,该发光装置包括基于透明0L邸架构的AM0L邸显示 器,其中层合的纳米结构化光提取膜能够产生轴向光学增益和集成光学增益W及改善的角 亮度和颜色。一般来讲,具有层合亚微米提取器的透明AMOL邸显示器包括;(a)在透明基 板上用于在透明装置两侧上进行光输出禪合的提取器;或化)在反射膜上用于提供背离 底部发射炬巧AM0LED的底侧的光输出禪合的提取器;或(C)在吸光膜上用于提供背离BE AM0LED底侧的输出禪合连同改善的环境对比度的提取器。
[0019] 本发明的实施例设及光提取膜及其针对0L邸装置的使用。光提取膜的例子在美 国专利申请公布2009/0015757和2009/0015142中有所描述,还在共同待审的美国专利申 请序列号13/218610 (代理人案卷号67921US002)中有所描述。
[0020] 在W下说明中参考附图,附图形成说明的一部分并且通过举例说明的方式示出。 应当理解,在不脱离本发明的范围或实质的情况下,可W设想并作出其他实施例。因此,不 应将W下的【具体实施方式】视为具有限制性意义。
[0021] 除非另外指明,否则本说明书和权利要求中使用的表达特征尺寸、数量和物理特 性的所有数字均应该理解为在所有情况下均为由术语"约"来修饰的。因此,除非有相反的 说明,否则上述说明书和所附权利要求书中列出的数值参数均为近似值,根据本领域的技 术人员利用本文所公开的教导内容寻求获得的所需特性,该些近似值可W变化。
[0022] 除非本文内容另外清楚指明,否则如本说明书和所附权利要求中使用的单数形式 "一个"和"所述"涵盖了具有多个指代物的实施例。除非本文内容另外清楚指明,否则如本 说明书和所附权利要求中使用的术语"或"一般W包括"和/或"的意思使用。
[0023] 与空间相关的术语(包括但不限于"下部"、"上部"、"在...下面"、"在...之下"、 "在...之上"和"在顶部上"),如果在本文中使用,则用于便于描述一个元件相对于另一个 元件的空间关系。除了示于附图中并且描述于本文中的特定取向之外,此类空间相关术语 还涵盖该装置在使用或运行中的不同取向。例如,如果图中所描绘的对象翻过来或翻转过 来,那么先前描述的在其他元件之下或下面的部分就在该些其他元件之上。
[0024] 如本文所用,例如当元件、组件
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