一种射频测试结构及射频测试方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种射频测试结构及射频测试方法。
【背景技术】
[0002]晶圆加工过程中，为了确保器件的质量，需要对晶圆进行在线射频测试。因此待测器件(Device Under Test,简称DUT)的测试结构必须谨慎设计并搭配精准的探针机台。由于测试得到的数据不可避免的包含寄生(parasitic)参数，为了得到器件的本质特性，需要采用合适的方法去除这些寄生元件的影响。去除寄生元件的步骤就是去嵌化(de-embedding)。针对不同的测试结构，有不同的去嵌化方法，常用的是开路短路(open-short)法，此方法分别以一开路与短路测试结构来扣除接触针垫与金属连线的并联导纳以及串联阻抗效应。
[0003]如图1所示，其中示出了根据现有技术的射频测试的两端口测试结构。现有技术测试结构包括第一接口板1la和第二接口板101b，其中第一接口板和第二接口板分别具有两个接地测试焊盘G和一个信号测试焊盘S，两个接口板的接地测试焊盘G均接地，从而可知实际上这些接地测试焊盘是连接在一起的，信号测试焊盘S用于输入测试信号。待测器件(Device Under Test，简称DUT)102设置于第一接口板1la和第二接口板1lb之间。通过第一金属连线将DUT与第一接口板1la上信号测试焊盘S相连，通过第二金属连线将DUT与第二接口板1lb上信号测试焊盘S相连，通过第三金属连线、第四金属连线将DUT与接地测试焊盘G相连。
[0004]利用上述测试结构进行射频测试，则总的射频参数(Ytotall)等于待测器件的射频参数(Ydut)与可去除寄生的射频参数(Ytjpen)和去嵌化误差(Yctm)三者之和，即:
[0005]Ytotall=Ydut+Yopen+Yerror ( 1 )
[0006]而去嵌结构的射频参数(Ydranbedl)等于总的射频参数与可去除寄生的射频参数之差，即:
[0007]Ydeembedl-Ytotall-Yopen (2)
[0008]由公式(I)和(2)可推出
Ydeembed Ydeembedl =YdUt+Yerror
[0009]然而传统的开路短路去嵌化技术仍然不能将寄生参数完全的移除，因此测试结构的设计对于获得更精确的射频参数变的越来越重要。
[0010]因此，为了解决现有技术中的上述技术问题，有必要提出一种新的测试结构。
【发明内容】
[0011]在
【发明内容】
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在【具体实施方式】部分中进一步详细说明。本发明的
【发明内容】
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0012]为了解决现有技术中存在的问题，本发明的一方面提出了一种射频测试结构，包括:
[0013]第一信号测试焊盘，第一接地测试焊盘和第二接地测试焊盘，其中所述第一信号测试焊盘设置于所述第一接地焊盘和第二接地焊盘之间；
[0014]第一待测器件和第二待测器件，所述第一待测器件和所述第二待测器件结构设计完全相同，对称设置于所述第一接地测试焊盘、所述第一信号测试焊盘和所述第二接地测试焊盘之间，其中所述第一待测器件通过第一互连电连接至所述第一接地测试焊盘，通过第二互连电连接至所述第一信号测试焊盘；所述第二待测器件通过第四互连电连接至所述第二接地测试焊盘，通过第三互连电连接至所述第一信号测试焊盘。
[0015]进一步，还包括第二信号测试焊盘、第三接地测试焊盘和第四接地测试焊盘，其中所述第二信号测试焊盘设置于所述第三接地测试焊盘和所述第四接地测试焊盘之间。
[0016]进一步，所述第一待测器件和第二待测器件设置于所述第三接地测试焊盘、所述第二信号测试焊盘和所述第四接地测试焊盘之间，关于所述第一信号测试焊盘和所述第二信号测试焊盘的中心点连线轴对称，其中所述第一待测器件通过第五互连电连接至所述第三接地测试焊盘，通过第六互连电连接至所述第二信号测试焊盘；所述第二待测器件通过第八互连电连接至所述第四接地测试焊盘，通过第七互连电连接至所述第二信号测试焊盘。
[0017]本发明的另一个方面提出了一种射频测试方法，采用了上述的测试结构来执行射频测试。
[0018]进一步，单个待测器件的Y参数=采用上述的测试结构的Y参数*0.5。
[0019]综上所示，根据本发明的射频测试结构及射频测试的方法，可降低去嵌化误差，进一步提高射频测试结果的精度。
【附图说明】
[0020]本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
[0021]附图中:
[0022]图1为现有技术用于射频测试的测试结构示意图；
[0023]图2为本发明实施例一的测试结构示意图；
[0024]图3为本发明实施例二的测试结构示意图；
[0025]图4为现有技术与本发明实施例一焊盘寄生效应电磁仿真对比图。
【具体实施方式】
[0026]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
[0027]为了彻底理解本发明，将在下列对本发明进行详细描述，以便阐释本发明提出的射频测试结构及射频测试方法。显然，本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
[0028]应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
[0029]实施例一
[0030]下面将结合具体实施例和附图对本发明进行更详细的描述，其中标示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以进行修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。
[0031]图2示意性示出了根据本发明实施例一的两端口测试结构，包括第一信号测试焊盘221，第一接地测试焊盘211和第二接地测试焊盘212，其中所述第一信号测试焊盘221设置于所述第一接地测试焊盘211和第二接地测试焊盘212之间；还包括第二信号测试焊盘222、第三接地测试焊盘213和第四接地测试焊盘214，其中所述第二信号测试焊盘222设置于所述第三接地测试焊盘213和所述第四接地测试焊盘214之间；接地测试焊盘均接地，从而可知实际上这些接地测试焊盘是连接在一起的，信号测试焊盘用于输入